1.一種全彩微型led顯示器，其特征在于，包括：基板以及多個發光模組，多個所述發光模組設置在所述基板上且呈陣列排布，每一所述發光模組包括至少一藍光micro-led單元、至少一紅光qd-led單元和至少一綠光qd-led單元，所述基板包括第一驅動電路、第二驅動電路以及第三驅動電路，所述第一驅動電路與所述藍光micro-led單元電連接并用于向所述藍光micro-led單元提供第一驅動電壓，所述第二驅動電路與所述紅光qd-led單元電連接并用于向所述紅光qd-led單元提供第二驅動電壓，所述第三驅動電路與所述綠光qd-led單元電連接并用于向所述綠光qd-led單元提供第三驅動電壓，其中，所述第一驅動電壓大于所述第二驅動電壓、所述第三驅動電壓。
2.根據權利要求1所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：
3.根據權利要求2所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述鍵合層、所述第一陽極和所述第二陽極是一體的導電材料層，所述導電材料層上設置有多個避讓孔，所述第一驅動電路的第一觸點、所述第二驅動電路的第二觸點、所述第三驅動電路的第三觸點分別暴露在一所述避讓孔內，所述電極層、所述第一陰極、所述第二陰極分別與對應于暴露在所述避讓孔內的所述第一觸點、所述第二觸點、所述第三觸點電連接。
4.根據權利要求3所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述的全彩微型led顯示器還包括鈍化結構層，所述鈍化結構層分布在所述電極層與所述藍光micro-led半導體結構層之間、所述電極層與所述導電材料層之間、所述第一陰極與所述紅光qd-led半導體結構層之間、所述第一陰極與所述導電材料層之間、所述第二陰極與所述綠光qd-led半導體結構層之間、所述第二陰極與所述導電材料層之間。
5.根據權利要求3所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：每一所述發光模組所包含的至少一所述藍光micro-led單元、至少一所述紅光qd-led單元和至少一所述綠光qd-led單元的半導體結構層之間相互隔離。
6.根據權利要求5所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：每一所述發光模組所包含的至少一所述藍光micro-led單元、至少一所述紅光qd-led單元和至少一所述綠光qd-led單元的半導體結構層之間還設置有隔離槽或絕緣的隔離結構層，并經所述隔離槽或絕緣的隔離結構層相互隔離。
7.根據權利要求2所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：多個所述發光模組之間是相互隔離的。
8.根據權利要求7所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：任意兩個相鄰的所述發光模組之間還設置有隔離槽或絕緣的隔離結構層，并經所述隔離槽或所述隔離結構層相互隔離。
9.根據權利要求6或8所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述隔離結構層是由所述藍光micro-led半導體結構層或所述紅光qd-led半導體結構層或所述綠光qd-led半導體結構層經離子注入后轉化形成的；和/或，所述隔離槽是通過刻蝕除去所述藍光micro-led半導體結構層或所述紅光qd-led半導體結構層或所述綠光qd-led半導體結構層的一部分而形成的。
10.根據權利要求4所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述藍光micro-led半導體結構層具有臺階結構，相鄰的所述藍光micro-led單元經所述臺階結構電性隔離，且使得相鄰的所述藍光micro-led單元能夠獨立的被驅動。
11.根據權利要求10所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述藍光micro-led半導體結構層包括依次層疊設置在所述鍵合層上的第一摻雜半導體層、有源層和第二摻雜半導體層，所述鈍化結構層設置在所述第二摻雜半導體層、所述有源層、所述第一摻雜半導體層、所述鍵合層的一部分上，所述臺階結構的臺階結構的高度不小于所述第二摻雜半導體層的厚度而小于或等于所述藍光micro-led半導體結構層的厚度，所述臺階結構至少使相鄰藍光micro-led單元的第二摻雜半導體層電性隔離。
12.根據權利要求11所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述藍光micro-led單元還包括反射器層和透明導電層，所述反射器層層疊設置在所述鍵合層上，所述透明導電層層疊設置在所述反射器層上，所述第一摻雜半導體層層疊設置在所述透明導電層上，并且，所述反射器層還具有沿自身厚度方向貫穿自身的連接孔，所述鍵合層的局部穿過所述連接孔并與所述透明導電層電連接。
13.根據權利要求12所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述反射器層為布拉格反射器。
14.根據權利要求4所述的全彩微型led顯示器，其特征在于：所述紅光qd-led半導體結構層和所述綠光qd-led半導體結構層均包括依次層疊設置的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層、電子注入層，所述第一陽極/所述第二陽極與所述空穴注入層電連接，所述第一陰極/所述第二陰極與所述電子注入層電連接，所述鈍化結構層設置在所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述量子點發光層、所述電子傳輸層、所述第一陽極/所述第二陽極的一部分上。