本發(fā)明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術：

1、作為下一代的半導體器件用的材料，期待sic(碳化硅)。碳化硅與si(硅)相比，帶隙約為3倍，擊穿電場強度約為10倍，導熱率約為3倍。因此，通過使用sic，能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗且可高溫工作的半導體器件。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2019-004010號公報

5、專利文獻2：日本特開2017-050516號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本發(fā)明所要解決的課題是提供成品率提高了的半導體裝置及其制造方法。

3、用于解決問題的手段

4、實施方式的半導體裝置的制造方法具備下述工序：在第一導電型的第一碳化硅層的上表面的第一區(qū)域形成第二碳化硅層的工序，所述第二碳化硅層的第一導電型雜質(zhì)密度與第一碳化硅層不同，且具有第一膜厚d2；在上表面的第二區(qū)域形成第二導電型的具有膜厚d4的第三碳化硅層的工序；在第一碳化硅層之上形成第四碳化硅層的工序，所述第四碳化硅層的第一導電型雜質(zhì)濃度比第二碳化硅層低，且具有膜厚d1；對形成了第四碳化硅層之后的、從第一碳化硅層向第四碳化硅層的方向上的第二碳化硅層的第二膜厚d3以及第四碳化硅層的膜厚d1進行測定的工序；以及基于第四碳化硅層的膜厚d1、第二碳化硅層的第一膜厚d2、第二膜厚d3以及第三碳化硅層的膜厚d4，形成貫通第四碳化硅層并到達第三碳化硅層的規(guī)定深度的溝槽的工序。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供成品率提高了的半導體裝置及其制造方法。

技術特征：

1.一種半導體裝置的制造方法，其具備下述工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，基于(所述第四碳化硅層的膜厚d1)+((所述第三碳化硅層的膜厚d4)-((所述第二碳化硅層的第一膜厚d2)-(所述第二碳化硅層的第二膜厚d3)))/2，形成所述規(guī)定深度的溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在基于所述第四碳化硅層的膜厚d1、所述第二碳化硅層的第一膜厚d2、第二膜厚d3以及所述第三碳化硅層的膜厚d4而形成貫通所述第四碳化硅層并到達所述第三碳化硅層的所述規(guī)定深度的溝槽的工序之前，還具備下述工序：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在所述上表面，所述第一區(qū)域設置在所述第二區(qū)域的周圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述第一區(qū)域設置在所述半導體裝置的teg區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述第一區(qū)域設置在所述半導體裝置的劃線道。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述第一區(qū)域設置在所述半導體裝置的外周區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，從所述第一碳化硅層向所述第四碳化硅層的方向上的、所述第二碳化硅層的第一導電型雜質(zhì)的濃度分布具有多個峰。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，在形成所述第三碳化硅層之后且形成所述第四碳化硅層之前，還具備下述工序：在所述第三碳化硅層之上形成第一導電型雜質(zhì)濃度比所述第一碳化硅層及所述第四碳化硅層高的第七碳化硅層。

技術總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導體裝置的制造方法，其具備下述工序：在第一導電型的第一碳化硅層的上表面的第一區(qū)域形成第二碳化硅層的工序，所述第二碳化硅層的第一導電型雜質(zhì)密度與第一碳化硅層不同，且具有第一膜厚D2；在上表面的第二區(qū)域形成第二導電型的具有膜厚D4的第三碳化硅層的工序；在第一碳化硅層之上形成第四碳化硅層的工序，所述第四碳化硅層的第一導電型雜質(zhì)濃度比第二碳化硅層低，且具有膜厚D1；對形成了第四碳化硅層之后的、從第一碳化硅層向第四碳化硅層的方向上的第二碳化硅層的第二膜厚D3以及第四碳化硅層的膜厚D1進行測定的工序；以及基于第四碳化硅層的膜厚D1、第二碳化硅層的第一膜厚D2、第二膜厚D3以及第三碳化硅層的膜厚D4，形成貫通第四碳化硅層并到達第三碳化硅層的規(guī)定深度的溝槽的工序。

技術研發(fā)人員：清澤努
受保護的技術使用者：株式會社東芝
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/28