本公開(kāi)內(nèi)容的各方面一般涉及三維集成電路(3dic)器件，其包括具有雙側(cè)觸點(diǎn)或兩側(cè)觸點(diǎn)的晶體管器件，并且還包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)和全環(huán)繞柵極(gaa)器件中的雙側(cè)(例如，前側(cè)和/或背側(cè))觸點(diǎn)。

背景技術(shù)：

1、集成電路技術(shù)在通過(guò)小型化組件(諸如半導(dǎo)體晶體管)推進(jìn)算力方面取得了巨大的進(jìn)展。半導(dǎo)體的發(fā)展已經(jīng)從體襯底和平面cmos、finfet、納米線或納米帶、finfet?3d堆疊發(fā)展到納米線或納米帶3d堆疊。3dic是延續(xù)摩爾(more?moore)時(shí)代中的超大規(guī)模集成(vlsi)器件的主要趨勢(shì)之一。硅通孔是允許3d堆疊的重要工藝模塊。一種工業(yè)趨勢(shì)是使用硅通孔(tsv)或掩埋電源軌(bpr)垂直地堆疊有源芯片(例如，片上系統(tǒng)(soc)/高帶寬存儲(chǔ)器(hbm))。然而，常規(guī)觸點(diǎn)配置限制了對(duì)于在堆疊式配置中的高密度連接的能力。

2、因此，需要克服常規(guī)設(shè)計(jì)的缺陷的系統(tǒng)、裝置和方法，包括本文中在下面的公開(kāi)內(nèi)容中提供的用于finfet和全環(huán)繞柵極(gaa)器件的方法、系統(tǒng)和裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下呈現(xiàn)了與本文中公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)方面相關(guān)的簡(jiǎn)化
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
。因此，不應(yīng)將以下發(fā)明內(nèi)容視為與所有考量方面有關(guān)的泛泛綜述，也不應(yīng)將以下發(fā)明內(nèi)容視為識(shí)別與所有考量方面有關(guān)的關(guān)鍵或重要元素或視為描述與任何特定方面相關(guān)聯(lián)的范圍。因此，以下發(fā)明內(nèi)容的唯一目的是在以下呈現(xiàn)的具體實(shí)施方式之前以簡(jiǎn)要形式呈現(xiàn)與同本文中公開(kāi)的機(jī)制有關(guān)的一個(gè)或多個(gè)方面有關(guān)的某些概念。

2、一個(gè)或多個(gè)方面包括一種裝置，所述裝置包括晶體管，所述晶體管包括：漏極，所述漏極基本上被包圍在漏極硅化物層中，其中所述漏極硅化物層的集成漏極通孔部分被耦合到第二漏極觸點(diǎn)，并且其中第一漏極通孔將所述漏極硅化物層耦合到第一漏極觸點(diǎn)；源極，所述源極基本上被包圍在源極硅化物層中，其中所述源極硅化物層的集成源極通孔部分被耦合到第二源極觸點(diǎn)，并且其中第一源極通孔將所述源極硅化物層耦合到第一源極觸點(diǎn)；以及柵極，所述柵極被設(shè)置在所述源極和所述漏極之間。

3、一個(gè)或多個(gè)方面包括一種用于制造包括晶體管的裝置的方法，包括：形成基本上被包圍在漏極硅化物層中的漏極，其中所述漏極硅化物層的集成漏極通孔部分被耦合到第二漏極觸點(diǎn)，并且其中第一漏極通孔將所述漏極硅化物層耦合到第一漏極觸點(diǎn)；形成基本上被包圍在源極硅化物層中的源極，其中所述源極硅化物層的集成源極通孔部分被耦合到第二源極觸點(diǎn)，并且其中第一源極通孔將所述源極硅化物層耦合到第一源極觸點(diǎn)；以及形成被設(shè)置在所述源極和所述漏極之間的柵極。

4、基于附圖和具體實(shí)施方式，與本文中公開(kāi)的各方面相關(guān)聯(lián)的其它目的和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的。

技術(shù)特征：

1.一種包括晶體管的裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述集成源極通孔部分與所述第二源極觸點(diǎn)直接接觸，且所述集成漏極通孔部分與所述第二漏極觸點(diǎn)直接接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述漏極硅化物層和所述源極硅化物層各自具有基本上均勻的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述漏極硅化物層和所述源極硅化物層具有基本上相同的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述集成漏極通孔部分和所述集成源極通孔部分的厚度為約5nm到40nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述集成源極通孔部分與由第一背側(cè)金屬層的第一部分形成的所述第二源極觸點(diǎn)直接接觸，并且所述集成漏極通孔部分與由所述第一背側(cè)金屬層的第二部分形成的所述第二漏極觸點(diǎn)直接接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述晶體管是finfet或全環(huán)繞柵極(gaa)器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置包括音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)(iot)設(shè)備、膝上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、接入點(diǎn)、基站、或機(jī)動(dòng)車輛中的設(shè)備中的至少一項(xiàng)。

11.一種用于制作包括晶體管的裝置的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成源極通孔部分與所述第二源極觸點(diǎn)直接接觸，并且所述集成漏極通孔部分與所述第二漏極觸點(diǎn)直接接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述漏極硅化物層和所述源極硅化物層各自具有基本上均勻的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述漏極硅化物層和所述源極硅化物層具有基本上相同的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成漏極通孔部分和所述集成源極通孔部分的厚度為約5nm至40nm。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成漏極通孔部分被嵌入在所述漏極硅化物層中。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成漏極通孔部分是所述漏極硅化物層的延伸部分。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成源極通孔部分被嵌入在所述源極硅化物層中。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述集成源極通孔部分是所述源極硅化物層的延伸部分。

20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括：

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述集成源極通孔部分與由第一背側(cè)金屬層的第一部分形成的所述第二源極觸點(diǎn)直接接觸，并且所述集成漏極通孔部分與由所述第一背側(cè)金屬層的第二部分形成的所述第二漏極觸點(diǎn)直接接觸。

23.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述晶體管是finfet或全環(huán)繞柵極(gaa)器件。

24.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述裝置包括音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)(iot)設(shè)備、膝上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、接入點(diǎn)、基站、或機(jī)動(dòng)車輛中的設(shè)備中的至少一項(xiàng)。

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了包括晶體管的裝置及其制造方法。晶體管可以包括基本上被包圍在源極硅化物層/漏極硅化物層(124)中的源極/漏極(120)，其中源極硅化物層/漏極硅化物層(124)的集成源極通孔部分/集成漏極通孔部分(122)被直接耦合到器件的頂表面上的第二源極觸點(diǎn)/第二漏極觸點(diǎn)(104)，并且其中第一源極通孔/第一漏極通孔(134)將源極硅化物層/漏極硅化物層(124)耦合到器件的背側(cè)表面上的第一源極觸點(diǎn)/第一漏極觸點(diǎn)(144)。晶體管還可以包括被設(shè)置在源極和漏極之間的柵極。

技術(shù)研發(fā)人員：梁擎擎,H·楊,J·金,P·奇丹巴拉姆,G·P·伊姆圖恩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28