本發(fā)明涉及太陽能電池，具體涉及一種背接觸太陽能電池、光伏組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術：

1、背接觸(interdigitated?back?contact，ibc)太陽能電池，也即叉指型背接觸電池，其正/負電極柵線均設計于電池的背面，使得前表面徹底避免了金屬柵線的遮擋，杜絕了電極柵線遮擋所帶來的光學損失，同時電極柵線可設計的較現(xiàn)有更寬，降低了串聯(lián)電阻損失，從而大幅提高電池轉(zhuǎn)化效率。另外，由于電池正面無電極柵線的設計下，產(chǎn)品外觀更優(yōu)美，適合于多種應用場景。

2、現(xiàn)有技術中，背接觸太陽能電池的p型區(qū)域或n型區(qū)域整個區(qū)域通常為相同形貌的拋光面，會使得背接觸太陽能電池雙面率較低；但是，如果直接將p型區(qū)域及n型區(qū)域做成絨面，雖然可以提升電池雙面率，但會導致背面復合損失較大，且影響背面鈍化效果，會降低電池效率，因此難以實現(xiàn)提升雙面率且同時保持電池背面較小復合損失。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種背接觸太陽能電池，旨在解決現(xiàn)有技術的背接觸太陽能電池存在難以實現(xiàn)提升雙面率且同時保持電池背面較小復合損失的問題。

2、本發(fā)明提供一種背接觸太陽能電池，包括硅片，所述硅片的背面包括若干個第一區(qū)域，所述第一區(qū)域為p型區(qū)域或n型區(qū)域，至少一個所述第一區(qū)域包括第一形貌區(qū)域和第二形貌區(qū)域，所述第一形貌區(qū)域和所述第二形貌區(qū)域均為拋光面；

3、所述第一形貌區(qū)域包括若干個第一塔基，所述第二形貌區(qū)域包括若干個第二塔基，所述第一形貌區(qū)域的最大所述第一塔基的最長對角線長度小于所述第二形貌區(qū)域的最大所述第二塔基的最長對角線長度。

4、本發(fā)明提供的一種背接觸太陽能電池將硅片背面的至少一個第一區(qū)域設置成包括第一形貌區(qū)域和第二形貌區(qū)域，第一形貌區(qū)域和第二形貌區(qū)域均為拋光面，且第一形貌區(qū)域的最大第一塔基的最長對角線長度小于第二形貌區(qū)域的最大第二塔基的最長對角線長度，通過減小第一形貌區(qū)域的塔基尺寸，增加第一形貌區(qū)域的粗糙度，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率；而且，由于只需將呈拋光面的第一形貌區(qū)域的第一塔基尺寸相比第二形貌區(qū)域的第二塔基尺寸設置成更小，既可以提升電池雙面率，且同時保持背面較小的復合損失，減少對背面鈍化效果影響，實現(xiàn)兩方面效果平衡，可以有效提升電池背面效率，提升光伏組件的功率，增加光伏發(fā)電量。

5、優(yōu)選的，所述硅片的背面還包括若干個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域依次交替間隔設置，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域一者為p型區(qū)域，另一者為n型區(qū)域；

6、至少一個所述第二區(qū)域包括第三形貌區(qū)域和第四形貌區(qū)域，所述第三形貌區(qū)域和所述第四形貌區(qū)域均為拋光面；

7、所述第三形貌區(qū)域包括若干個第三塔基，所述第四形貌區(qū)域包括若干個第四塔基，所述第三形貌區(qū)域的最大所述第三塔基的最長對角線長度小于所述第四形貌區(qū)域的最大所述第四塔基的最長對角線長度。

8、本發(fā)明在第一區(qū)域設置第一形貌區(qū)域的前提下，進一步將至少一個第二區(qū)域設置成包括第三形貌區(qū)域和第四形貌區(qū)域，可以進一步提升電池雙面率，且保持較低背面復合損失，實現(xiàn)兩方面效果平衡，可以進一步提升電池背面效率，提升光伏組件的功率，增加光伏發(fā)電量。

9、優(yōu)選的，所述第一區(qū)域為p型區(qū)域，所述第二區(qū)域為n型區(qū)域；所述第一形貌區(qū)域的最大所述第一塔基的最長對角線長度大于所述第三形貌區(qū)域的最大所述第三塔基的最長對角線長度。

10、本發(fā)明的第一形貌區(qū)域的最大第一塔基的最長對角線長度大于第三形貌區(qū)域的最大第三塔基的最長對角線長度，使p型區(qū)域相比n型區(qū)域更加平坦，可以減小第一形貌區(qū)域的設置對p型區(qū)域鈍化影響，確保良好電池效率。

11、優(yōu)選的，所述第一形貌區(qū)域的面積小于或等于所述第二形貌區(qū)域的面積。

12、本發(fā)明通過控制第一形貌區(qū)域的面積小于或等于第二形貌區(qū)域的面積，在提升第一區(qū)域的背面光反射率的同時，使第一區(qū)域保持較低的表面復合損失，減少對第一區(qū)域背面鈍化效果影響，進一步實現(xiàn)兩方面效果平衡。

13、優(yōu)選的，所述第一區(qū)域為p型區(qū)域，所述第一形貌區(qū)域總面積占所述第一區(qū)域總面積的5％～50％。

14、本發(fā)明通過控制所述第一形貌區(qū)域總面積占所述第一區(qū)域總面積的5％～50％，降低p型區(qū)域背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保p型區(qū)域具有較小表面復合損失。

15、優(yōu)選的，所述第二區(qū)域為n型區(qū)域，所述第三形貌區(qū)域總面積占所述第二區(qū)域總面積的10％～70％。

16、本發(fā)明通過控制所述第三形貌區(qū)域總面積占所述第二區(qū)域總面積的10％～70％，降低第二區(qū)域背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保第二區(qū)域具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果。

17、優(yōu)選的，所述第一形貌區(qū)域和所述第三形貌區(qū)域的面積之和占所述硅片的背面面積的10％～48％。

18、本發(fā)明通過控制所述第一形貌區(qū)域和所述第三形貌區(qū)域的面積之和占所述硅片的背面面積的10％～48％，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保硅片的背面具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果，實現(xiàn)兩方面效果的平衡。

19、優(yōu)選的，所述第一區(qū)域為p型區(qū)域，所述第二區(qū)域為n型區(qū)域；所述第一形貌區(qū)域的面積小于所述第三形貌區(qū)域的面積，可以使p型區(qū)域的表面復合損失小于n型區(qū)域的表面復合損失，從而可以平衡p型區(qū)域的鈍化性能，進一步提升電池效率。

20、優(yōu)選的，所述第一形貌區(qū)域和所述第三形貌區(qū)域靠近所述硅片的邊緣設置，可以減小第一形貌區(qū)域和第三形貌區(qū)域帶來的復合損失，從而保持良好電池效率。

21、優(yōu)選的，至少一個所述第一區(qū)域包括多個所述第一形貌區(qū)域，多個所述第一形貌區(qū)域均勻間隔設置于所述第一區(qū)域內(nèi)，使兩種不同粗糙度的表面交替設置，多個第一形貌區(qū)域均勻分布，有利于進一步降低第一區(qū)域的表面復合損失。

22、優(yōu)選的，至少一個所述第二區(qū)域包括多個所述第三形貌區(qū)域，多個所述第三形貌區(qū)域均勻間隔設置于所述第二區(qū)域內(nèi)，使兩種不同粗糙度的表面交替設置，多個第三形貌區(qū)域均勻分布，有利于進一步降低第二區(qū)域的表面復合損失。

23、優(yōu)選的，所述第一形貌區(qū)域的最大所述第一塔基的最長對角線長度為5～20微米，所述第二形貌區(qū)域的最大所述第二塔基的最長對角線長度為10～40微米，使第一塔基和第二塔基的配合設計，既可以增加第一形貌區(qū)域的粗糙度，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保第一形貌區(qū)域和第二形貌區(qū)域均具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果。

24、優(yōu)選的，所述第三形貌區(qū)域的最大所述第三塔基的最長對角線長度為3～15微米，所述第四形貌區(qū)域的最大所述第四塔基的最長對角線長度為5～50微米，既可以增加第三形貌區(qū)域的粗糙度，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保第三形貌區(qū)域和第四形貌區(qū)域均具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果。

25、優(yōu)選的，所述第二形貌區(qū)域的最大所述第二塔基的最長對角線長度與所述第一形貌區(qū)域的最大所述第一塔基的最長對角線的比值為1.2～10，通過合理控制兩者比值范圍，第一塔基和第二塔基的對角線長度配合設計，既可以增加第一形貌區(qū)域的粗糙度，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保第一形貌區(qū)域和第二形貌區(qū)域均具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果。

26、優(yōu)選的，所述第四形貌區(qū)域的最大所述第四塔基的最長對角線與所述第三形貌區(qū)域的最大所述第三塔基的最長對角線長度的比值為1.2～18，使第三塔基和第四塔基的對角線長度配合設計，既可以增加第三形貌區(qū)域的粗糙度，降低硅片背面的光反射率，從而提升電池雙面率，且可以確保第三形貌區(qū)域和第四形貌區(qū)域均具有較小表面復合損失，具有較好的鈍化效果。

27、優(yōu)選的，所述硅片包括沿第一方向相對設置的第一邊緣和第二邊緣、沿第二方向相對設置的第三邊緣和第四邊緣，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域沿所述第一方向交替設置于所述硅片的背面；

28、靠近所述第一邊緣及靠近所述第二邊緣的所述第一區(qū)域均設置有所述第一形貌區(qū)域，靠近所述第一邊緣及靠近所述第二邊緣的所述第二區(qū)域均設置有所述第三形貌區(qū)域，且所述第一形貌區(qū)域與所述第三形貌區(qū)域在所述第二方向上呈錯位設置，使第一形貌區(qū)域與第三形貌區(qū)域的背面復合損失均勻分布，降低表面復合損失對電池帶來的影響，提升電池效率。

29、優(yōu)選的，位于所述硅片中間位置的至少一個所述第一區(qū)域設置有靠近所述第三邊緣的所述第一形貌區(qū)域，位于所述硅片中間位置的至少一個所述第二區(qū)域設置有靠近所述第四邊緣的所述第三形貌區(qū)域，可以進一步提升電池雙面率。

30、優(yōu)選的，靠近所述硅片中心位置的所述第一區(qū)域的所述第一形貌區(qū)域的面積小于靠近所述硅片邊緣位置的所述第一區(qū)域的所述第一形貌區(qū)域的面積，可以減小第一形貌區(qū)域設計對硅片的中間區(qū)域帶來的表面復合損失，從而更好平衡電池雙面率和表面復合損失。

31、優(yōu)選的，靠近所述硅片中心位置的所述第二區(qū)域的所述第三形貌區(qū)域的面積小于靠近所述硅片邊緣位置的所述第二區(qū)域的所述第三形貌區(qū)域的面積，可以減小第三形貌區(qū)域設計對硅片中間區(qū)域帶來的表面復合損失，從而更好平衡電池雙面率和表面復合損失。

32、本發(fā)明還提供一種光伏組件，包括上述的背接觸太陽能電池。

33、本發(fā)明還提供一種光伏系統(tǒng)，包括上述的光伏組件。