本發明涉及芯片，尤其涉及一種電容結構和包括該電容結構的芯片組件。

背景技術：

1、2.5d封裝作為高算力芯片封裝的一種解決方案，常常是把一顆主芯片和多顆存儲器芯片通過凸塊連接到轉接板上，芯片的電源需要外接電容以過濾高頻噪聲，芯片電源和外接電容之間的路徑，引入了額外的電阻和電感，影響電容的濾波性能，因此為盡可能減小引入的電阻和電感，最直接的方法就是縮短電容和芯片電源的路徑。目前對于2.5d封裝來說，可以通過在轉接板中加入深槽電容，但是在芯片堆疊之后，堆疊的較高的芯片和電容之間的距離仍然較大，因此影響電容的濾波性能，存在改進的空間。

技術實現思路

1、本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提出一種電容結構，所述電容結構可起到濾波作用，并可提升電容結構的濾波性能，以及，可提升第一元件與第二元件之間的連接可靠性。

2、根據本發明實施例的電容結構，所述電容結構用于安裝于第一元件和第二元件之間，且包括：結構主體，所述結構主體具有相互背離的第一表面和第二表面；電容體，所述電容體設于所述結構主體內，所述電容體連接有正極導電部和負極導電部，所述正極導電部和所述負極導電部均伸至所述第一表面且適于分別與所述第一元件電連接；電連接體，所述電連接體穿設于所述結構主體，所述電連接體的一端延伸至所述第一表面以用于與所述第一元件電連接，所述電連接體的另一端延伸至所述第二表面以用于與所述第二元件電連接。

3、根據本發明實施例的電容結構，通過將電容結構設于第一元件與第二元件之間，且將與電容體相連的正極導電部和負極導電部同時與第一元件相連，使電容結構可起到濾波作用，并可減小電容結構與第一元件之間的距離，提升電容結構的濾波性能，以及，通過電連接體可將第一元件上被電容結構遮擋的部分與第二元件相連，可提升二者之間的連接可靠性。

4、根據本發明一些實施例的電容結構，所述結構主體包括第一絕緣層、襯底層和第二絕緣層，所述襯底層設于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層背離彼此的表面分別構造為所述第一表面和所述第二表面，所述第一絕緣層和所述襯底層共同形成有容納空間，所述電容體位于所述容納空間內。

5、根據本發明一些實施例的電容結構，所述襯底層形成有朝向所述第一絕緣層敞開的第一容納沉槽，所述第一絕緣層形成有與所述第一容納沉槽連通的第二容納沉槽，所述電容體的一部分位于所述第一容納沉槽內，且所述電容體的另一部分位于所述第二容納沉槽內以與所述正極導電部和所述負極導電部相連。

6、根據本發明一些實施例的電容結構，所述第一容納沉槽為至少兩個，至少兩個間隔開且分別與所述第二容納沉槽連通，所述電容體包括至少兩個電容段，至少兩個所述電容段一一對應地容納于至少兩個所述第一容納沉槽內。

7、根據本發明一些實施例的電容結構，所述電容體與所述第一容納沉槽的內壁之間填充有絕緣層，和/或所述電容體與所述第二容納沉槽的內壁之間填充有絕緣層。

8、根據本發明一些實施例的電容結構，所述電容體包括正極層、中間絕緣層和負極層，所述正極層和所述負極層疊置分布，所述中間絕緣層設于所述正極層和所述負極層之間；其中，所述正極導電部為兩個且分別與所述正極層的兩端相連，所述負極導電部為兩個且分別與所述負極層的兩端相連。

9、根據本發明一些實施例的電容結構，所述電連接體包括依次相連的第一連接段、中間穿設段和第二連接段，所述中間穿設段穿設于所述襯底層，所述第一連接段位于所述第一絕緣層且用于與所述第一元件電連接，所述第二連接段位于所述第二絕緣層且用于與所述第二元件電連接。

10、根據本發明一些實施例的電容結構，所述電連接體為至少兩個，且至少兩個所述電連接體位于所述電容體的兩側。

11、本發明還提出了一種芯片組件。

12、根據本發明實施例的芯片組件，包括上述中任一種實施例所述的電容結構。

13、根據本發明一些實施例的芯片組件，還包括芯片和轉接板，所述電容結構設于所述芯片和所述轉接板之間，所述芯片構造為所述第一元件，所述轉接板構造為所述第二元件。

14、根據本發明一些實施例的芯片組件，所述芯片為多個，多個所述芯片層疊分布于所述轉接板的同一側；其中，相鄰兩個所述芯片之間設有所述電容結構，相鄰兩個所述芯片中遠離所述轉接板的一個構造為所述第一元件，且靠近所述轉接板的一個構造所述第二元件。

15、所述芯片組件和上述的電容結構相對于現有技術所具有的優勢相同，在此不作贅述。

16、本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。

技術特征：

1.一種電容結構，其特征在于，所述電容結構用于安裝于第一元件和第二元件之間，且包括：

2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述結構主體包括第一絕緣層、襯底層和第二絕緣層，所述襯底層設于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層背離彼此的表面分別構造為所述第一表面和所述第二表面，所述第一絕緣層和所述襯底層共同形成有容納空間，所述電容體位于所述容納空間內。

3.根據權利要求2所述的電容結構，其特征在于，所述襯底層形成有朝向所述第一絕緣層敞開的第一容納沉槽，所述第一絕緣層形成有與所述第一容納沉槽連通的第二容納沉槽，所述電容體的一部分位于所述第一容納沉槽內，且所述電容體的另一部分位于所述第二容納沉槽內以與所述正極導電部和所述負極導電部相連。

4.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述第一容納沉槽為至少兩個，至少兩個間隔開且分別與所述第二容納沉槽連通，所述電容體包括至少兩個電容段，至少兩個所述電容段一一對應地容納于至少兩個所述第一容納沉槽內。

5.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述電容體與所述第一容納沉槽的內壁之間填充有絕緣層，和/或所述電容體與所述第二容納沉槽的內壁之間填充有絕緣層。

6.根據權利要求2所述的電容結構，其特征在于，所述電容體包括正極層、中間絕緣層和負極層，所述正極層和所述負極層疊置分布，所述中間絕緣層設于所述正極層和所述負極層之間；

7.根據權利要求2所述的電容結構，其特征在于，所述電連接體包括依次相連的第一連接段、中間穿設段和第二連接段，所述中間穿設段穿設于所述襯底層，所述第一連接段位于所述第一絕緣層且用于與所述第一元件電連接，所述第二連接段位于所述第二絕緣層且用于與所述第二元件電連接。

8.根據權利要求1-6中任一項所述的電容結構，其特征在于，所述電連接體為至少兩個，且至少兩個所述電連接體位于所述電容體的兩側。

9.一種芯片組件，其特征在于，包括權利要求1-8中任一項所述的電容結構。

10.根據權利要求9所述的芯片組件，其特征在于，還包括芯片和轉接板，所述電容結構設于所述芯片和所述轉接板之間，所述芯片構造為所述第一元件，所述轉接板構造為所述第二元件。

11.根據權利要求10所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片為多個，多個所述芯片層疊分布于所述轉接板的同一側；

技術總結
本發明公開了一種電容結構和芯片組件，電容結構用于安裝于第一元件和第二元件之間，且包括：結構主體，結構主體具有相互背離的第一表面和第二表面；電容體，電容體設于結構主體內，電容體連接有正極導電部和負極導電部，正極導電部和負極導電部均伸至第一表面且適于分別與第一元件電連接；電連接體，電連接體穿設于結構主體，電連接體的一端用于與第一元件電連接，電連接體的另一端用于與第二元件電連接。本發明實施例的電容結構，通過將電容結構設于第一元件與第二元件之間，且將與電容體相連的正極導電部和負極導電部同時與第一元件相連，使電容結構可起到濾波作用，并可減小電容結構與第一元件之間的距離，提升電容結構的濾波性能。

技術研發人員：王旭,周晟娟,任春雄
受保護的技術使用者：上海清華國際創新中心
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28