本發(fā)明屬于半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體涉及一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法及裝置。

背景技術(shù)：

1、超高頻晶片是石英晶振的一種，具有高精度、低功耗、低延時(shí)等特點(diǎn)。隨著電子設(shè)備的算力與傳輸速率提升，超高頻晶片需求增加，廣泛應(yīng)用于5g通訊、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子及汽車等領(lǐng)域。它是數(shù)字電路的“心臟”，提供精準(zhǔn)時(shí)鐘源信號(hào)，確保數(shù)字處理器、模數(shù)轉(zhuǎn)換等芯片穩(wěn)定運(yùn)行。近年來，超高頻晶片不斷迭代升級(jí)，成為推動(dòng)電子產(chǎn)品小型化、智能化的關(guān)鍵元件。

2、由于壓電振動(dòng)片的小型化高穩(wěn)定性要求發(fā)展趨勢(shì)，傳統(tǒng)的研磨石英晶片的精度及穩(wěn)定性很難達(dá)到當(dāng)下的終端市場(chǎng)需求，超高頻晶片的需求變大，但目前超高頻的晶片制備存在諸多難點(diǎn)，例如：晶片在生產(chǎn)過程中因?yàn)殄兡べ|(zhì)量的不同，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低并且產(chǎn)量難以提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的就在于解決晶片在生產(chǎn)過程中因?yàn)殄兡べ|(zhì)量的不同，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低并且產(chǎn)量難以提升的問題，而提出一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法及裝置。

2、在本發(fā)明實(shí)施的第一方面，首先提出一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，所述方法包括：

3、確定鍍膜晶圓的目標(biāo)區(qū)域，對(duì)所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行劃分得到多個(gè)待檢測(cè)區(qū)域，并獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率；

4、若區(qū)域振動(dòng)頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值，則將該待檢測(cè)區(qū)域判定為異常區(qū)域并添加特征碼，將該區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)；

5、根據(jù)所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，并根據(jù)所述工作參數(shù)對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行刻蝕。

6、可選的，獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率，包括：

7、獲取原始晶圓并識(shí)別所述原始晶圓上的預(yù)設(shè)坐標(biāo)，根據(jù)所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)對(duì)所述原始晶圓進(jìn)行固定；

8、獲取檢測(cè)指令并將所述檢測(cè)指令發(fā)送至控制系統(tǒng)，以使控制系統(tǒng)控制上下電極進(jìn)行放電得到所述原始晶圓的振動(dòng)信號(hào)；

9、將所述振動(dòng)信號(hào)通過預(yù)處理后得到區(qū)域振動(dòng)頻率。

10、可選的，根據(jù)所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，包括：

11、初始化激光刻蝕設(shè)備，根據(jù)目標(biāo)頻率更新所述激光刻蝕設(shè)備的目標(biāo)值；

12、獲取所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)鍍膜晶圓的特征碼，根據(jù)特征碼確定各異常區(qū)域的工作參數(shù)，通過目標(biāo)偏頻確定是否執(zhí)行激光刻蝕命令。

13、可選的，根據(jù)特征碼確定各異常區(qū)域的工作參數(shù)，包括：

14、獲取原始晶片的第一振動(dòng)頻率和鍍膜晶片的第二振動(dòng)頻率，根據(jù)第一振動(dòng)頻率和第二振動(dòng)頻率計(jì)算得到鍍膜厚度；晶片與異常區(qū)域是一一對(duì)應(yīng)的；

15、根據(jù)鍍膜晶片的特征碼確定鍍層密度和校正面積，根據(jù)鍍膜厚度、鍍層密度和校正面積計(jì)算得到校正質(zhì)量；

16、獲取鍍膜晶片的原始面積，根據(jù)第二振動(dòng)頻率、原始面積和校正質(zhì)量計(jì)算得到目標(biāo)頻率，根據(jù)校正質(zhì)量和目標(biāo)頻率確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)。

17、可選的，通過目標(biāo)偏頻確定是否執(zhí)行激光刻蝕命令，包括：

18、根據(jù)第二振動(dòng)頻率和目標(biāo)頻率計(jì)算得到目標(biāo)偏頻，根據(jù)偏頻判斷晶片是否為不良品；

19、若目標(biāo)偏頻大于偏頻閾值，或，校正面積大于原始面積，則將該晶片判斷為不良品，并將該異常區(qū)域進(jìn)行剔除，否則，執(zhí)行激光刻蝕命令。

20、在本發(fā)明實(shí)施的第二方面，提出一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，包括：區(qū)域檢測(cè)模塊、特征上傳模塊和區(qū)域刻蝕模塊：

21、所述區(qū)域檢測(cè)模塊，用于確定鍍膜晶圓的目標(biāo)區(qū)域，對(duì)所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行劃分得到多個(gè)待檢測(cè)區(qū)域，并獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率；

22、所述特征上傳模塊，用于若區(qū)域振動(dòng)頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值，則將該待檢測(cè)區(qū)域判定為異常區(qū)域并添加特征碼，將該區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)；

23、所述區(qū)域刻蝕模塊，用于根據(jù)所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，并根據(jù)所述工作參數(shù)對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行刻蝕。

24、可選的，所述區(qū)域檢測(cè)模塊還包括：晶圓定位模塊、控制放電模塊和頻率獲取模塊：

25、所述晶圓定位模塊，用于獲取原始晶圓并識(shí)別所述原始晶圓上的預(yù)設(shè)坐標(biāo)，根據(jù)所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)對(duì)所述原始晶圓進(jìn)行固定；

26、所述控制放電模塊，用于獲取檢測(cè)指令并將所述檢測(cè)指令發(fā)送至控制系統(tǒng)，以使控制系統(tǒng)控制上下電極進(jìn)行放電得到所述原始晶圓的振動(dòng)信號(hào)；

27、所述頻率獲取模塊，用于將所述振動(dòng)信號(hào)通過預(yù)處理后得到區(qū)域振動(dòng)頻率。

28、可選的，所述區(qū)域刻蝕模塊還包括：設(shè)備初始化模塊和工作參數(shù)更新模塊:

29、所述設(shè)備初始化模塊，用于初始化激光刻蝕設(shè)備，根據(jù)目標(biāo)頻率更新所述激光刻蝕設(shè)備的目標(biāo)值；

30、所述工作參數(shù)更新模塊，用于獲取所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)鍍膜晶圓的特征碼，根據(jù)特征碼確定各異常區(qū)域的工作參數(shù)，通過目標(biāo)偏頻確定是否執(zhí)行激光刻蝕命令。

31、可選的，所述工作參數(shù)更新模塊還包括：鍍膜厚度獲取模塊、校正質(zhì)量獲取模塊和工作參數(shù)確定模塊：

32、所述鍍膜厚度獲取模塊，用于獲取原始晶片的第一振動(dòng)頻率和鍍膜晶片的第二振動(dòng)頻率，根據(jù)第一振動(dòng)頻率和第二振動(dòng)頻率計(jì)算得到鍍膜厚度；晶片與異常區(qū)域是一一對(duì)應(yīng)的；

33、所述校正質(zhì)量獲取模塊，用于根據(jù)鍍膜晶片的特征碼確定鍍層密度和校正面積，根據(jù)鍍膜厚度、鍍層密度和校正面積計(jì)算得到校正質(zhì)量；

34、所述工作參數(shù)確定模塊，用于獲取鍍膜晶片的原始面積，根據(jù)第二振動(dòng)頻率、原始面積和校正質(zhì)量計(jì)算得到目標(biāo)頻率，根據(jù)校正質(zhì)量和目標(biāo)頻率確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)。

35、可選的，所述工作參數(shù)更新模塊還包括：良品判斷模塊和刻蝕執(zhí)行模塊：

36、所述良品判斷模塊，用于根據(jù)第二振動(dòng)頻率和目標(biāo)頻率計(jì)算得到目標(biāo)偏頻，根據(jù)偏頻判斷晶片是否為不良品；

37、所述刻蝕執(zhí)行模塊，用于若目標(biāo)偏頻大于偏頻閾值，或，校正面積大于原始面積，則將該晶片判斷為不良品，并將該異常區(qū)域進(jìn)行剔除，否則，執(zhí)行激光刻蝕命令。

38、本發(fā)明的有益效果：

39、本發(fā)明提出了一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，通過確定鍍膜晶圓的目標(biāo)區(qū)域，對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行劃分得到多個(gè)待檢測(cè)區(qū)域，并獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率；若區(qū)域振動(dòng)頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值，則將該待檢測(cè)區(qū)域判定為異常區(qū)域并添加特征碼，將該區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)；根據(jù)特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，并根據(jù)工作參數(shù)對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行刻蝕；檢測(cè)各待檢測(cè)區(qū)域的振動(dòng)頻率，識(shí)別出振動(dòng)頻率異常的區(qū)域，并為其添加特征碼，將區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)異常區(qū)域的快速識(shí)別與智能標(biāo)記，為后續(xù)的激光刻蝕設(shè)備工作參數(shù)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持，確保刻蝕操作的準(zhǔn)確性和高效性。區(qū)別于其他頻率調(diào)整設(shè)備之處在于可以對(duì)整張wafer片上所有產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)整，其他的頻率調(diào)整只能針對(duì)單個(gè)產(chǎn)品。

技術(shù)特征：

1.一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，其特征在于，獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，其特征在于，根據(jù)所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，其特征在于，根據(jù)特征碼確定各異常區(qū)域的工作參數(shù)，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法，其特征在于，通過目標(biāo)偏頻確定是否執(zhí)行激光刻蝕命令，包括：

6.一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：區(qū)域檢測(cè)模塊、特征上傳模塊和區(qū)域刻蝕模塊：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，其特征在于，所述區(qū)域檢測(cè)模塊還包括：晶圓定位模塊、控制放電模塊和頻率獲取模塊：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，其特征在于，所述區(qū)域刻蝕模塊還包括：設(shè)備初始化模塊和工作參數(shù)更新模塊:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，其特征在于，所述工作參數(shù)更新模塊還包括：鍍膜厚度獲取模塊、校正質(zhì)量獲取模塊和工作參數(shù)確定模塊：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制裝置，其特征在于，所述工作參數(shù)更新模塊還包括：良品判斷模塊和刻蝕執(zhí)行模塊：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種超高頻晶片的頻率調(diào)整控制方法及裝置，涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域；確定鍍膜晶圓的目標(biāo)區(qū)域，對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行劃分得到多個(gè)待檢測(cè)區(qū)域，并獲取待檢測(cè)區(qū)域的區(qū)域振動(dòng)頻率；若區(qū)域振動(dòng)頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值，則將該待檢測(cè)區(qū)域判定為異常區(qū)域并添加特征碼，將該區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)；根據(jù)特征數(shù)據(jù)庫(kù)確定激光刻蝕設(shè)備的工作參數(shù)，并根據(jù)工作參數(shù)對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行刻蝕；檢測(cè)各待檢測(cè)區(qū)域的振動(dòng)頻率，識(shí)別出振動(dòng)頻率異常的區(qū)域，并為其添加特征碼，將區(qū)域振動(dòng)頻率和特征碼上傳至特征數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)異常區(qū)域的快速識(shí)別與智能標(biāo)記，為后續(xù)的激光刻蝕設(shè)備工作參數(shù)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持，確保刻蝕操作的準(zhǔn)確性和高效性。

技術(shù)研發(fā)人員：曹瑞,查曉兵,許韋,董書霞,丁一奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥晶威特電子有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28