1.一種空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的空穴傳輸層的制備方法，其特征在于：所述自組裝分子材料包括meo-2pacz、2pacz及me-4pacz中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的空穴傳輸層的制備方法，其特征在于：所述金屬氧化物納米顆粒包括nio納米顆粒、cuo納米顆粒、v2o5納米顆粒、wo3納米顆粒及zno納米顆粒中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的空穴傳輸層的制備方法，其特征在于：所述第一溶液中所述自組裝分子材料的濃度范圍是0.1～5mg/ml，所述第二溶液中所述金屬氧化物納米顆粒的濃度范圍是1～10mg/ml，且所述第一溶液與所述第二溶液的體積比為(1～10)：1。
5.根據權利要求1所述的空穴傳輸層的制備方法，其特征在于：所述退火處理的溫度范圍是100～250℃，所述退火處理的時間范圍是10～30分鐘。
6.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述鈣鈦礦吸收層材料的結構通式為abx3，其中，a為ma+、fa+、cs+中的任意一種或至少兩種的組合，b為pb2+、sn2+、ge2+中的任意一種或至少兩種的組合，x為f-、cl-、i-、br-中的任意一種或至少兩種的組合。
8.根據權利要求6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述基底包括透明導電玻璃或硅異質結底電池。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述硅異質結底電池包括自下而上依次層疊的背透明導電層、p型非晶硅層、第二本征非晶硅層、n型硅襯底層、第一本征非晶硅層、n型非晶硅層及中間透明導電層，且所述空穴傳輸層至少覆蓋所述中間透明導電層。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：當所述基底為硅異質結底電池時，還包括在所述背透明導電層遠離所述中間透明導電層的一側形成底電極的步驟。
11.根據權利要求9所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：當所述基底為硅異質結底電池時，還包括在所述電子傳輸層與所述頂電極之間形成前透明導電層的步驟。
12.一種太陽能電池結構，其特征在于：所述太陽能電池結構包括依次層疊的基底、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸收層、電子傳輸層及頂電極，其中，所述太陽能電池結構采用權利要求6～11任意一項所述的太陽能電池的制備方法得到。