本申請涉及顯示,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù):
1、有機(jī)電致發(fā)光器件(organic?light-emitting?diode,oled)作為一種新型的發(fā)光器件在顯示和照明領(lǐng)域體現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力,因而受到了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的強(qiáng)烈關(guān)注。在顯示領(lǐng)域,有機(jī)電致發(fā)光器件相對于液晶顯示面板(lcd)具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。在相關(guān)技術(shù)中,受oled顯示面板的全反射效應(yīng),導(dǎo)致oled顯示面板出光效率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本申請的目的在于提出一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,以解決背景技術(shù)中部分或全部的技術(shù)問題。
2、基于上述目的,本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板,包括:
3、襯底基板;
4、驅(qū)動功能層,設(shè)置在所述襯底基板上;
5、第一電極層,設(shè)置在所述驅(qū)動功能層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
6、發(fā)光功能層,設(shè)置在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
7、第二電極層,設(shè)置在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第一電極層的一側(cè);
8、光取出層,設(shè)置在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè),所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)為第一非平面結(jié)構(gòu);
9、封裝層,設(shè)置在所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè),所述封裝層遠(yuǎn)離所述光取出層的一側(cè)為第二非平面結(jié)構(gòu);
10、其中,所述第一非平面結(jié)構(gòu)與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的形貌不同。
11、可選地,所述第一非平面結(jié)構(gòu)和所述第二非平面結(jié)構(gòu)呈凹凸形狀,所述第一非平面結(jié)構(gòu)的凹凸形狀與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的凹凸形狀存在以下關(guān)系的至少其一:
12、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部在所述襯底基板上的正投影僅部分重疊或均不重疊;
13、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部在所述襯底基板上的正投影僅部分重疊或均不重疊;
14、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部的深度不同;
15、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部的高度不同;
16、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凹部的截面形狀不同;
17、所述第一非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的多個凸部的截面形狀不同。
18、可選地,所述光取出層的厚度大于40nm。
19、可選地,所述光取出層包括第一材料和第二材料,所述第一材料和所述第二材料為熱膨脹材料,所述第一材料的熱膨脹系數(shù)大于所述第二材料的熱膨脹系數(shù)。
20、可選地,所述第一材料和所述第二材料的比例為1:1;和/或
21、所述第一材料包括有機(jī)材料,所述第二材料包括金屬或有機(jī)金屬配合物。
22、可選地,所述第一材料包括n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺,所述第二材料包括8-羥基喹啉鋁,所述封裝層包括氧化硅。
23、可選地,所述封裝層的厚度大于0.5μm。
24、基于同一發(fā)明構(gòu)思,本申請還提供了一種顯示面板制作方法,包括:
25、在襯底基板上依次形成驅(qū)動功能層、第一電極層、發(fā)光功能層和第二電極層;
26、在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)形成光取出層,并在所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一非平面結(jié)構(gòu);
27、在所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成封裝層,并在所述封裝層遠(yuǎn)離所述光取出層的一側(cè)形成第二非平面結(jié)構(gòu),其中,所述第一非平面結(jié)構(gòu)與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的形貌不同。
28、可選地,在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)形成光取出層,并在所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一非平面結(jié)構(gòu),包括:
29、采用第一材料和第二材料按照預(yù)設(shè)比例在第二電極層上進(jìn)行蒸鍍以形成所述光取出層,并按照預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)加熱時(shí)間對所述光取出層進(jìn)行加熱,使所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成所述第一非平面結(jié)構(gòu)。
30、可選地,所述預(yù)設(shè)比例為1:1;和/或,所述預(yù)設(shè)溫度為90℃;和/或,所述預(yù)設(shè)加熱時(shí)間為大于或等于20min。
31、可選地,在所述封裝層遠(yuǎn)離所述光取出層的一側(cè)形成第二非平面結(jié)構(gòu),包括:
32、利用等離子轟擊方法對所述封裝層進(jìn)行轟擊,使所述封裝層遠(yuǎn)離所述光取出層的一側(cè)形成所述第二非平面結(jié)構(gòu)。
33、基于同一發(fā)明構(gòu)思,本申請還提供了一種顯示裝置,包括如上述任一權(quán)利要求所述的顯示面板。
34、從上面所述可以看出,本申請?zhí)峁┑囊环N顯示面板及其制作方法、顯示裝置,所述顯示面板包括:襯底基板、驅(qū)動功能層、第一電極層、第二電極層、發(fā)光功能層、第二電極層、光取出層和封裝層,通過在襯底基板上依次形成驅(qū)動功能層、第一電極層、發(fā)光功能層和第二電極層,在第二電極層遠(yuǎn)離發(fā)光功能層的一些形成光取出層,并在光取出層遠(yuǎn)離第二電極層的一側(cè)形成第一非平面結(jié)構(gòu),這樣,第一非平面結(jié)構(gòu)可以改變發(fā)光功能層出射的光的角度,進(jìn)而可以減少光的全反射;在光取出層遠(yuǎn)離第二電極層的一側(cè)形成封裝成,并在封裝層遠(yuǎn)離光取出層的一側(cè)形成第二非平面結(jié)構(gòu),且第一非平面結(jié)構(gòu)與第二非平面結(jié)構(gòu)的形貌不同,這樣,在第一非平面結(jié)構(gòu)改變了出射光的角度的基礎(chǔ)上,通過第二非平面結(jié)構(gòu)進(jìn)一步將部分可能發(fā)生全反射的光進(jìn)行折射,進(jìn)而增加折射光,進(jìn)一步地提高了顯示面板的出光率。
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一非平面結(jié)構(gòu)和所述第二非平面結(jié)構(gòu)呈凹凸形狀,所述第一非平面結(jié)構(gòu)的凹凸形狀與所述第二非平面結(jié)構(gòu)的凹凸形狀存在以下關(guān)系的至少其一:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述光取出層的厚度大于40nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述光取出層包括第一材料和第二材料,所述第一材料和所述第二材料為熱膨脹材料,所述第一材料的熱膨脹系數(shù)大于所述第二材料的熱膨脹系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一材料和所述第二材料的比例為1:1;和/或
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一材料包括n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺,所述第二材料包括8-羥基喹啉鋁,所述封裝層包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝層的厚度大于0.5μm。
8.一種顯示面板制作方法,其特征在于,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)形成光取出層,并在所述光取出層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一非平面結(jié)構(gòu),包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)比例為1:1;和/或,所述預(yù)設(shè)溫度為90℃;和/或,所述預(yù)設(shè)加熱時(shí)間為大于或等于20min。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,在所述封裝層遠(yuǎn)離所述光取出層的一側(cè)形成第二非平面結(jié)構(gòu),包括:
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的顯示面板。