本發明涉及顯示，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術：

1、有機發光二極管(organic?light?emitting?display，oled)以及基于發光二極管(light?emitting?diode，led)等技術的平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、筆記本電腦和臺式電腦等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

2、但目前的顯示面板中，難以兼顧陣列基板的厚度和空間利用率。

技術實現思路

1、本發明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以在保證陣列基板厚度較低的同時，提升空間利用率。

2、第一方面，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括：層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；

3、其中，所述第二金屬層和所述第三金屬層之間設置有輔助金屬層；所述輔助金屬層與所述第三金屬層之間設置有第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層包括無機材料，所述第一層間絕緣層的厚度小于或等于

4、可選地，所述第三金屬層的材料包括鈦鋁鈦；所述輔助金屬層的材料包括鉬；

5、所述第一層間絕緣層的材料包括：氧化硅和/或氮化硅；

6、優選地，所述第一層間絕緣層的厚度大于或等于

7、優選地，所述第一層間絕緣層的厚度范圍為

8、優選地，所述第一層間絕緣層的厚度為

9、可選地，所述輔助金屬層與所述第二金屬層之間設置有第二層間絕緣層；所述第二層間絕緣層采用無機材料制備；所述第二層間絕緣層的厚度小于或等于

10、優選地，所述第二層間絕緣層的厚度大于或等于

11、優選地，所述第二層間絕緣層的材料包括：氧化硅和/或氮化硅；

12、優選地，所述第二層間絕緣層包括層疊設置的至少一個氮化硅子層和至少一個氧化硅子層。

13、可選地，陣列基板，還包括：

14、有源層，設置于所述第一金屬層遠離所述第二金屬層的一側；

15、柵極絕緣層，設置于所述有源層和所述第一金屬層之間；

16、電容絕緣層，設置于所述第一金屬層與所述第二金屬層之間；

17、多個過孔結構，所述過孔結構用于實現所述有源層、所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述輔助金屬層和所述第三金屬層中任意不同兩層之間的電連接；

18、優選地，所述第三金屬層中包括數據線和電源線；

19、優選地，所述輔助金屬層中包括用于形成像素電路中的存儲電容的電容極板。

20、可選地，所述第三金屬層與第一目標層之間的過孔結構包括：

21、第一過孔，貫通所述第一層間絕緣層，用于實現所述第三金屬層與所述輔助金屬層之間的電連接；

22、第二過孔，貫通所述輔助金屬層與所述第一目標層之間的所有膜層，用于實現所述輔助金屬層與所述第一目標層之間的電連接；其中，所述第一目標層為所述有源層、所述第一金屬層或所述第二金屬層；

23、設置于所述輔助金屬層的跨線，連接所述第一過孔和所述第二過孔；

24、或者，

25、所述第三金屬層與第二目標層之間的過孔結構包括：

26、第三過孔，貫通所述第三金屬層與所述第二目標層之間的所有膜層，用于實現所述第三金屬層與所述第二目標層之間的電連接；其中，所述第二目標層為所述有源層、所述第一金屬層、所述第二金屬層或所述輔助金屬層。

27、可選地，所述輔助金屬層與第三目標層之間的過孔結構包括：

28、第四過孔，貫通所述輔助金屬層與所述第三目標層之間的所有膜層，用于實現所述輔助金屬層與所述第三目標層之間的電連接；其中，所述第三目標層為所述有源層、所述第一金屬層或所述第二金屬層。

29、第二方面，本發明實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，用于制備本發明任意實施例所提供的陣列基板；所述陣列基板的制備方法包括：

30、制備層疊設置的第一金屬層和第二金屬層；

31、在所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一側制備輔助金屬層；

32、在所述輔助金屬層遠離所述第二金屬層的一側制備第一層間絕緣層；其中，所述第一層間絕緣層采用無機材料制備，所述第一層間絕緣層的厚度小于或等于

33、在所述第一層間絕緣層遠離所述輔助金屬層的一側制備第三金屬層。

34、可選地，在所述制備層疊設置的第一金屬層和第二金屬層之前，還包括：

35、提供一襯底；

36、在所述襯底一側依次制備層疊設置的有源層和柵極絕緣層；其中，第一金屬層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底的一側；

37、在所述制備層疊設置的第一金屬層和第二金屬層之后，還包括：

38、在所述第二金屬層遠離所述襯底的一側制備第二層間絕緣層；其中，所述輔助金屬層設置于所述第二層間絕緣層遠離所述襯底的一側。

39、可選地，所述輔助金屬層通過過孔連接所述有源層、所述第一金屬層和所述第二金屬層中的至少一層；在所述第二金屬層遠離所述襯底的一側制備第二層間絕緣層，包括：

40、采用掩膜工藝制備所述第二層間絕緣層，以形成用于連通所述輔助金屬層至所述有源層、所述第一金屬層和所述第二金屬層中的至少一層的過孔；

41、和/或，

42、所述第三金屬層通過過孔連接所述有源層、所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述輔助金屬層中的至少一層；在所述輔助金屬層遠離所述第二金屬層的一側制備第一層間絕緣層，包括：

43、采用掩膜工藝制備所述第一層間絕緣層，以形成用于連通所述第三金屬層至所述有源層、所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述輔助金屬層中的至少一層的過孔。

44、第三方面，本發明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發明任意實施例所提供的陣列基板。

45、本發明實施例提供的陣列基板中，通過在第二金屬層和第三金屬層之間增設輔助金屬層，相當于提供了4層金屬層的結構，可以為像素電路的布線和過孔連接提供更多的靈活度；并且，通過縱向增加金屬層的數量，可以提升空間利用率，為信號線加寬和電容極板加大提供空間，有利于提升像素電路性能，進而提升顯示效果。并且，輔助金屬層和第三金屬層之間采用厚度小于或等于的第一層間絕緣層，相比于采用有機絕緣層，可使得陣列基板的厚度較??；同時可有效減小第三金屬層向下方各金屬層的連接過孔的深度，降低過孔刻蝕難度，提升連接可靠性；以及，第三金屬層距離下方金屬層之間的距離減小，可增大在第三金屬層設置像素電路中電容的極板的可行性。因此，本發明實施例可以在保證陣列基板厚度較低的同時，提升空間利用率，有利于提升像素電路性能，進而提升顯示面板顯示效果。

46、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本發明的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本發明的范圍。本發明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層的材料包括鈦鋁鈦；所述輔助金屬層的材料包括鉬；

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助金屬層與所述第二金屬層之間設置有第二層間絕緣層；所述第二層間絕緣層的材料包括無機材料；所述第二層間絕緣層的厚度小于或等于

4.根據權利要求1-3中任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層與第一目標層之間的過孔結構包括：

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助金屬層與第三目標層之間的過孔結構包括：

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述制備層疊設置的第一金屬層和第二金屬層之前，還包括：

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述輔助金屬層通過過孔連接所述有源層、所述第一金屬層和所述第二金屬層中的至少一層；在所述第二金屬層遠離所述襯底的一側制備第二層間絕緣層的步驟，包括：

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-6中任一項所述的陣列基板。

技術總結
本發明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，屬于顯示技術領域。陣列基板包括：層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；其中，所述第二金屬層和所述第三金屬層之間設置有輔助金屬層；所述輔助金屬層與所述第三金屬層之間設置有第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層采用無機材料制備，所述第一層間絕緣層的厚度小于或等于本發明實施例可以在保證陣列基板厚度較低的同時，提升空間利用率。

技術研發人員：許傳志,吳勇,金玉,周至奕,徐偉齊
受保護的技術使用者：昆山國顯光電有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28