本申請涉及半導體集成電路制造，具體涉及一種etox?nor閃存的制造方法。

背景技術：

1、etox?nor閃存的存儲單元包括位于有源區上的浮柵多晶硅層和形成于該浮柵多晶硅層上的控制柵多晶硅層，該浮柵多晶硅層和控制柵多晶硅層之間形成有多晶硅間介質層，該存儲單元的外表面形成有側墻結構。

2、相關技術在制造etox?nor閃存過程中，通常采用快速熱退火工藝制造形成該側墻結構，但是快速熱退火工藝會使得該浮柵多晶硅和控制柵多晶硅的尖角位置被過氧化形成鳥嘴結構，該鳥嘴結構不利于器件的性能。

技術實現思路

1、本申請提供了一種etox?nor閃存的制造方法，可以解決相關技術會使得浮柵多晶硅和控制柵多晶硅的尖角被過氧化形成鳥嘴結構的問題。

2、為了解決背景技術中的技術問題，本申請提供一種etox?nor閃存的制造方法，所述etox?nor閃存的制造方法包括以下步驟：

3、提供半導體基底層；

4、在所述半導體基底層上形成存儲單元，相鄰存儲單元之間相間隔，所述存儲單元包括由下至上依次層疊的浮柵氧化層、浮柵多晶硅層、多晶硅間介質層和控制柵多晶硅層；

5、通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構；

6、通過快速熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面，在所述第一側墻結構上形成第二側墻；

7、對有源區進行快速熱退火；

8、對相鄰存儲單元之間的間隔進行介質層填充。

9、可選地，在700℃至900℃溫度，在氧化氣氛環境下，進行5s至90s時長的快速熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面，在所述第一側墻結構上形成第二側墻。

10、可選地，所述第二側墻的厚度為至

11、可選地，所述通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構的步驟，包括：

12、在700℃至900℃溫度下，在氧化氣體的氣氛環境下，進行60min至300min時長的高溫熱氧化工藝，氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構。

13、可選地，所述第一側墻結構的厚度為至

14、可選地，所述通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構的步驟，包括：

15、在700℃至900℃溫度下，通入硅源氣體，在所述存儲單元的表面淀積形成補償多晶硅層；

16、在700℃至900℃溫度，在氧化氣氛環境下，進行60min至300min時長的高溫熱氧化工藝，在所述補償多晶硅層的表面形成第一側墻結構。

17、可選地，所述對有源區進行快速熱退火的步驟包括：

18、在900℃至1200℃溫度下，在包括惰性氣體的氣氛環境中對有源區進行5s至90s時長的快速熱退火。

19、本申請技術方案，至少包括如下優點：本實施例通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成的第一側墻結構能夠避免對控制柵多晶硅層的側表面和浮柵多晶硅層側表面的尖角位置處造成過氧化，即避免形成鳥嘴結構，提高器件性能。

技術特征：

1.一種etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述etox?nor閃存的制造方法包括以下步驟：

2.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，在700℃至900℃溫度，在氧化氣氛環境下，進行5s至90s時長的快速熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面，在所述第一側墻結構上形成第二側墻。

3.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述第二側墻的厚度為至

4.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構的步驟，包括：

5.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述第一側墻結構的厚度為至

6.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述通過高溫熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面形成第一側墻結構的步驟，包括：

7.如權利要求1所述的etox?nor閃存的制造方法，其特征在于，所述對有源區進行快速熱退火的步驟包括：

技術總結
本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種ETOX?NOR閃存的制造方法。該ETOX?NOR閃存的制造方法包括以下步驟：提供半導體基底層；在半導體基底層上形成存儲單元，相鄰存儲單元之間相間隔，存儲單元包括由下至上依次層疊的浮柵氧化層、浮柵多晶硅層、多晶硅間介質層和控制柵多晶硅層；通過高溫熱氧化工藝氧化存儲單元的側面形成第一側墻結構；通過快速熱氧化工藝氧化所述存儲單元的側面，在所述第一側墻結構上形成第二側墻；對有源區進行快速熱退火；對相鄰存儲單元之間的間隔進行介質層填充。該ETOX?NOR閃存的制造方法可以解決相關技術會使得浮柵多晶硅和控制柵多晶硅的尖角被過氧化形成鳥嘴結構的問題。

技術研發人員：劉勃彤,佟宇鑫,顧林,王虎,王輝
受保護的技術使用者：華虹半導體（無錫）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28