本技術涉及光伏，特別是涉及太陽能電池的制備方法、太陽能電池和光伏組件。

背景技術：

1、太陽能電池，也稱為光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于它是綠色環保產品，不會引起環境污染，而且太陽能是可再生資源，因此，太陽能電池是一種有廣闊發展前景的新型電池。

2、相關技術中，背接觸異質結太陽能電池(heterojunction?back?contact,簡稱為hbc)，hbc電池將金屬電極設于電池的背光面，使得電池的迎光面沒有金屬電極的遮擋，增加了光的吸收面積，進而提高了光電轉換效率。然而，上述hbc電池的轉換效率仍有待改善。

技術實現思路

1、基于此，有必要提供一種太陽能電池的制備方法、太陽能電池和光伏組件，可以提高太陽能電池的轉換效率。

2、第一方面，本技術實施例提供一種太陽能電池的制備方法，太陽能電池包括極性不同的第一極性區和第二極性區；

3、制備方法包括：

4、提供半導體襯底；半導體襯底具有相對設置的第一面和第二面；

5、在第一面依次形成本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層；本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層均位于第一極性區和第二極性區；

6、對第一摻雜半導體層進行第一圖案化處理，以去除位于第二極性區的至少部分第一摻雜半導體層，暴露位于第二極性區的至少部分本征非晶半導體層；

7、氧化處理位于第二極性區的至少部分本征非晶半導體層，以形成第一氧化物層；

8、化學刻蝕去除第一氧化物層。

9、本技術實施例提供的太陽能電池的制備方法，通過第一圖案化處理暴露出本征非晶半導體層，然后，氧化處理該暴露出的本征非晶半導體層形成第一氧化層，并通過化學刻蝕去除第一氧化層，實現了本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層的無殘留刻蝕，且對第二鈍化層和第二摻雜半導體層無損傷，可以保證不降低太陽能電池的鈍化效果的前提下，實現第二導電層和第二摻雜半導體層的完美接觸。

10、在其中一個實施例中，第一極性區和第二極性區相鄰設置，第二極性區包括第一子區和第二子區，第二子區位于第一子區和第一極性區之間；

11、對第一摻雜半導體層進行第一圖案化處理，包括：去除位于第一子區的至少部分第一摻雜半導體層，暴露位于第一子區的至少部分本征非晶半導體層；

12、氧化處理位于第二極性區的至少部分本征非晶半導體層，包括：氧化處理位于第一子區的本征非晶半導體層。

13、在其中一個實施例中，氧化處理位于第一子區的本征非晶半導體層，包括：晶化位于第一子區的本征非晶半導體層，并氧化處理晶化后的本征非晶半導體層，以形成第一氧化物層。

14、在其中一個實施例中，對第一摻雜半導體層進行第一圖案化處理，包括：

15、去除位于第一子區的部分第一摻雜半導體層，保留位于第一子區的另一部分第一摻雜半導體層。

16、在其中一個實施例中，第一摻雜半導體層的材料包括摻雜微晶半導體；

17、氧化處理位于第一子區的本征非晶半導體層，包括：氧化處理位于第一子區的本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層，以分別形成第一氧化物層和第二氧化物層；

18、化學刻蝕去除第一氧化物層，包括；化學刻蝕去除第一氧化物層和第二氧化物層。

19、在其中一個實施例中，第一摻雜半導體層的材料包括摻雜非晶半導體；

20、氧化處理位于第一子區的本征非晶半導體層，包括：晶化位于第一子區的本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層，并氧化處理晶化后的本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層，以分別形成第一氧化物層和第二氧化物層；

21、化學刻蝕去除第一氧化物層，包括；化學刻蝕去除第一氧化物層和第二氧化物層。

22、在其中一個實施例中，對第一摻雜半導體層進行第一圖案化處理，包括：去除位于第一子區的全部第一摻雜半導體層。

23、在其中一個實施例中，對第一摻雜半導體層進行第一圖案化處理，包括：去除位于第一子區的至少部分第一摻雜半導體層，并減薄位于第一子區的至少部分本征非晶半導體層。

24、在其中一個實施例中，減薄后的本征非晶半導體層的厚度小于或等于7nm。

25、在其中一個實施例中，氧化處理的環境包括氧氣；

26、氧化處理采用激光加熱工藝。

27、在其中一個實施例中，激光加熱工藝采用的激光包括第一皮秒激光；

28、第一皮秒激光包括皮秒綠激光或皮秒紫激光；和/或，

29、第一皮秒激光的能量密度范圍為0.1j/cm2-2j/cm2；和/或，

30、第一皮秒激光的掃描速度范圍為10m/s-800m/s；和/或，

31、第一皮秒激光的頻率范圍為100khz-1000khz；和/或，

32、第一皮秒激光的光斑的重疊率為0；和/或，

33、第一皮秒激光的光斑的能量分布為高斯分布；和/或，

34、氧化處理的環境中的氧氣濃度范圍為10%-30%。

35、在其中一個實施例中，第一圖案化處理采用激光刻蝕工藝；

36、激光刻蝕工藝采用的激光包括第二皮秒激光；和/或，

37、第二皮秒激光包括皮秒綠激光或皮秒紫激光；

38、第二皮秒激光的能量密度范圍為0.1j/cm2-2j/cm2；和/或，

39、第二皮秒激光的掃描速度范圍為10m/s-800m/s；和/或，

40、第二皮秒激光的頻率范圍為100khz-1000khz；和/或，

41、第二皮秒激光的光斑的重疊率為0；和/或，

42、第二皮秒激光的光斑的能量分布為高斯分布。

43、在其中一個實施例中，化學刻蝕去除第一氧化物層，包括：

44、采用氫氟酸溶液刻蝕去除第一氧化物層；

45、其中，氫氟酸的體積濃度范圍為1%-50%；和/或，化學刻蝕的時間范圍為40s-300s。

46、在其中一個實施例中，第一氧化物層和第二氧化物層中至少一者的材料包括氧化硅。

47、在其中一個實施例中，在第一面依次形成本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層之前，包括：

48、在第一面形成第二鈍化層和第二摻雜半導體層；第二鈍化層和第二摻雜半導體層均位于第二極性區，且第二鈍化層位于第二摻雜半導體層和半導體襯底之間。

49、第二方面，本技術實施例提供一種太陽能電池，太陽能電池包括極性不同的第一極性區和第二極性區；太陽能電池包括：

50、半導體襯底，具有相對設置的第一面和第二面；

51、本征非晶半導體層和第一摻雜半導體層，沿遠離半導體襯底的方向層疊布置于第一面，且均位于第一極性區；

52、第二鈍化層和第二摻雜半導體層，沿遠離半導體襯底的方向層疊布置第一面，且位于第二極性區；

53、第二導電層，設于第二摻雜半導體層背離半導體襯底一側，且位于第二極性區；

54、其中，第二摻雜半導體層和第二導電層之間的接觸電阻小于或等于0.05ωcm2，和/或，第二鈍化層和第二摻雜半導體層中的復合電流密度小于或等于1.5fa/cm2。

55、本技術實施例提供的太陽能電池，通過第二摻雜半導體層和第二導電層之間的接觸電阻小于或等于0.05ωcm2，和/或，第二鈍化層和第二摻雜半導體層中的復合電流密度小于或等于1.5fa/cm2，使得太陽能電池的轉換效率較高。

56、在其中一個實施例中，第一極性區和第二極性區相鄰設置，第二極性區包括第一子區和第二子區，第二子區位于第一子區和第一極性區之間；

57、部分本征非晶半導體層和部分第一摻雜半導體層還位于第二子區，位于第二子區的本征非晶半導體層位于第二摻雜半導體層背離半導體襯底的一側。

58、在其中一個實施例中，太陽能電池包括第一導電層，第一導電層位于第一摻雜半導體層背離半導體襯底的一側。

59、在其中一個實施例中，太陽能電池包括第一電極，第一電極位于第一導電層背離半導體襯底的一側；和/或，

60、太陽能電池包括第二電極，第二電極位于第二導電層背離半導體襯底的一側。

61、在其中一個實施例中，本征非晶半導體層的材料包括本征非晶硅；和/或，

62、第一摻雜半導體層的材料包括摻雜微晶硅或摻雜非晶硅；和/或，

63、太陽能電池的電阻小于或等于0.4ωcm2。

64、第三方面，本技術實施例提供一種光伏組件，包括上述第二方面中的太陽能電池。

65、本技術實施例提供的光伏組件，包括太陽能電池，通過第二摻雜半導體層和第二導電層之間的接觸電阻小于或等于0.05ωcm2，和/或，第二鈍化層和第二摻雜半導體層中的復合電流密度小于或等于1.5fa/cm2，使得太陽能電池的轉換效率較高。