本發(fā)明涉及圖像傳感器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

隨著圖像傳感器技術(shù)的不斷發(fā)展，cmos圖像傳感器由于具有高集成度、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，在電子、監(jiān)控、導(dǎo)航、交通等領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但隨著cmos圖像傳感器技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)cmos圖像傳感器性能的要求也越來(lái)越高。

對(duì)焦速度是衡量cmos圖像傳感器性能的一個(gè)重要指標(biāo)，對(duì)焦時(shí)間越短，cmos圖像傳感器的性能就越好。

在現(xiàn)有的幾種對(duì)焦方法中，對(duì)比度法對(duì)焦技術(shù)算法復(fù)雜；反差對(duì)焦方法由于需要完成一次完整的焦點(diǎn)掃描，使得對(duì)焦時(shí)間較長(zhǎng)；主動(dòng)式對(duì)焦方法需要配置紅外線(xiàn)或超聲波測(cè)距裝置，而且對(duì)于光滑面、遠(yuǎn)距離和吸光物體難以實(shí)現(xiàn)對(duì)焦。因此相位檢測(cè)像素結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)受到了廣泛關(guān)注。

然而，由于一個(gè)相位檢測(cè)像素單元具有兩個(gè)光電二極管和兩個(gè)信號(hào)讀取電路，而制作兩個(gè)信號(hào)讀取電路時(shí)的工藝誤差會(huì)帶來(lái)降低相位檢測(cè)靈敏度的問(wèn)題，進(jìn)而會(huì)降低對(duì)焦時(shí)的準(zhǔn)確率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法，以提高相位差檢測(cè)的靈敏度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元，包括：

一個(gè)相位檢測(cè)像素，其包括兩個(gè)并列的感光單元，用于將各自接受的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并隨入射光角度的變化，產(chǎn)生相位差；

一個(gè)信號(hào)采樣保持單元，其包括兩個(gè)相同的相位保持子單元，兩個(gè)相位保持子單元的輸入端分別與兩個(gè)感光單元的輸出端相連，用于傳輸和儲(chǔ)存兩個(gè)感光單元產(chǎn)生的電信號(hào)；

一個(gè)信號(hào)復(fù)位輸出單元，其輸入端與兩個(gè)相位保持子單元的輸出端同時(shí)相連，用于對(duì)電路復(fù)位和輸出電信號(hào)。

優(yōu)選地，兩個(gè)所述感光單元在其上方共用一個(gè)顯微鏡頭和一個(gè)濾光片。

優(yōu)選地，所述感光單元為光電二極管，每個(gè)相位保持子單元包括一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容以及一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管，信號(hào)復(fù)位輸出單元包括一個(gè)復(fù)位mos管、一個(gè)輸出mos管和一個(gè)偏置mos管；其中，每個(gè)光電二極管的陽(yáng)極分別與電源負(fù)極相連，每個(gè)相位保持子單元中光電開(kāi)關(guān)mos管的源極和一個(gè)光電二極管的陰極相連，漏極和電容開(kāi)關(guān)mos管的漏極、選擇開(kāi)關(guān)mos管的源極相連，電容的一端與電容開(kāi)關(guān)mos管的源極相連，另一端接地，選擇開(kāi)關(guān)mos管的柵極連接像素選擇信號(hào)，兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管的柵極相連，并連接光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)，兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管的柵極相連，并連接電容選擇信號(hào)，復(fù)位mos管的漏極和電源正極相連，源極和兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管的漏極相連，柵極與一個(gè)復(fù)位信號(hào)相連，輸出mos管的柵極與復(fù)位mos管的源極、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管的漏極相連，輸出mos管的漏極和電源正極相連，源極和偏置mos管的漏極相連，并作為像素的信號(hào)輸出端，偏置mos管的源極接地，柵極與一個(gè)偏置電壓相連。

優(yōu)選地，所述感光單元為光電二極管，每個(gè)相位保持子單元包括一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容以及一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管，信號(hào)復(fù)位輸出單元包括一個(gè)復(fù)位mos管、一個(gè)輸出mos管和一個(gè)偏置mos管；其中，每個(gè)光電二極管的陽(yáng)極分別與電源負(fù)極相連，每個(gè)相位保持子單元中光電開(kāi)關(guān)mos管的漏極和一個(gè)光電二極管的陰極相連，源極和電容開(kāi)關(guān)mos管的源極、選擇開(kāi)關(guān)mos管的漏極相連，電容的一端與電容開(kāi)關(guān)mos管的漏極相連，另一端接地，選擇開(kāi)關(guān)mos管的柵極連接像素選擇信號(hào)，兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管的柵極相連，并連接光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)，兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管的柵極相連，并連接電容選擇信號(hào)，復(fù)位mos管的源極和電源正極相連，漏極和兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管的源極相連，柵極與一個(gè)復(fù)位信號(hào)相連，輸出mos管的柵極與復(fù)位mos管的漏極、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管的源極相連，輸出mos管的源極和電源正極相連，漏極和偏置mos管的源極相連，并作為像素的信號(hào)輸出端，偏置mos管的漏極接地，柵極與一個(gè)偏置電壓相連。

優(yōu)選地，兩個(gè)所述光電二極管相隔離，各自實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化。

優(yōu)選地，所述mos管為nmos管。

優(yōu)選地，兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管的尺寸相同，兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管的尺寸相同，兩個(gè)電容的尺寸相同，兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管的尺寸相同。

一種上述高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元的驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：

步驟1：將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管和復(fù)位mos管、輸出mos管打開(kāi)，將兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管關(guān)斷，使光電二極管復(fù)位；

步驟2：保持兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管關(guān)斷，并將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管和復(fù)位mos管、輸出mos管關(guān)斷，使光電二極管曝光，并積累電荷；

步驟3：將復(fù)位mos管、輸出mos管關(guān)斷，將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管打開(kāi)，停止電荷積累，將兩個(gè)光電二極管積累的電荷分別轉(zhuǎn)移到兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管的漏極，并將電信號(hào)進(jìn)一步存儲(chǔ)在兩個(gè)電容中；

步驟4：將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管關(guān)斷，保持兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管導(dǎo)通，將偏置mos管和其中一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管打開(kāi)，輸出對(duì)應(yīng)相位保持子單元中電容上存儲(chǔ)的電信號(hào)；

步驟5：將打開(kāi)的上述其中一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管關(guān)斷，并將另一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管打開(kāi)，以輸出另一個(gè)相位保持子單元中電容上存儲(chǔ)的電信號(hào)；

步驟6：將打開(kāi)的另一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管關(guān)斷，并關(guān)斷電容開(kāi)關(guān)mos管和偏置mos管，準(zhǔn)備下一幀信號(hào)的讀取。

優(yōu)選地，步驟1中，使復(fù)位信號(hào)、光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)、兩個(gè)像素選擇信號(hào)均為高電壓；步驟2中，使復(fù)位信號(hào)、光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)、兩個(gè)像素選擇信號(hào)均由高電壓變?yōu)榈碗妷海徊襟E3中，使光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)由低電壓變?yōu)楦唠妷海娙葸x擇信號(hào)由低電壓變?yōu)楦唠妷海徊襟E4中，使光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)由高電壓變?yōu)榈碗妷海秒妷河傻碗妷鹤優(yōu)楦唠妷海渲幸粋€(gè)像素選擇信號(hào)由低電壓變?yōu)楦唠妷海徊襟E5中，使其中一個(gè)像素選擇信號(hào)由高電壓變?yōu)榈碗妷海硪粋€(gè)像素選擇信號(hào)由低電壓變?yōu)楦唠妷海徊襟E6中，使另一個(gè)像素選擇信號(hào)由高電壓變?yōu)榈碗妷海秒妷骸㈦娙葸x擇信號(hào)由高電壓變?yōu)榈碗妷骸?/p>

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過(guò)使相位檢測(cè)像素兩個(gè)感光單元共用由信號(hào)采樣保持單元、信號(hào)復(fù)位輸出單元組成的一個(gè)讀出電路，不僅在曝光之后能夠讀出相位檢測(cè)像素單元的信號(hào)，而且通過(guò)使兩個(gè)感光單元轉(zhuǎn)化得到的電信號(hào)共用一個(gè)讀出電路，避免了工藝偏差所導(dǎo)致的兩個(gè)電信號(hào)的噪聲差異，從而提高了相位差檢測(cè)時(shí)的靈敏度。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2-圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種相位檢測(cè)像素結(jié)構(gòu)及其受不同方向入射光照射時(shí)的狀態(tài)示意圖；

圖4是本發(fā)明相位檢測(cè)像素中兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小隨入射光入射角變化的曲線(xiàn)圖；

圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元的驅(qū)動(dòng)方法時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，在下述的具體實(shí)施方式中，在詳述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，為了清楚地表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以便于說(shuō)明，特對(duì)附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進(jìn)行了局部放大、變形及簡(jiǎn)化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對(duì)本發(fā)明的限定來(lái)加以理解。

在以下本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的一種高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元，包括：一個(gè)相位檢測(cè)像素10，一個(gè)信號(hào)采樣保持單元20，一個(gè)信號(hào)復(fù)位輸出單元30(如圖中三個(gè)虛線(xiàn)框內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)所指)。相位檢測(cè)像素10包括兩個(gè)并列設(shè)置的感光單元(即pd1和pd2)，用于分別將入射光照射時(shí)各自接受的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并隨入射光角度的變化，產(chǎn)生相位差。信號(hào)采樣保持單元20包括兩個(gè)完全相同的相位保持子單元21、22，兩個(gè)相位保持子單元21、22的輸入端分別與兩個(gè)感光單元的輸出端相連，用于傳輸和儲(chǔ)存兩個(gè)感光單元產(chǎn)生的電信號(hào)。信號(hào)復(fù)位輸出單元30的輸入端與兩個(gè)相位保持子單元21、22分別的輸出端同時(shí)相連，用于對(duì)電路復(fù)位和輸出電信號(hào)。

請(qǐng)參閱圖2-圖3，圖2-圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種相位檢測(cè)像素結(jié)構(gòu)及其受不同方向入射光照射時(shí)的狀態(tài)示意圖。如圖2-圖3所示，兩個(gè)感光單元可采用例如兩個(gè)光電二極管(pd1和pd2)11和12制作。兩個(gè)光電二極管11和12在其上方可共用一個(gè)顯微鏡頭14和共用一個(gè)濾光片13。當(dāng)光照射在顯微鏡頭14上時(shí)，兩個(gè)光電二極管11、12可分別將各自接受的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)；為此，這兩個(gè)光電二極管11和12在制作工藝上相隔離，各自實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化且相互不受影響。

在一定光強(qiáng)下，兩個(gè)光電二極管11和12轉(zhuǎn)化得到的電信號(hào)的大小將受到入射光角度的影響。如果定義圖2所示的入射光的入射角15為正角、圖3所示的入射光的入射角16為負(fù)角，則兩個(gè)光電二極管pd1和pd2產(chǎn)生的電信號(hào)大小將隨入射角的正負(fù)以及大小變化，產(chǎn)生相位差。其中，當(dāng)入射光直射到顯微鏡頭時(shí)，兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小相同(即相位差為零)，當(dāng)入射光如圖2-圖3所示斜射到顯微鏡頭時(shí)，兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小不同，從而產(chǎn)生相位差。圖4顯示相位檢測(cè)像素中兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小隨入射光入射角變化的曲線(xiàn)圖，圖中曲線(xiàn)17、曲線(xiàn)18分別是光電二極管pd2、pd1各自所產(chǎn)生的電信號(hào)曲線(xiàn)。其中，當(dāng)入射光直射到顯微鏡頭、即入射角為0時(shí)，曲線(xiàn)17、曲線(xiàn)18相交，表明兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小相同，相位差為零，此時(shí)即處于聚焦?fàn)顟B(tài)；當(dāng)入射光以正角或負(fù)角方式斜射到顯微鏡頭時(shí)，曲線(xiàn)17、曲線(xiàn)18分離，表明兩個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電信號(hào)大小不同，從而產(chǎn)生相位差，此時(shí)即處于離焦?fàn)顟B(tài)。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1。信號(hào)采樣保持單元(即信號(hào)采樣保持電路)20的每個(gè)相位保持子單元(即相位保持子電路)都同樣包括一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管、一個(gè)電容以及一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管；即相位保持子單元21包括一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1、一個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2、一個(gè)電容c1以及一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3，相位保持子單元22也同樣包括一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m4、一個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m5、一個(gè)電容c2以及一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m6。這樣，信號(hào)采樣保持單元20就一共包括兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4、兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5、兩個(gè)電容c1和c2以及兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6。

兩個(gè)光電二極管pd1和pd2的陽(yáng)極分別與電源負(fù)極vss相連。

每個(gè)相位保持子單元中的光電開(kāi)關(guān)mos管各自對(duì)應(yīng)一個(gè)光電二極管，以控制對(duì)應(yīng)的光電二極管的電信號(hào)的傳輸；兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管分別對(duì)應(yīng)一個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管和一個(gè)電容，控制電容的充放電；兩個(gè)電容用于存儲(chǔ)光電二極管轉(zhuǎn)化的電荷，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的保持；兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管用于選擇對(duì)應(yīng)電容上存儲(chǔ)的電信號(hào)的傳輸。這樣，每個(gè)相位保持子單元就可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)光電二極管的電信號(hào)采樣。其中，光電開(kāi)關(guān)mos管m1的源極和光電二極管pd1的陰極對(duì)應(yīng)相連，光電開(kāi)關(guān)mos管m1的漏極和電容開(kāi)關(guān)mos管m2的漏極、選擇開(kāi)關(guān)mos管m3的源極相連，電容c1的一端與電容開(kāi)關(guān)mos管m2的源極相連，另一端與電源負(fù)極vss相連(即接地)，選擇開(kāi)關(guān)mos管m3的柵極連接像素選擇信號(hào)rsel1；光電開(kāi)關(guān)mos管m4的源極和光電二極管pd2的陰極對(duì)應(yīng)相連，光電開(kāi)關(guān)mos管m4的漏極和電容開(kāi)關(guān)mos管m5的漏極、選擇開(kāi)關(guān)mos管m6的源極相連，電容c2的一端與電容開(kāi)關(guān)mos管m5的源極相連，另一端與電源負(fù)極vss相連(即接地)，選擇開(kāi)關(guān)mos管m6的柵極連接像素選擇信號(hào)rsel2。

兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4的柵極相連在一起，并連接至光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)tx；兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5的柵極相連在一起，并連接至電容選擇信號(hào)csel。

請(qǐng)參閱圖1。信號(hào)復(fù)位輸出單元30包括一個(gè)復(fù)位mos管m7和一個(gè)級(jí)信號(hào)輸出電路；級(jí)信號(hào)輸出電路又包括一個(gè)輸出mos管m8和一個(gè)偏置mos管m9。復(fù)位mos管m7的漏極和電源正極vdd相連，源極和兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6的漏極相連，柵極連接至復(fù)位信號(hào)rst，用于對(duì)電路信號(hào)復(fù)位。輸出mos管m8的柵極與復(fù)位mos管m7的源極、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6的漏極相連，輸出mos管m8的漏極和電源正極vdd相連，源極和偏置mos管m9的漏極相連，并作為像素的信號(hào)輸出端pixel＿out；這樣，由輸出mos管m8和偏置mos管m9組成的輸出級(jí)就可將電信號(hào)輸出。偏置mos管m9的源極接地(即與電源負(fù)極vss相連)，柵極連接至偏置電壓bias，用于提供偏置電流。

上述信號(hào)采樣保持單元和信號(hào)復(fù)位輸出單元中的各mos管的源極和漏極可以互換，這不會(huì)影響電路功能。并且，各所述mos管可以采用nmos管。

為了避免兩個(gè)光電二極管轉(zhuǎn)化得到的兩個(gè)電信號(hào)的噪聲差異，進(jìn)一步提高相位差檢測(cè)的靈敏度，可使得兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4的尺寸相同，兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5的尺寸相同，兩個(gè)電容c1和c2的尺寸相同，以及兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6的尺寸相同。

下面結(jié)合具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的上述高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參閱圖5，圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元的驅(qū)動(dòng)方法時(shí)序圖。如圖5所示，本發(fā)明的一種上述高靈敏度的相位檢測(cè)像素單元的驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：

步驟1：使復(fù)位信號(hào)rst、光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)tx、兩個(gè)像素選擇信號(hào)rsel1和rsel2均置為高電壓，將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6以及復(fù)位mos管m7、輸出mos管m8打開(kāi)，使其導(dǎo)通，并將兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5以及偏置mos管m9關(guān)斷，使兩個(gè)光電二極管pd1和pd2復(fù)位。

步驟2：使復(fù)位信號(hào)rst、光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)tx、兩個(gè)像素選擇信號(hào)rsel1和rsel2均由高電壓變?yōu)榈碗妷海３謨蓚€(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5關(guān)斷，并將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4、兩個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3和m6以及復(fù)位mos管m7、輸出mos管m8、偏置mos管m9都關(guān)斷，使光電二極管pd1和pd2曝光，并積累電荷。

步驟3：使光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)tx由低電壓變?yōu)楦唠妷海娙葸x擇信號(hào)csel由低電壓變?yōu)楦唠妷海瑢?fù)位mos管m7、輸出mos管m8關(guān)斷，將兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4、兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5打開(kāi)，停止電荷積累，以將兩個(gè)光電二極管pd1和pd2積累的電荷分別轉(zhuǎn)移到兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4的漏極，并保持兩個(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4、兩個(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5開(kāi)啟，從而將光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4漏極的電信號(hào)進(jìn)一步存儲(chǔ)在兩個(gè)電容c1和c2中。

步驟4：使光電開(kāi)關(guān)選擇信號(hào)tx由高電壓變?yōu)榈碗妷海瑢蓚€(gè)光電開(kāi)關(guān)mos管m1和m4關(guān)斷，使偏置電壓bias由低電壓變?yōu)楦唠妷海⑹蛊渲幸粋€(gè)像素選擇信號(hào)rsel1由低電壓變?yōu)楦唠妷海３謨蓚€(gè)電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5導(dǎo)通，將偏置mos管m9和其中一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3打開(kāi)，輸出對(duì)應(yīng)相位保持子單元中電容c1上存儲(chǔ)的電信號(hào)，即輸出pd1上的信號(hào)。

步驟5：使其中一個(gè)像素選擇信號(hào)rsel1由高電壓變?yōu)榈碗妷海⑹沽硪粋€(gè)像素選擇信號(hào)rsel2由低電壓變?yōu)楦唠妷海瑢⒋蜷_(kāi)的上述其中一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m3關(guān)斷，并將另一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m6打開(kāi)，以輸出另一個(gè)相位保持子單元中電容c2上存儲(chǔ)的電信號(hào)，即輸出pd2上的信號(hào)。

步驟6：使另一個(gè)像素選擇信號(hào)rsel2由高電壓變?yōu)榈碗妷海⑹蛊秒妷篵ias、電容選擇信號(hào)csel由高電壓變?yōu)榈碗妷海３诌x擇開(kāi)關(guān)mos管m3關(guān)斷，將打開(kāi)的另一個(gè)選擇開(kāi)關(guān)mos管m6關(guān)斷，并關(guān)斷電容開(kāi)關(guān)mos管m2和m5和偏置mos管m9，準(zhǔn)備進(jìn)入下一幀信號(hào)的讀取。

綜上所述，本發(fā)明通過(guò)使相位檢測(cè)像素兩個(gè)感光單元共用由信號(hào)采樣保持單元、信號(hào)復(fù)位輸出單元組成的一個(gè)讀出電路，不僅在曝光之后能夠讀出相位檢測(cè)像素單元的信號(hào)，而且通過(guò)使兩個(gè)感光單元轉(zhuǎn)化得到的電信號(hào)共用一個(gè)讀出電路，避免了工藝偏差所導(dǎo)致的兩個(gè)電信號(hào)的噪聲差異，從而提高了相位差檢測(cè)時(shí)的靈敏度。

以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。