專利名稱：等離子體生成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體生成裝置。
背景技術(shù)：
此前，通過等離子體生成反應(yīng)活性部位的等離子體生成裝置已被廣泛地用于各種材料的處理，諸如表面處理、薄膜淀積和刻蝕。例如，等離子體生成裝置用于將類金剛石碳 (DLC)膜淀積在基板表面上。等離子體生成裝置通過使填充到真空室中的諸如甲烷或乙炔的烴氣離子化來創(chuàng)建等離子體狀態(tài)，并且使用得到的諸如基團和離子的反應(yīng)活性物種來淀積DLC膜。在現(xiàn)有技術(shù)中，提出了一種通過安排使得從單個電源裝置經(jīng)由繼電器向多個等離子體生成裝置(為多個真空室中的每個提供一個等離子體生成裝置)供電，或者向設(shè)置在單個真空室中的多個電極供電(例如，參見日本未審專利公布第H10-340798號、第H11-40395 號和第2003-U9234號)來降低裝置成本的技術(shù)。例如，在用于大量制造產(chǎn)品的制造工藝中，優(yōu)選的是能夠減少處理產(chǎn)品所需的時間以便提高生產(chǎn)率。因此，期望在諸如使用等離子體生成裝置的膜淀積的工藝步驟中安排使得膜可以以并行和同時的方式淀積在多個工件的表面上。然而，日本未審專利公布第H10-340798號和第H11-40395號中公開的技術(shù)旨在使得在多個真空室中的一個中使用等離子體執(zhí)行處理的同時，可以在其他真空室中進行工件等的運送，并且從電源經(jīng)由繼電器向多個真空室中的一個供電。因此，通過這些技術(shù)，不可能同時在多個真空室中生成等離子體。另一方面，在日本未審專利公布第2003-U9234號中公開的技術(shù)的情況下，多個脈沖分配提供部件(為每個濺射蒸發(fā)源提供一個脈沖分配提供部件)并聯(lián)連接到直流(DC) 電源，并且每個脈沖分配提供部件包括能夠存儲從電源提供的功率的電容器。根據(jù)該技術(shù)， 通過接通每個脈沖分配提供部件中并入的開關(guān)設(shè)備，可以在連接到脈沖分配提供部件的負電極和連接到直流電源的正電極之間生成輝光放電。此外，根據(jù)該技術(shù)，為每個濺射蒸發(fā)源提供一個開關(guān)，并且通過在來自控制機構(gòu)的開關(guān)信號的控制下操作開關(guān)以在不同的定時打開和閉合，以時分方式順序地向各個濺射蒸發(fā)源提供脈沖狀功率。然而，由于該技術(shù)需要提供用于調(diào)整定時以向各個濺射蒸發(fā)源供電的控制機構(gòu)，因此該裝置配置是復(fù)雜的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體生成裝置，其可以以交替的方式在多個真空室中生成等離子體，同時簡化了裝置配置。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種等離子體生成裝置，用于通過在N個真空室的真空室壁和設(shè)置在N個真空室中的N個電極之間施加電壓，在N個真空室中的每個中生成等離子體，其中N是不小于2的整數(shù)。該等離子體生成裝置包括電源，其電極之一連接到真空室壁；振蕩器，其在每個預(yù)定的周期輸出脈沖信號；N個脈沖放大電路，其并聯(lián)連接到振蕩器以及電源的另一電極，并且每個脈沖放大電路通過使用從電源提供的功率來放大脈沖信號并且將放大的脈沖信號提供給N個電極中的對應(yīng)的一個電極；以及至少(N-1) 個定時生成電路，其連接在振蕩器和從N個脈沖放大電路中選擇的至少(N-I)個脈沖放大電路之間，并且使脈沖信號延遲分別不同的延遲時間，使得在將脈沖信號提供給N個脈沖放大電路中的一個脈沖放大電路的周期期間，脈沖信號不會被提供給其他脈沖放大電路中的任何一個脈沖放大電路。通過該配置，等離子體生成裝置可以以交替的方式在多個真空室中生成等離子體，同時用于簡化裝置配置。此外，由于電源不需要同時向多個脈沖放大電路供電，并且因此可以減少電源負載，所以可以由基本上與僅一個脈沖放大電路被提供在等離子體生成裝置中時相同數(shù)量的電路來構(gòu)造電源。因此，該等離子體生成裝置用于簡化裝置的配置。優(yōu)選地，振蕩器輸出作為脈沖信號的信號，該信號包含短脈沖和長脈沖，該短脈沖具有第一電壓和第一持續(xù)時間，該長脈沖跟隨該短脈沖并且具有量值小于第一電壓的第二電壓以及長于第一持續(xù)時間的第二持續(xù)時間。這樣，根據(jù)該等離子體生成裝置，通過在真空室中首先施加短的高電壓脈沖來形成輝光放電，并且隨后，在真空室中施加的電壓減小到可以維持輝光放電的水平。由于這用于防止在真空室中發(fā)生電弧放電，因此等離子體生成裝置可以以穩(wěn)定的方式生成等離子體。優(yōu)選地，振蕩器輸出脈沖信號的預(yù)定周期被設(shè)定為使得即使在放大脈沖信號的施加結(jié)束和后繼的放大脈沖信號的施加開始之間的周期中，也可以通過瞬變現(xiàn)象在每個真空室中生成等離子體。這樣，該等離子體生成裝置可以同時在多個真空室中生成等離子體。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種等離子體生成裝置，用于通過在真空室的真空室壁和設(shè)置在真空室中的N個電極之間施加電壓，在真空室中生成等離子體，其中N是不小于2的整數(shù)。再者，在該實施例中，該等離子體生成裝置包括電源，其電極之一連接到真空室壁；振蕩器，其在每個預(yù)定的周期輸出脈沖信號；N個脈沖放大電路，其并聯(lián)連接到振蕩器以及電源的另一電極，并且每個脈沖放大電路通過使用從電源提供的功率來放大脈沖信號并且將放大的脈沖信號提供給N個電極中的對應(yīng)的一個電極；以及至少(N-1)個定時生成電路，其連接在振蕩器和從N個脈沖放大電路中選擇的至少(N-I)個脈沖放大電路之間，并且使脈沖信號延遲分別不同的延遲時間，使得在將脈沖信號提供給N個脈沖放大電路中的一個脈沖放大電路的周期期間，脈沖信號不會被提供給其他脈沖放大電路中的任何一個脈沖放大電路。因此，該等離子體生成裝置可以以交替的方式在一個真空室內(nèi)在室壁和分別不同的電極之間生成等離子體。


通過結(jié)合附圖參照以下詳細描述，將更好地理解本發(fā)明的這些和其他特征和優(yōu)點，在附圖中
圖1是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的等離子體生成裝置的配置的示圖； 圖2是振蕩器的一個示例的電路圖3是示出施加到各個真空室的電壓脈沖波形的時序圖；以及圖4是示意性圖示根據(jù)另一實施例的等離子體生成裝置的配置的示圖。
具體實施例方式下文將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的等離子體生成裝置。該實施例的等離子體生成裝置通過在多個真空室中的每個中引發(fā)設(shè)置在真空室中的兩個電極之間的輝光放電來生成等離子體。在該等離子體生成裝置中，多個脈沖放大電路(為每個真空室提供一個脈沖放大電路)并聯(lián)連接到一個電源，并且還經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路并聯(lián)連接到一個振蕩器。振蕩器生成的脈沖在分別不同的時間經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路被提供給脈沖放大電路。每個脈沖放大電路通過使用從電源提供的功率來放大輸入脈沖，并且將放大的脈沖施加到真空室中的電極。通過因此在時間上分散電源負載，等離子體生成裝置在多個真空室中生成等離子體，同時允許使用小的電源。圖1是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的等離子體生成裝置1的完整配置的示圖，其作為使用化學氣相淀積(CVD)方法的膜淀積裝置而操作。等離子體生成裝置1包括三個真空室2-1至2-3、一個電源10、一個振蕩器11、三個定時生成電路12-1至12_3、以及三個脈沖放大電路13-1至13-3，其中為每個真空室提供一個脈沖放大電路。每個真空室2-1至2-3包括用于排空真空室的排空機構(gòu)(未示出)、壓力計(未示出)、以及用于將提供氣體活性物種的工藝氣體引入到真空室中的工藝氣體引入機構(gòu)(未示出)，其中該氣體活性物種提供淀積源材料。每個真空室2-1至2-3可以進一步包括用于將由淀積基板(工件)形成的電極14-1至14-3運入真空室或者運出真空室的機構(gòu)。脈沖放大電路13-1至13-3經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路12_1至12_3并聯(lián)連接到振蕩器11。振蕩器11生成的脈沖經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路12-1至12-3被提供給脈沖放大電路13-1至13-3。脈沖放大電路13-1至13-3還并聯(lián)連接到電源10的負電極。此外，脈沖放大電路 13-1至13-3例如經(jīng)由穿過形成相應(yīng)的真空室的底部的絕緣體的引線連接到設(shè)置在相應(yīng)的真空室2-1至2-3中的電極14-1至14-3。每個脈沖放大電路13_1至13_3通過使用從電源10提供的功率放大輸入脈沖信號，并且將放大的脈沖信號提供給電極14-1至14-3中的對應(yīng)的一個電極。另一方面，作為相應(yīng)的真空室2-1至2-3的內(nèi)壁的真空室壁15-1至15_3均由諸如鐵或銅的傳導(dǎo)材料形成為例如圓柱體或寺院鐘的形狀，并且連接到電源10的接地電極。 因此，真空室壁15-1至15-3還用作電極，并且當脈沖信號被施加到每個電極14-1至14-3 時，在電極14和真空室壁15-1至15-3中的對應(yīng)的一個真空室壁之間發(fā)生輝光放電，并且因此在每個真空室中生成工藝氣體的等離子體。在淀積工件被放置在相應(yīng)的真空室2-1至2-3中之后，排空真空室。此后，將工藝氣體引入到每個真空室2-1至2-3中。根據(jù)淀積活性物種使用適當類型的工藝氣體。例如， 稀有氣體、烴氣、或氧氣、或者這些氣體中的兩種或更多種的混合物，被用作工藝氣體。更具體地，Ar、He、N2、02、H2、CH4, C2H2, C2H4, C3H8, CF4, C2F6, SF6, SiH4, SiH3CUSiH2Cl2, Si (CH3) 4 禾口 (CH3)3Si-NH-Si (CH3)3之一或者這些氣體中的兩種或更多種的混合物被用作工藝氣體。在引入工藝氣體之后，通過控制工藝氣體引入機構(gòu)或排空機構(gòu)，將每個真空室中的壓強調(diào)整到適當?shù)膲簭姡缭?00至101 kPa的范圍內(nèi)。隨后，等離子體生成裝置1通過在真空室壁15-1至15-3和電極14_1至14_3之間施加脈沖狀直流功率來在每個真空室中生成等離子體，并且通過分解等離子體中的氣體而產(chǎn)生的活性物種在工件的表面上形成膜。例如，工件被涂覆有DLC。下文將描述等離子體生成裝置1的各種部件。電源10在并聯(lián)連接到電源10的負電極的每個脈沖放大電路13-1至13_3和并聯(lián)連接到電源10的正電極(即接地電極)的真空室壁15-1至15-3中的對應(yīng)的一個真空室壁之間施加DC電壓。電源10生成例如約300 V至1 kV的電壓。電源10可以是例如商業(yè)上可用于等離子體生成裝置的各種類型的電源裝置中的任何一種。振蕩器11在每個預(yù)定周期生成脈沖信號，并且經(jīng)由相應(yīng)的定時信號生成電路 12-1至12-3將生成的脈沖提供給脈沖放大電路13-1至13-3。在本實施例中，振蕩器11 生成的脈沖信號包含高電壓短脈沖和低電壓長脈沖，其中高電壓短脈沖具有相對高的電壓和相對短的持續(xù)時間，低電壓長脈沖跟隨高電壓短脈沖并且具有量值小于高電壓短脈沖的電壓和長于高電壓短脈沖的持續(xù)時間的持續(xù)時間。由于在真空室中首先施加高電壓，因此這便于在真空室中形成輝光放電。由于在一旦形成輝光放電之后，在真空室中施加的電壓下降，因此等離子體生成裝置1可以抑制在真空室中發(fā)生電弧放電。因此，等離子體生成裝置1可以以穩(wěn)定的方式在真空室中生成等離子體。例如，高電壓短脈沖的持續(xù)時間是1μ sec，而另一方面，低電壓長脈沖的持續(xù)時間是5μ sec。此外，振蕩器11生成的高電壓短脈沖的電壓是幾伏特，而低電壓長脈沖的電壓約為高電壓短脈沖的電壓的一半。這里的脈沖振蕩周期可以被設(shè)定為等于脈沖持續(xù)時間Pt和并聯(lián)連接到振蕩器11 的脈沖放大電路的數(shù)目N的乘積(PtXN)，或者等于乘積(PtXN)加上規(guī)定的偏移周期(例如，幾微秒)。優(yōu)選地，脈沖振蕩周期被設(shè)定為使得真空室中的脈沖信號的施加結(jié)束和下一脈沖信號的施加開始之間的周期比其間可以瞬間生成等離子體的狀態(tài)持續(xù)的周期短。在該情況下，振蕩周期被設(shè)定為例如幾微秒至幾十微秒。通過這樣做，等離子體生成裝置1可以同時在多個真空室中生成等離子體。圖2是振蕩器11的一個示例的電路圖。振蕩器11包括數(shù)字信號生成器21、數(shù)字 /模擬轉(zhuǎn)換器22和直流電源23。數(shù)字信號生成器21包括例如，嵌入型處理器及其外圍電路，并且在從DC電源23 提供的驅(qū)動電壓(例如，5V)上操作。數(shù)字信號生成器21在每個預(yù)定的周期生成包含高電壓短脈沖和跟隨其的低電壓長脈沖的數(shù)字波形信號，并且將該數(shù)字波形信號提供給數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器22。數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器22是例如電阻器梯形數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，并且通過使用從直流電源23提供的驅(qū)動電壓將數(shù)字波形信號轉(zhuǎn)換為模擬脈沖信號。數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器22產(chǎn)生的脈沖信號中包含的高電壓短脈沖的電壓的絕對值是例如5 V，并且低電壓長脈沖的電壓的絕對值是例如2. 5 V。數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器22將脈沖信號提供給每個定時生成電路12-1 至12-3。振蕩器11可以由某個其他電路構(gòu)造，該電路可以周期性地生成如上文所述的具有分兩級逐步衰落的波形的脈沖信號。定時生成電路12-1至12-3從振蕩器11接收脈沖信號并且在使接收到的脈沖信號延遲分別不同的延遲時間之后輸出脈沖信號。
圖3圖示了從相應(yīng)的定時生成電路12-1至12-3輸出的脈沖信號的時序圖的一個示例。在圖3中，橫坐標表示時間，并且縱坐標表示電壓。曲線301示出了從定時生成電路 12-1輸出的電壓隨時間的改變。相似地，曲線302示出了從定時生成電路12-2輸出的電壓隨時間的改變。此外，曲線303示出了從定時生成電路12-3輸出的電壓隨時間的改變。在每個曲線301至303中，其間電壓分兩級逐步改變的周期構(gòu)成一個脈沖信號310。在該實施例中，由于脈沖電壓被施加到真空室的負電極，因此脈沖信號310具有負電壓值。也就是說，高電壓短脈沖的電壓低于低電壓長脈沖的電壓。如圖3中所示，定時生成電路12-1至12-3使脈沖信號延遲分別不同的延遲時間， 從而在將脈沖信號提供給一個脈沖放大電路的周期期間，脈沖信號未被提供給其他脈沖放大電路中的任何一個。例如，定時生成電路12-1在使從振蕩器11接收到的脈沖信號延遲幾微秒之后將該信號提供給脈沖放大電路13-1。另一方面，定時生成電路12-2在使接收到的脈沖信號延遲等于從振蕩器11輸出的脈沖信號的持續(xù)時間、定時生成電路12-1的延遲時間和規(guī)定的偏移(例如，幾微秒)的總和的周期之后，將脈沖信號提供給脈沖放大電路13-2。 此外，定時生成電路12-3在使接收到的脈沖信號延遲等于從振蕩器11輸出的脈沖信號的持續(xù)時間、定時生成電路12-2的延遲時間和規(guī)定的偏移的總和的周期之后，將脈沖信號提供給脈沖放大電路13-3。例如，在周期、中，脈沖信號僅被提供給脈沖放大電路13-1。同樣地，在周期t2 中，脈沖信號僅被提供給脈沖放大電路13-2。在周期t3中，脈沖信號僅被提供給脈沖放大電路13-3。由于這防止同時從多個脈沖放大電路將負載施加到電源10，因此電源10可以由基本上與僅一個脈沖放大電路連接到電源電路時相同數(shù)量的電路構(gòu)造。脈沖放大電路13-1至13-3放大經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路接收到的脈沖。為此目的，脈沖放大電路13-1至13-3均包括連接到電源10的負電極的電流提升電路31，以及從定時生成電路接收脈沖并且將放大的脈沖提供給電極14-1至14-3中的對應(yīng)的一個電極的放大電路32。電流提升電路31放大從電源10流到電極14-1至14_3中的對應(yīng)的一個電極的電流。例如，電流提升電路31放大電流，從而當脈沖信號被施加到電極時，幾毫安至幾安的電流在真空室壁和電極之間流動。電流提升電路31可以是例如設(shè)計用在等離子體生成裝置中的各種已知的電流提升電路中的任何一種。放大電路32放大脈沖信號的電壓，同時維持脈沖信號的波形。例如，放大電路32 將脈沖信號中的高電壓短脈沖的電壓放大到約幾百伏至1 kV。此外，放大電路32將脈沖信號中的低電壓長脈沖的電壓放大到放大的高電壓短脈沖的電壓的約一半。放大電路32 可以是例如，可以處置幾百伏至幾千伏的直流輸出電壓的各種已知的放大電路中的任何一種。放大電路32將放大的脈沖信號提供給電極14-1至14_3中的對應(yīng)的一個。當放大的脈沖信號中包含的高電壓短脈沖信號被施加到電極時，在真空室中發(fā)生輝光放電。此后，在將放大的低電壓長脈沖信號施加到電極的周期期間，在真空室中維持輝光放電。這樣，等離子體生成裝置1可以在將放大的脈沖信號施加到電極的周期期間持續(xù)地生成工藝氣體的等離子體。此外，由于施加到電極的電壓在形成輝光放電之后下降，因此防止了在真空室中發(fā)生電弧放電。
如上文所述，在脈沖生成裝置中，一個振蕩器生成的脈沖經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路被提供給脈沖放大電路，這些定時生成電路并聯(lián)連接到該振蕩器，引入不同的延遲時間， 從而脈沖放大電路所放大的脈沖以錯開的方式被施加到相應(yīng)的真空室。因此，在該等離子體生成裝置中，由于針對電源的負載可以減小到基本上與僅一個脈沖放大電路連接到電源電路時相同的水平，因此可以減小電源的尺寸和容量。此外，由于用于將脈沖信號施加到每個真空室的定時通過其相關(guān)聯(lián)的定時生成電路調(diào)整，因此等離子體生成裝置消除了對用于控制定時的復(fù)雜控制機構(gòu)的需要。這用于簡化等離子體生成裝置的配置。此外，由于具有逐步衰落的兩級波形的脈沖信號被施加到每個真空室，因此等離子體生成裝置可以不僅在真空室中容易地生成輝光放電，而且還可以防止發(fā)生電弧放電。 結(jié)果，等離子體生成裝置可以以穩(wěn)定的方式在每個真空室中生成等離子體。本發(fā)明不限于以上具體實施例。例如，設(shè)置在等離子體生成裝置中的真空室的數(shù)目不限于3，而是等離子體生成裝置可以根據(jù)用途包括適當數(shù)目的真空室，該數(shù)目是2或更大。此外，多個脈沖放大電路中的一個可以直接連接到振蕩器而非經(jīng)由定時生成電路連接到振蕩器。更具體地，當N個脈沖放大電路(N是不小于2的整數(shù))并聯(lián)連接到電源和振蕩器時，等離子體生成裝置具有連接在振蕩器和(N-I)個脈沖放大電路之間的(N-I)個定時生成電路。再者，在該情況下，由于每個定時生成電路可以延遲脈沖到達其相關(guān)聯(lián)的脈沖放大電路的定時，因此根據(jù)該修改示例的等離子體生成裝置可以實現(xiàn)與根據(jù)以上實施例的等離子體生成裝置實現(xiàn)的效果相似的效果。根據(jù)以上實施例或修改示例的等離子體生成裝置可以用在其中需要在真空室中生成等離子體的各種應(yīng)用中。例如，等離子體生成裝置還可以被應(yīng)用為通過物理汽相淀積 (PVD)在工件上淀積膜的膜淀積裝置。圖4是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的等離子體生成裝置的配置的示圖， 其作為PVD膜淀積裝置操作。根據(jù)該實施例的等離子體生成裝置41包括三個真空室2-1 至2-3、一個電源10、一個振蕩器11、三個定時生成電路12-1至12-3、以及三個脈沖放大電路13-1至13-3，其中為每個真空室提供一個脈沖放大電路。等離子體生成裝置41與圖1的等離子體生成裝置1的不同之處在于，電極14-1至 14-3 (每個電極由作為工件的淀積基板形成)經(jīng)由相應(yīng)的脈沖放大電路13-1至13-3連接到電源10的正電極。再者，在該實施例中，真空室壁15-1至15-3連接到電源10的接地電極。在該實施例中，用于提供淀積材料的目標16-1至16-3電連接到相應(yīng)的真空室壁15-1 至15-3。當通過使引入到真空室中的氣體離子化而生成的離子撞擊靶時，通過撞擊從靶逐出的粒子被淀積在電極14-1至14-3上。再者，在該實施例的脈沖生成裝置41中，由一個振蕩器生成的脈沖經(jīng)由相應(yīng)的定時生成電路被提供給脈沖放大電路，這些定時生成電路并聯(lián)連接到該振蕩器，引入不同的延遲時間，從而由脈沖放大電路放大的脈沖以錯開的方式被施加到相應(yīng)的真空室。因此該等離子體生成裝置41可以實現(xiàn)與根據(jù)以上實施例的等離子體生成裝置實現(xiàn)的效果相似的效果。再者，在該實施例中，真空室的數(shù)目不限于3。此外，作為修改示例，多個電極14-1 至14-3 (每個電極是淀積工件并且經(jīng)由多個脈沖放大電路中的一個連接到電源的一個電極)可以設(shè)置在一個真空室內(nèi)，如圖4中的虛線指示的那樣。在該情況下，連接到相應(yīng)的脈沖放大電路的電極例如可以由分別不同的材料形成。再者，在該修改示例中，真空室的真空室壁連接到電源的其他電極(接地電極)。因此該等離子體生成裝置可以在多個工件上淀積膜。 如上文所述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下進行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體生成裝置，用于通過在N個真空室(2-1至2-3)的真空室壁(15-1至 15-3)和設(shè)置在所述N個真空室中的N個電極(14-1至14-3)之間施加電壓，在所述N個真空室中的每個中生成等離子體，其中N是不小于2的整數(shù)，所述等離子體生成裝置包括電源(10)，其電極之一連接到所述真空室壁；振蕩器(11)，其在每個預(yù)定周期輸出脈沖信號；N個脈沖放大電路(13-1至13-3)，其并聯(lián)連接到所述振蕩器以及所述電源的另一電極，并且每個脈沖放大電路通過使用從所述電源提供的功率來放大所述脈沖信號并且將所述放大的脈沖信號提供給所述N個電極中的對應(yīng)的一個電極；以及至少(N-I)個定時生成電路(12-1至12-3)，其連接在所述振蕩器和從所述N個脈沖放大電路中選擇的至少(N-1)個脈沖放大電路之間，并且使所述脈沖信號延遲分別不同的延遲時間，使得在將所述脈沖信號提供給所述N個脈沖放大電路中的一個脈沖放大電路的周期期間，所述脈沖信號不會被提供給其他脈沖放大電路中的任何一個脈沖放大電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其中所述振蕩器輸出作為所述脈沖信號的信號，所述信號包含短脈沖和長脈沖，所述短脈沖具有第一電壓和第一持續(xù)時間，所述長脈沖跟隨所述短脈沖并且具有量值小于所述第一電壓的第二電壓以及長于所述第一持續(xù)時間的第二持續(xù)時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其中所述預(yù)定周期被設(shè)定為使得即使在所述放大脈沖信號的施加結(jié)束和后繼的放大脈沖信號的施加開始之間的周期中也能通過瞬變現(xiàn)象在每個所述真空室中生成等離子體。
4.一種等離子體生成裝置，用于通過在真空室(2-1)的真空室壁(15-1)和設(shè)置在所述真空室中的N個電極(14-1至14-3)之間施加電壓來在所述真空室中生成等離子體，其中N 是不小于2的整數(shù)，所述等離子體生成裝置包括電源(10)，其電極之一連接到所述真空室壁；振蕩器(11)，其在每個預(yù)定周期輸出脈沖信號；N個脈沖放大電路(13-1至13-3)，其并聯(lián)連接到所述振蕩器以及所述電源的另一電極，并且每個脈沖放大電路通過使用從所述電源提供的功率來放大所述脈沖信號并且將所述放大的脈沖信號提供給所述N個電極中的對應(yīng)的一個電極；以及至少(N-I)個定時生成電路，其連接在所述振蕩器和從所述N個脈沖放大電路中選擇的至少(N-I)個脈沖放大電路之間，并且使所述脈沖信號延遲分別不同的延遲時間，使得在將所述脈沖信號提供給所述N個脈沖放大電路中的一個脈沖放大電路的周期期間，所述脈沖信號不會被提供給其他脈沖放大電路中的任何一個脈沖放大電路。
全文摘要
一種等離子體生成裝置包括電源(10)，其電極之一連接到N個真空室(2-1至2-3)的真空室壁(15-1至15-3)；振蕩器(11)，其在每個預(yù)定周期輸出脈沖信號；N個脈沖放大電路(13-1至13-3)，其并聯(lián)連接到振蕩器以及電源的另一電極，并且每個脈沖放大電路放大脈沖信號并且將放大的脈沖信號提供給設(shè)置在N個真空室中的N個電極中的對應(yīng)的一個電極；以及至少(N-1)個定時生成電路(12-1至12-3)，其連接在振蕩器和至少(N-1)個脈沖放大電路之間，并且使脈沖信號延遲分別不同的延遲時間，使得在任何特定時間，脈沖信號僅被供給其中一個脈沖放大電路。
文檔編號H05H1/46GK102469676SQ20111036297
公開日2012年5月23日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者寺亮之介, 廣川保明, 永谷勇人, 糸村大輔 申請人:株式會社電裝