1.一種復(fù)合涂層手術(shù)刀，其包括：手術(shù)刀；所述手術(shù)刀的表面依次附著滲氮層、物理氣相沉積PVD涂層和抗菌納米粒子改性的PVD涂層，其中所述PVD涂層為包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的納米硬質(zhì)涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述抗菌納米粒子包括銀納米粒子、銅納米粒子或其混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述抗菌納米粒子在所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層中的原子百分比為0.1％-25％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述抗菌納米粒子的粒徑為1nm-100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述PVD涂層的厚度為1μm-15μm，表面硬度為1500HV-5000HV。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層的厚度為1μm-15μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀，其中所述滲氮層的厚度為0.01mm-0.5mm。
8.一種復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其包括如下步驟：
提供手術(shù)刀；對所述手術(shù)刀進行離子滲氮處理以在所述手術(shù)刀的表面形成滲氮層；
采用物理氣相沉積PVD工藝在所述滲氮層的表面沉積包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的納米硬質(zhì)涂層以形成PVD涂層；
將抗菌納米粒子導(dǎo)入物理氣相沉積PVD工藝爐中，采用物理氣相沉積PVD工藝在所述PVD涂層的表面形成抗菌納米粒子改性的PVD涂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其中所述抗菌納米粒子包括銀納米粒子、銅納米粒子或其混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其中所述抗菌納米粒子在所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層中的原子百分比為0.1％-25％。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其中所述抗菌納米粒子的粒徑為1nm-100nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其中采用PVD工藝形成所述PVD涂層的步驟包括：首先通入純度為99.999％的氬氣，在偏壓為800-1000V的條件下清潔所述滲氮層的表面；然后停止通入氬氣，通入純度為99.999％的氮氣，在偏壓為80-100V的條件下，打開包含用于組成所述PVD涂層的金屬的靶，弧電流為120A-200A，采用PVD工藝在清潔后的所述滲氮層的表面沉積形成所述PVD涂層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的復(fù)合涂層手術(shù)刀的制備方法，其中采用PVD工藝形成所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層的步驟包括：繼續(xù)通入純度為99.999％的氮氣，在偏壓為80-100V的條件下，保持包含用于組成所述PVD涂層的金屬的靶的開啟狀態(tài)，同時導(dǎo)入所述抗菌納米粒子，弧電流為120A-200A，采用PVD工藝在所述PVD涂層的表面沉積形成所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層。