專利名稱：顯示器件和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括自發(fā)光元件和其溝道部分由非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體形成的晶體管的顯示器件。
背景技術(shù)：
近年來，包括發(fā)光元件的顯示器件已經(jīng)得到了積極的發(fā)展。除了常規(guī)液晶顯示器件的優(yōu)勢之外，發(fā)光顯示器件具有諸如響應(yīng)快、優(yōu)良的動態(tài)顯示和寬視角的特征。因此，作為下一代平板顯示器，發(fā)光顯示器件吸引了眾多的注意。發(fā)光顯示器件包括多個(gè)像素，每個(gè)像素具有發(fā)光元件和至少兩個(gè)晶體管。在每個(gè)像素中，與發(fā)光元件串聯(lián)連接的晶體管控制發(fā)光元件的發(fā)光或不發(fā)光。對于晶體管，在很多情況下采用具有高場效應(yīng)遷移率的多晶半導(dǎo)體(多晶硅)。發(fā)光元件具有其中將電致發(fā)光層 夾在一對電極之間的結(jié)構(gòu)。具體來說，在構(gòu)圖的第一導(dǎo)電層(第一電極)上形成電致發(fā)光層，然后形成第二導(dǎo)電層(第二電極)以便覆蓋電致發(fā)光層的整個(gè)表面。

發(fā)明內(nèi)容
使用多晶硅的晶體管由于晶界中的晶體缺陷而易于引起特性的變化。因此，即使輸入相同的信號電壓時(shí)，每個(gè)像素中晶體管的漏電流也會不同，造成亮度的變化。由于前述原因，本發(fā)明提供一種顯示器件，其中抑制了由晶體管特性的變化而引起亮度的變化。優(yōu)選的是，對形成在電致發(fā)光層上的第二導(dǎo)電層(第二電極)進(jìn)行加熱以降低電阻。然而，電致發(fā)光層具有低的耐熱性且不能承受高的熱處理。因此，由于不同的電阻值，施加到一對電極之間的電壓在發(fā)光元件的邊緣和中心之間也不同，從而引起圖像質(zhì)量退化。由于前述原因，本發(fā)明提供一種顯示器件，其中防止了由于電阻值不同引起的圖
像質(zhì)量退化。為了解決前述問題，本發(fā)明采取以下措施。根據(jù)本發(fā)明的顯示器件包括受控于晶體管的發(fā)光元件，該晶體管的溝道部分由非晶半導(dǎo)體(典型的是非晶硅，a-Si :H)或有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成。由于這種晶體管具有很小的場效應(yīng)遷移率等的變化，因此可以抑制由于晶體管特性的變化而引起的顯示器件的亮度變化。而且，非晶半導(dǎo)體適于制造從幾英寸到幾十英寸尺寸范圍的大平板，并且由于沒有結(jié)晶步驟并需要少量的掩模，其制造工藝是具有成本效益的。根據(jù)本發(fā)明的顯示器件包括輔助導(dǎo)電層(布線)，其連接到形成在電致發(fā)光層上的導(dǎo)電層。結(jié)果，可以在沒有熱處理的情況下降低導(dǎo)電層的電阻，并由此可以防止顯示器件圖像質(zhì)量的退化。由于隨著平板尺寸增大，電阻值成為問題，因此通過采用本發(fā)明可以非常有效地制造具有幾十英寸尺寸的大平板。根據(jù)本發(fā)明的顯示器件包括基板，其包括像素部分和排列在像素部分外圍的驅(qū)動器電路，以及附著在基板上的驅(qū)動器1C。像素部分包括包含夾在一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件，以及其溝道部分由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)晶體管。形成在基板上的驅(qū)動器電路包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的N型晶體管(下文中有時(shí)表示為a-Si :HTFT)和其溝道部分由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的P型晶體管(下文中有時(shí)表示為有機(jī)TFT)。有機(jī)TFT對應(yīng)于包括諸如并五苯的低分子量有機(jī)化合物、諸如PEDOT (聚噻吩)和PPV (聚亞苯基亞乙烯基)的高分子量有機(jī)化合物等的晶體管。a-Si :HTFT和有機(jī)TFT可以形成在和像素部分的相同基板上，并可以配置為使用該CMOS電路作為單元電路、移位寄存器、緩沖器等。此外，可以僅用N型晶體管或P型晶體管形成驅(qū)動器電路。在這種情況下，可以僅用a-Si :HTFT或有機(jī)TFT形成驅(qū)動器電路。根據(jù)本發(fā)明的顯示器件包括發(fā)光元件，其包括夾在連接到陽極線的第一電極和連接到陰極線的第二電極之間的發(fā)光材料。顯示器件還包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管。顯示器件還包括反向偏置電壓施加電路，其轉(zhuǎn)換陽極線和陰極線彼此的電位以向發(fā)光元件施加反向偏置電壓。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可以防止發(fā)光元件隨時(shí)間退化，從而得到具有提高的可靠性的顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明的顯不器件包括其包含夾在一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光兀件、其柵電極連接到具有恒定電位的第一電源線上的第一晶體管、和其柵電極連接到信號線的第二晶體管。發(fā)光元件、第一晶體管和第二晶體管串聯(lián)連接在具有和低電位電壓相同電位的第二電源和具有和高電位電壓相同電位的第三電源之間。而且，每個(gè)第一晶體管和第二晶體管具有由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的溝道部分。在這種顯示器件中，第二晶體管工作在線性區(qū)，由此，在發(fā)光元件中流過的電流量不受第一晶體管Ves的微小變化的影響。換言之，在發(fā)光元件中流過的電流量通過在飽和區(qū)工作的第一晶體管確定。因此，根據(jù)具有前述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，可以提供一種顯示器件，其中抑制了由于晶體管特性的變化而引起的亮度變化，并提高了圖像質(zhì)量。通過采用前述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明可以提供一種顯示器件，其中抑制了由于晶體管特性的變化而引起的亮度變化。而且，在根據(jù)本發(fā)明的顯示器件中，可以無需熱處理而降低導(dǎo)電層的電阻，并防止圖像質(zhì)量退化。此外，根據(jù)本發(fā)明的顯示器件包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管，由此可以實(shí)現(xiàn)大尺寸且廉價(jià)的顯示器件。


圖IA至IC是使用非晶半導(dǎo)體用于溝道部分的晶體管(溝道保護(hù)型和溝道蝕刻型)、發(fā)光元件和連接到發(fā)光元件其中一個(gè)電極上的輔助布線的橫截面圖。圖2是使用非晶半導(dǎo)體用于溝道部分的晶體管(雙柵極型)、發(fā)光元件和連接到發(fā)光元件其中一個(gè)電極上的輔助布線的橫截面圖。圖3A和3B是使用非晶半導(dǎo)體用于溝道部分的晶體管、發(fā)光元件和連接到發(fā)光元件其中一個(gè)電極上的輔助布線的橫截面圖。圖4A和4B是示出陽極線、陰極線和輔助布線排列的平板的頂視圖。圖5是示出開口部分和陽極線、陰極線以及輔助布線的排列的圖。圖6是示出開口部分和陽極線、陰極線以及輔助布線的排列的圖。圖7是示出開口部分和陽極線、陰極線以及輔助布線的排列的圖。圖8A和8B是安裝驅(qū)動器IC的平板的頂視圖。
圖9A是安裝線性驅(qū)動器IC的平板的頂視圖，且圖9B是其透視圖。圖IOA示出了等效電路。圖IOB是用有機(jī)晶體管和a-Si晶體管形成的CMOS電路的橫截面圖。圖IlA至IlF是包括發(fā)光元件和用非晶半導(dǎo)體用于溝道部分的晶體管的像素的電路圖。圖12A和12B是僅用N型晶體管構(gòu)成的移位寄存器的電路圖。圖13A和13B是表示時(shí)間灰度級的時(shí)序圖。
圖14A和14B是表示信號線驅(qū)動器電路和掃描線驅(qū)動器電路的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖15A至15D是表用本發(fā)明的電子設(shè)備的圖。圖16A至16D是采用本發(fā)明的電子設(shè)備的圖。圖17A至17D是閾值補(bǔ)償電路的示意圖。圖18A至18D是發(fā)光元件疊層結(jié)構(gòu)的圖。圖19A和19B是發(fā)光元件疊層結(jié)構(gòu)的圖。圖20是像素電路(3TFT/單元)的版圖。圖21是像素電路(3TFT/單元)的版圖。圖22是像素電路(4TFT/單元)的版圖。圖23是像素電路(4TFT/單元)的版圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式I參考圖4A和4B，闡釋了平板上布線的排列，特別是具有和高電位電壓VDD相同電位的電源線(下文稱為陽極線)和具有和低電位電壓VSS相同電位的電源線(下文稱為陰極線)的排列。要指出的是，圖4A和4B僅示出了像素部分104中排列成列的布線。圖4A是包括基板100的平板的頂視圖。在基板100上，設(shè)置其中排列成矩陣的多個(gè)像素105的像素部分104、排列在像素部分104外圍的信號線驅(qū)動器電路101、以及掃描線驅(qū)動器電路102和103。驅(qū)動器電路的數(shù)目沒有專門的限制，并且可以根據(jù)像素105的配置而改變。而且，驅(qū)動器電路不必整體地形成在基板100上，并且可以通過COG等將驅(qū)動器IC附著在基板100上。將像素部分104中排列成列的信號線111連接到信號線驅(qū)動器電路101。并且，將排列成列的電源線112至114連接到陽極線107至109的任何一個(gè)。類似地，將排列成列的輔助布線110連接到陰極線106上。將陽極線107至109和陰極線106引導(dǎo)在像素部分104和排列在其外圍的驅(qū)動器電路周圍，并連接到FPC的端子上。陽極線107至109中的每一個(gè)與每個(gè)RGB相對應(yīng)。當(dāng)在陽極線107至109的每一個(gè)上施加不同的電位時(shí)，可以補(bǔ)償每種顏色之間亮度的變化。也就是說，通過使用多個(gè)陽極線，可以解決即使施加相同電流時(shí)，由每種顏色中發(fā)光元件的電致發(fā)光層的電流密度差異引起每種顏色中亮度變化的問題。要指出的是，這里將電致發(fā)光層劃分成RGB的顏色，但本發(fā)明不限于此。當(dāng)不考慮通過每個(gè)像素中的電流密度差異的方法來顯示單色圖像或顯示彩色圖像時(shí)，例如，通過使用白色發(fā)光元件與濾色器組合，則不需要多個(gè)陽極線且單一信號陽極線就足夠了。
圖4B是簡單表示掩模版圖的示意圖。陽極線107至109以及陰極線106排列在信號線驅(qū)動器電路101周圍，并且陽極線107至109連接到像素部分104中排列成列的電源線112至114。如圖4B所示，陰極線106和輔助布線110形成在相同的導(dǎo)電層上。形成陰極線106和輔助布線110之后，形成發(fā)光元件的第一導(dǎo)電層(第一電極)，然后在其上形成絕緣層(也稱為堤(bank))。隨后，在位于陰極線106和輔助布線110上的絕緣層中形成開口部分。開口部分暴露陰極線106和輔助布線110，此時(shí)形成電致發(fā)光層。選擇性地形成電致發(fā)光層以便不覆蓋位于陰極線106和輔助布線110上的開口部分。然后，形成第二導(dǎo)電層(第二電極)以便覆蓋整個(gè)電致發(fā)光層、陰極線106和輔助布線110。根據(jù)這些步驟，將第二導(dǎo)電層電連接到陰極線106和輔助布線110上，這是本實(shí)施方式的重要特征之一。根據(jù)這個(gè)特征，可以降低形成以便覆蓋電致發(fā)光層的第二導(dǎo)電層的電阻，因此，可以防止由于第二導(dǎo)電層的電阻值引起的圖像質(zhì)量退化。由于隨著平板尺寸增大電阻值成為問題，因此這一特征在制造具有幾十英寸尺寸的大平板中非常有效。雖然在本實(shí)施方式中將第二導(dǎo)電層連接到陰極線，但是本發(fā)明不限于此。可以將第二導(dǎo)電層連接到陽極線上，并且在這種情況下設(shè)置發(fā)光元件的反向電極作為陽極。 而且，輔助布線110不必如圖4A和4B所示形成在和排列成列的信號線相同的層上，且可以形成在和排列成行的掃描線相同的層上。可以成列地以點(diǎn)狀或線形、或者以點(diǎn)狀和線形提供在輔助電極110和第二導(dǎo)電層之間形成接觸(連接)的開口部分。也可以成行地以點(diǎn)狀或線形、或者以點(diǎn)狀和線形提供。它們的一些示例在下文中示出，并參考圖5至7描述其掩模版圖。要指出的是，圖5至7是簡化圖，其中像素105僅包括像素電極且未示出電源線112。參考圖5，闡釋了其中在相同導(dǎo)電層上形成輔助布線110和信號線111、且通過以線形形成的開口部分120將輔助布線110連接到第二導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)。在圖5中，像素部分104包括排列成矩陣的多個(gè)像素105，以及排列成列的信號線111和輔助布線110，以及排列成行的掃描線128。輔助布線110連接到陰極線106。要指出的是，雖然輔助布線110和陰極線106形成在相同的導(dǎo)電層上，但在這里將排列在像素部分104中的布線稱為輔助布線110，而將排列在其他區(qū)域中的布線成為陰極線106。線形開口部分120形成在輔助布線110和陰極線106上。輔助布線110和陰極線106通過開口部分120連接到第二導(dǎo)電層。在這種情況下，輔助布線110通過線形開口部分120連接到第二導(dǎo)電層。參考圖6，下文闡釋了其中在陰極線106上形成線形開口部分122、并在輔助布線110上形成點(diǎn)狀開口部分123的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)與圖5中所示的不同在于，通過點(diǎn)狀開口部分123將輔助布線110連接到第二導(dǎo)電層。參考圖7，下文闡釋了其中在相同導(dǎo)電層上形成輔助布線124和掃描線128、并通過點(diǎn)狀開口部分127將輔助布線124連接到第二布線的結(jié)構(gòu)。在圖7中，像素部分104包括排列成矩陣的多個(gè)像素105，以及排列成列的信號線111、排列成行的掃描線128和輔助布線124。輔助布線124連接到陰極線126。輔助布線124和陰極線126形成在不同導(dǎo)電層上并通過開口部分127相互連接。線形開口部分125形成在陰極線126之上，點(diǎn)狀開口部分127形成在輔助布線124之上。陰極線126和輔助布線124通過這些開口部分125和127連接到第二導(dǎo)電層。在這種情況下，輔助布線124通過點(diǎn)狀開口部分127連接到第二導(dǎo)電層。如上所述，輔助布線可以形成在和排列成列的布線(例如信號線)相同的導(dǎo)電層上，如圖5和6所示；或者可以形成在和排列成行的布線(例如掃描線)相同的導(dǎo)電層上，如圖7所示。這些結(jié)構(gòu)不需要額外的掩模等，因此，可以避免諸如生產(chǎn)成本增加和可靠性下降的問題。而且，在輔助布線和第二導(dǎo)電層之間形成接觸的點(diǎn)狀開口部分排列在像素邊緣的情況下，可以抑制孔徑比的降低而得到更明亮的圖像。參考圖IA至1C、2和3A以及3B，接下來闡釋驅(qū)動晶體管、發(fā)光元件以及提供在具有絕緣表面的基板上的輔助布線的截面結(jié)構(gòu)和掩模版圖。圖IC示出了一個(gè)像素的掩模版圖。在圖IC所示的像素中，作為電源線的導(dǎo)體16、作為信號線的導(dǎo)體26和作為輔助布線的導(dǎo)體27排列成列，且作為掃描線的導(dǎo)體28排列成行。像素還包括開關(guān)晶體管29和驅(qū)動晶體管30。圖IA是沿圖IC掩模版圖中的線A-B-C的橫截面圖。在圖IA中，在具有絕緣表面的基板10上形成柵電極11，并在其上形成柵絕緣層12。然后，依次層疊非晶半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和導(dǎo)體，然后將其同時(shí)構(gòu)圖以形成非晶半導(dǎo)體13、N型半導(dǎo)體14和15，以及導(dǎo)體16 和17。隨后，形成絕緣體18和19，并在預(yù)定區(qū)域中形成開口部分以便部分地暴露導(dǎo)體17后形成導(dǎo)體20。然后，形成導(dǎo)體21 (第一電極、像素電極)、電致發(fā)光層22和導(dǎo)體23 (第二電極、反向電極)以便與導(dǎo)體20電連接。導(dǎo)體21、電致發(fā)光層22和導(dǎo)體23的重疊區(qū)域?qū)?yīng)于發(fā)光元件24。然后，在整個(gè)表面上形成保護(hù)層25。注意，和導(dǎo)體16和17的同時(shí)形成導(dǎo)體26和27。導(dǎo)體26和27分別對應(yīng)于信號線和輔助布線。在形成導(dǎo)體23 (第二電極、反向電極)之前通過暴露導(dǎo)體27，導(dǎo)體23可以層疊在導(dǎo)體27上，從而降低導(dǎo)體23的電阻。要指出的是，在圖IA的橫截面中，作為輔助布線的導(dǎo)體27形成在與導(dǎo)體16和17相同的導(dǎo)電層上。圖IB示出了驅(qū)動晶體管50和發(fā)光元件24的截面結(jié)構(gòu)。在圖IB中，在具有絕緣表面的基板10上形成柵電極11，并在其上形成柵絕緣層12。在形成非晶半導(dǎo)體13之后，形成作為蝕刻停止層的絕緣體31。隨后，依次層疊N型半導(dǎo)體和導(dǎo)體，然后將其同時(shí)構(gòu)圖以形成N型半導(dǎo)體32和33以及導(dǎo)體34和35。然后，形成絕緣體18、5070和5080，并在預(yù)定區(qū)域中形成開口部分以便部分地暴露導(dǎo)體35之后，形成由導(dǎo)體構(gòu)成的連接布線5060。然后，形成包括導(dǎo)體21、電致發(fā)光層22和導(dǎo)體23的發(fā)光元件24，然后形成保護(hù)層25。注意，和導(dǎo)體34和35的同時(shí)形成導(dǎo)體26，并和連接布線5060的同時(shí)形成導(dǎo)體36。導(dǎo)體26對應(yīng)信號線且導(dǎo)體36對應(yīng)輔助布線。在形成導(dǎo)體23 (反向電極)之前通過暴露導(dǎo)體36，導(dǎo)體23可以層疊在導(dǎo)體36上，從而降低導(dǎo)體23的電阻。要指出的是，在圖IB的橫截面圖中，作為輔助布線的導(dǎo)體36形成在與導(dǎo)體20相同的層上。圖2是驅(qū)動晶體管51和發(fā)光元件24的橫截面圖。在圖2中，在具有絕緣表面的基板10上形成柵電極11，并在其上形成柵絕緣層12。在形成非晶半導(dǎo)體13之后，形成作為蝕刻停止層的絕緣體41，然后形成柵電極42。隨后，依次層疊N型半導(dǎo)體和導(dǎo)體，并將其同時(shí)構(gòu)圖以形成N型半導(dǎo)體43和44以及導(dǎo)體45和46。然后，形成絕緣體18和19，在預(yù)定區(qū)域中形成開口部分以便部分地暴露導(dǎo)體46之后，形成導(dǎo)體20。然后，在形成保護(hù)層25之前，形成包括導(dǎo)體21、電致發(fā)光層22和導(dǎo)體23的發(fā)光元件24。作為輔助布線的導(dǎo)體36電連接到導(dǎo)體23。
圖3A是驅(qū)動晶體管431和發(fā)光元件438的橫截面圖。驅(qū)動晶體管431形成在具有絕緣表面的基板430上，并在其上形成絕緣體440。在預(yù)定區(qū)域中形成開口部分之后，在絕緣體440上形成導(dǎo)體433和434。隨后，形成作為像素電極的導(dǎo)體435，然后形成絕緣體442。在絕緣體441和442的預(yù)定區(qū)域中形成開口部分439之后，在絕緣體442上形成電致發(fā)光層436，并在其上形成作為反向電極的導(dǎo)體437。以這種方式，圖3A中層疊了四層絕緣體。圖3B是驅(qū)動晶體管431和發(fā)光元件459的橫截面圖。驅(qū)動晶體管431形成在具有絕緣表面的基板430上，然后形成電連接于驅(qū)動晶體管431的布線460和輔助布線452。在形成絕緣體453之后，在絕緣體453的預(yù)定區(qū)域中形成開口部分。隨后，形成作為像素電極的導(dǎo)體454，在其上形成絕緣體458，然后，在絕緣體458的預(yù)定區(qū)域中形成開口部分。之后，在導(dǎo)體454上形成電致發(fā)光層455和456,并在其上形成作為反向電極的導(dǎo)體457。導(dǎo)體454、電致發(fā)光層455和457、以及導(dǎo)體457的重疊區(qū)域?qū)?yīng)發(fā)光元件459。在圖3B中，通過氣相淀積形成輔助布線452上的電致發(fā)光層456，且其膜厚度薄， 因此，輔助布線452的側(cè)面不會覆蓋有電致發(fā)光層456。利用該結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體457電連接到輔助布線452的側(cè)面。如圖IA至1C、2和3A以及3B所示，本發(fā)明的顯示器件包括發(fā)光元件和具有非晶半導(dǎo)體的晶體管。優(yōu)選的是，為了提高電流容量，將與發(fā)光元件串聯(lián)連接的驅(qū)動晶體管的溝道寬度W/溝道長度L設(shè)置在I到100 (更優(yōu)選為5到20)范圍內(nèi)。具體說來，期望溝道長度L在5到15 μ m范圍內(nèi)，且溝道寬度W在20到1200 μ m范圍內(nèi)(更優(yōu)選為40到600 μ m)。注意，根據(jù)上述溝道長度L和溝道寬度W，晶體管占據(jù)更大的像素面積。因此，發(fā)光元件期望地在基板的相反方向中發(fā)射光，即，頂部發(fā)射。有三種主要類型的使用非晶半導(dǎo)體用于溝道部分的晶體管溝道蝕刻型(圖1A、圖3A和3B)、溝道保護(hù)型(圖1B)和雙柵極型(圖2)。本發(fā)明可以使用任何一種。包括在發(fā)光兀件中的一對電極中的一個(gè)對應(yīng)陽極，另一個(gè)對應(yīng)陰極。陽極和陰極優(yōu)選由金屬、合金、電導(dǎo)體化合物或其混合物構(gòu)成。而且，用具有高功函數(shù)的材料作陽極，而用具有低功函數(shù)的材料作陰極。電致發(fā)光層夾在陽極和陰極之間，且由選自多種有機(jī)材料或無機(jī)材料中的至少一種材料構(gòu)成。電致發(fā)光層中的發(fā)光包括當(dāng)激發(fā)的單重態(tài)返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光(熒光)和當(dāng)激發(fā)的三重態(tài)返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光(磷光)。絕緣層可以由有機(jī)材料或無機(jī)材料構(gòu)成。然而，當(dāng)使用有機(jī)材料時(shí)，由于其具有高吸濕性，優(yōu)選提供諸如氮化硅膜的阻擋膜。在有機(jī)材料中，與其他有機(jī)材料例如丙烯和聚酰亞胺相比，抗蝕劑材料廉價(jià)、具有小直徑的接觸孔、并具有低吸濕性，因此，它不需要阻擋膜。然而，當(dāng)將抗蝕劑材料著色時(shí)，優(yōu)選將其用于頂部發(fā)射顯示器件。具體說來，借助旋轉(zhuǎn)器涂敷通過在溶劑(甲基醚丙二醇乙酸酯；PGMEA)中溶解甲酚樹脂等獲得的溶液來形成抗蝕劑材料。根據(jù)本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)，減少了晶體管特性中的變化，由此，可以提供這樣的顯示器件，其中減少了由于晶體管特性的變化而引起的亮度變化。而且，根據(jù)本發(fā)明采用非晶半導(dǎo)體，可以有效地制造從幾英寸到幾十英寸尺寸范圍內(nèi)的大平板，由于沒有結(jié)晶步驟并且需要小數(shù)目的掩模，而引起生產(chǎn)成本的降低。此外，根據(jù)制造步驟中的熱處理溫度，可以在諸如塑料的輕薄且廉價(jià)的柔性基板上形成非晶半導(dǎo)體。因此，可以拓寬顯示器件的應(yīng)用范圍。輔助布線有助于降低第二導(dǎo)電層的電阻，而造成功率消耗的降低。通過設(shè)置輔助布線，可以防止由于布線電阻引起的缺陷布線和灰度級，還可以抑制電壓下降，從而向發(fā)光元件施加恒定電壓。因此，可以提供提高了圖像質(zhì)量的顯示器件。本實(shí)施方式中所述的結(jié)構(gòu)在具有幾十英寸尺寸的大平板的制造中是有效的。這是由于隨著平板尺寸的增大，電阻值會成為問題。實(shí)施方式2參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。圖8A是包括具有絕緣表面的基板200的平板的頂視圖。在基板200上，形成掃描線驅(qū)動器電路203和包括排列成矩陣的多個(gè)像素201的像素部分202。多個(gè)驅(qū)動器IC 205附著在基板200上，且多個(gè)驅(qū)動器IC 205對應(yīng)信號線驅(qū)動器電路204。掃描線驅(qū)動器電路203和信號線驅(qū)動器電路204連接到電源電路206和控制器207。·電源電路206為平板提供電源，并特別地連接到設(shè)置在像素部分202中的電源線。電源線也稱為陽極線或陰極線。陽極線具有和高電位電壓VDD相同的電位，陰極線具有和低電位電壓VSS相同的電位。控制器207為信號線驅(qū)動器電路204和掃描線驅(qū)動器電路203提供時(shí)鐘、反時(shí)鐘(clock back)、啟動脈沖和視頻信號。如本實(shí)施方式中，在信號線驅(qū)動器電路204包括多個(gè)驅(qū)動器IC 205的情況下，控制器207還確定將哪個(gè)視頻信號提供給每個(gè)驅(qū)動器1C，即，它將信號分類。雖然在圖8中只有掃描線側(cè)的驅(qū)動器電路整體地形成在基板上，但是本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)驅(qū)動器電路的工作頻率，信號線側(cè)的驅(qū)動器電路也可以整體地形成在相同的基板上。然而，優(yōu)選的是，掃描線側(cè)的驅(qū)動器電路整體地形成在基板上，而信號線側(cè)的驅(qū)動器電路以驅(qū)動器IC形成。據(jù)此，掃描線驅(qū)動器電路和信號線驅(qū)動器電路可以分開工作，這是由于信號線驅(qū)動器電路在50MHZ或更高的頻率(例如65MHz或更高)下工作，而掃描線驅(qū)動器電路在其百分之一的頻率下工作，即大約lOOkMHz。在這種方式中，根據(jù)每個(gè)驅(qū)動器電路的工作頻率，可以選擇將驅(qū)動器電路整體地形成在基板上，或?qū)Ⅱ?qū)動器IC附著在基板上。圖8B是包括具有絕緣表面的基板200的平板的頂視圖。在基板200上形成包括排列成矩陣的多個(gè)像素201的像素部分202。通過COG將信號線側(cè)的驅(qū)動器IC 209和掃描線側(cè)的驅(qū)動器IC 208附著在基板200上。這些驅(qū)動器IC 208和209以連接布線210連接到外部輸入端211，并通過外部輸入端211連接到電源電路206和控制器207。雖然，在圖SB中通過COG將驅(qū)動器IC附著在基板上，但本發(fā)明不限于此。可以通過TAB將驅(qū)動器IC附著到基板上，或通過FPC連接到基板上來取代附著于其上。而且，驅(qū)動器IC的長側(cè)和短側(cè)的長度以及所安裝的驅(qū)動器IC的數(shù)量沒有專門的限制。每個(gè)像素201包含包括夾在一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件，和其溝道部分由非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管。發(fā)光元件的第一電極連接到陽極線，且其第二電極連接到陰極線。根據(jù)本發(fā)明，在發(fā)光元件不發(fā)光期間，陽極線和陰極線的電位相互轉(zhuǎn)換，從而對發(fā)光元件施加反向偏置電壓。通過從控制器207向電源電路206提供的預(yù)定信號來確定向發(fā)光兀件施加反向偏置電壓的時(shí)序。因此，在本發(fā)明中，電源電路206和控制器207共同被稱為反向偏置電壓施加電路。
當(dāng)本發(fā)明的顯示器件用于顯示具有多級灰度級的圖像時(shí)，時(shí)間灰度級是可應(yīng)用的。這是由于在發(fā)光元件不發(fā)光期間通過施加反向偏置電壓，可以在不影響灰度級顯示的情況下施加反向偏置電壓。通常，將所有像素中陽極線和陰極線之一或二者共同連接。因此，反向偏置電壓不得不同時(shí)向所有像素施加。因此為了向發(fā)光元件施加反向偏置電壓，可以添加半導(dǎo)體元件。該半導(dǎo)體元件對應(yīng)晶體管或二極管，并且允許任意地施加反向偏置電壓，例如每個(gè)像素或每根線。具體地，一旦半導(dǎo)體元件導(dǎo)通，就向發(fā)光元件施加反向偏置電壓。也就是說，當(dāng)半導(dǎo)體元件導(dǎo)通時(shí)，發(fā)光元件電連接到具有比發(fā)光元件的反向電極更低電位的布線，由此向發(fā)光元件施加反向偏置電壓。當(dāng)施加反向偏置電壓時(shí)，發(fā)光元件必然不發(fā)光。然而，根據(jù)前述結(jié)構(gòu)，可以在任意時(shí)序下向任意像素施加反向偏置電壓，因此，可以實(shí)現(xiàn)灰度級顯示而沒有任何問題。該結(jié)構(gòu)適用于其他用于實(shí)現(xiàn)多級灰度級的驅(qū)動方法，例如模擬驅(qū)動方法以及時(shí)間灰度級。
根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，可以防止發(fā)光元件隨時(shí)間的退化，得到具有提高了可靠性和長壽命元件的顯示器件。該實(shí)施方式可以與前述實(shí)施方式組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，將參考IOA和IOB描述CMOS電路的截面結(jié)構(gòu)，該CMOS電路包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體構(gòu)成的N型晶體管和其溝道部分由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的P型晶體管。圖IOA是包括串聯(lián)連接的P型晶體管221和N型晶體管222的等效電路圖，且其一端具有和VDD相同的電位，而另一端具有和VSS相同的電位。圖IOB是這些晶體管的橫截面圖。在圖IOB中，在基板200上形成導(dǎo)體231和232，并在其上形成氮化硅233。然后，在氮化硅233上形成非晶半導(dǎo)體234，并在其上形成另一氮化硅241。在氮化硅241上，依次層疊N型半導(dǎo)體和導(dǎo)體，然后將其同時(shí)構(gòu)圖以形成N型半導(dǎo)體235和242以及電極236和237。隨后，形成電極238和239，并在其后形成用作溝道層的有機(jī)半導(dǎo)體240。對于有機(jī)半導(dǎo)體240，可以使用諸如并五苯的低分子量有機(jī)化合物、諸如PEDOT和PPV的高分子量有機(jī)化合物等，并且可以通過使用金屬掩模的氣相淀積來構(gòu)圖并五苯。以這種方式，完成包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體234構(gòu)成的N型晶體管和其溝道部分由有機(jī)半導(dǎo)體240構(gòu)成的P型晶體管的COMS電路。CMOS電路是形成移位寄存器、緩沖器等的時(shí)鐘控制反向器等的單元電路。因此，雖然由于工作頻率，本實(shí)施方式的CMOS電路優(yōu)選用作掃描線側(cè)的驅(qū)動器電路，但該CMOS電路可以用作驅(qū)動器電路和像素電路。具體說來，期望用本實(shí)施方式的CMOS電路形成掃描線側(cè)的驅(qū)動器電路，并用驅(qū)動器I C形成信號線側(cè)的驅(qū)動器電路。雖然用本實(shí)施方式中的CMOS電路形成驅(qū)動器電路，但本發(fā)明不限于此。不必說，可以僅用N型晶體管(a-Si :HTFT)或P型晶體管(有機(jī)TFT)形成驅(qū)動器電路。本實(shí)施方式可以與前述實(shí)施方式組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施方式4本發(fā)明提供一種包括多個(gè)像素的顯示器件，每個(gè)像素包括具有夾在一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件，并包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管。下文中參考圖IlA至IlF闡釋像素的結(jié)構(gòu)。
在圖IlA所示的像素中，信號線310和電源線311至313排列成列，且掃描線314排列成行。像素還包括用于開關(guān)的晶體管301、用于驅(qū)動的晶體管303、用于電流控制的晶體管304、電容302和發(fā)光元件305。圖IlC所示的像素具有與圖IlA所示的相同的結(jié)構(gòu)，除了晶體管303的柵電極連接到排列成行的電源線313上。也就是說，圖IlA和IlC中的像素都示出了相同的等效電路圖。然而，在電源線313排列成列(圖11A)的情況和在電源線313排列成行(圖11C)的情況之間，電源線形成在不同的導(dǎo)電層上 。為了使用于形成連接到圖IlA和圖IlC中晶體管303柵電極的布線的層之間的區(qū)別清楚，將兩個(gè)像素各在圖IlA和IlC中示出。在圖IlA和IlC中，像素中的晶體管303和304串聯(lián)連接，且晶體管303的溝道長度L3/溝道寬度W3與晶體管304的溝道長度L4/溝道寬度W4的比率設(shè)置為L3/W3 L4/ff4=5到 6000 :1。例如，當(dāng) L3、W3、1^4和胃4分別等于50(^111、3 4 111、3 4 111和 100 μ m 時(shí)，可以將 L3/W3 :L4/W4 設(shè)置為 6000 :1。晶體管303工作在飽和區(qū)并控制在發(fā)光元件305中流過的電流量，而晶體管304工作在線性區(qū)并控制是否向發(fā)光元件305提供電流。考慮到制造步驟，這些晶體管303和304優(yōu)選地具有相同的電導(dǎo)率。對于晶體管303，可以使用耗盡型晶體管以及增強(qiáng)型晶體管。根據(jù)具有前述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，由于晶體管304工作在線性區(qū)，因此晶體管304的Ves中的微小變化不影響在發(fā)光元件305中流過的電流量。也就是說，在發(fā)光元件305中流過的電流量由工作在飽和區(qū)的晶體管303確定。因此，可以提供一種顯示器件，其中減小了由于晶體管特性的變化而引起的亮度變化并提高了圖像質(zhì)量。圖IlA至IlD中的晶體管301控制輸入到像素的視頻信號。當(dāng)晶體管301導(dǎo)通并向像素輸入視頻信號時(shí)，視頻信號被保持在電容302中。雖然圖IlA至IlD中的像素包括電容302，但是本發(fā)明不限于此。當(dāng)柵極電容等可以取代電容保持視頻信號時(shí)，不必提供電容 302。發(fā)光元件305包括夾在一對電極之間的電致發(fā)光層。像素電極和反向電極(陽極和陰極)具有電位差，以便向發(fā)光元件305施加正向偏置電壓。電致發(fā)光層由選自多種有機(jī)材料或無機(jī)材料的至少一種材料構(gòu)成。電致發(fā)光層中的發(fā)光包括當(dāng)激發(fā)的單重態(tài)返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光(熒光)和當(dāng)激發(fā)的三重態(tài)返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光(磷光)。圖IlB所示的像素具有與圖IlA所示的相同的結(jié)構(gòu)，除了增加了晶體管306和掃描線315。類似地，圖IlD所示的像素具有與圖IlC所示的相同的結(jié)構(gòu)，除了增加了晶體管306和掃描線315。通過增加的掃描線315控制晶體管306開/關(guān)。當(dāng)晶體管306導(dǎo)通時(shí)，釋放保持在電容302中的電荷，由此將晶體管304關(guān)斷。也就是說，通過設(shè)置晶體管306可以強(qiáng)制地停止向發(fā)光元件305提供電流。因此，通過采用圖IlB和IlD所示的結(jié)構(gòu)，在信號寫入所有像素之前，可以使發(fā)光周期與寫周期同時(shí)開始或在寫周期之后立刻開始，從而提高占空比。在圖IlE所示的像素中，信號線350排列成列，且電源線351和352以及掃描線353排列成行。像素還包括開關(guān)晶體管341、驅(qū)動晶體管343、電容342和發(fā)光元件344。圖IlF所示的像素具有與圖IlE所示的相同的結(jié)構(gòu)，除了增加了晶體管345和掃描線354。要指出的是，圖IlF的結(jié)構(gòu)由于晶體管345還可以提高占空比。本實(shí)施方式可以與前述實(shí)施方式組合實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施例I包括一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件和包括非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管是本發(fā)明的基本元件，并且發(fā)光元件和晶體管提供在每個(gè)像素中。當(dāng)在每個(gè)像素中提供包括非晶半導(dǎo)體的晶體管的情況下，通過COG或TAB將驅(qū)動器IC通常安裝在基板上，或通過FPC連接到基板上。下文中描述的是其中將多個(gè)驅(qū)動器IC形成在矩形基板上并安裝在基板上的實(shí)施例。圖9A是在掃描線側(cè)和信號線側(cè)分別包括驅(qū)動器IC 251和252的平板的頂視圖。其他元件與圖8B所示平板的元件相同，因此在此省略其闡釋。圖9B是附著在基板上的驅(qū)動器IC的透視圖。多個(gè)驅(qū)動器電路以及用于連接多個(gè)驅(qū)動器電路的輸入和輸出端形成在基板253上。當(dāng)使用每個(gè)驅(qū)動器電路及其相應(yīng)的輸入和輸出端作為單元，而將基板253分隔成條或矩形時(shí)，獲得多個(gè)驅(qū)動器1C。然后，將驅(qū)動器IC附著在基板200上以完成顯示器件。在圖9B中，將作為掃描線驅(qū)動器電路的驅(qū)動器IC 252和作為信號線驅(qū)動器電路的驅(qū)動器IC 251安裝在基板上。 優(yōu)選的是，信號線和掃描線具有與驅(qū)動器IC的輸出端相同的間距。據(jù)此，不必在像素部分202的端部每隔幾塊就提供引線，導(dǎo)致了制造步驟中提高的產(chǎn)量。而且，通過在矩形基板253上形成驅(qū)動器1C，可以大量地生產(chǎn)它們，而導(dǎo)致提高的生產(chǎn)率。因此，作為基板253，例如大基板，優(yōu)選使用在長度上具有約300到IOOOmm的邊的基板。與在圓形硅晶片上形成IC芯片的情況相比，其提供了極大的優(yōu)點(diǎn)。然而，當(dāng)將基板253分隔開以便使驅(qū)動器IC的長邊具有與像素部分202的垂直或水平方向相同的長度時(shí)，可以減少驅(qū)動器IC的數(shù)量并且可以提高可靠性。這些驅(qū)動器IC優(yōu)選地由結(jié)晶半導(dǎo)體構(gòu)成，且結(jié)晶半導(dǎo)體優(yōu)選地通過輻射連續(xù)波激光獲得。由此，作為產(chǎn)生激光的振蕩器，期望使用連續(xù)波固體激光器或連續(xù)波氣體激光器。當(dāng)輻射連續(xù)波激光時(shí)，晶粒界面在激光的掃描方向中延伸。利用這種特性，構(gòu)圖半導(dǎo)體層以便晶粒界面方向平行于溝道長度方向。由此，可以獲得使用具有足夠電特性的結(jié)晶半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管。優(yōu)選的是，設(shè)置在信號線側(cè)且設(shè)置在掃描線側(cè)的驅(qū)動器IC具有不同的結(jié)構(gòu)，具體地，它們在薄膜晶體管的柵絕緣層厚度上不同。由此可以獨(dú)立地操作信號(數(shù)據(jù))線驅(qū)動器電路和掃描線驅(qū)動器電路。具體地，在形成信號線驅(qū)動器電路的薄膜晶體管中，柵絕緣層的厚度設(shè)置為20到70nm且溝道長度設(shè)置為O. 3到I μ m。另一方面，在形成掃描線驅(qū)動器電路的薄膜晶體管中，柵絕緣層的厚度設(shè)置為150到250nm且溝道長度設(shè)置為I到2 μ m。在這種方式中，可以獲得包括其每一個(gè)具有與每個(gè)驅(qū)動器電路相應(yīng)的工作頻率的驅(qū)動器IC的顯示器件。本實(shí)施方式可以與前述實(shí)施方式組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例2包括一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件和包括非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管是本發(fā)明的基本元件，并且發(fā)光元件和晶體管提供在每個(gè)像素中。在這種包括非晶半導(dǎo)體的晶體管中，電特性(閾值電壓、場效應(yīng)遷移率等)隨時(shí)間而改變。因此，參考閾值電壓，在下文中描述閾值補(bǔ)償電路。參考圖17A至17D闡釋閾值補(bǔ)償電路。圖17A是包括由晶體管等構(gòu)成的開關(guān)531和532、晶體管533和電容534的等效電路。簡要描述該電路的工作。
當(dāng)開關(guān)531和532接通時(shí)(圖17A)，電流Ids從開關(guān)531提供到晶體管533，并從開關(guān)531和532提供到電容534。Ids被分成I1和12，且滿足Ids=IfIy當(dāng)電流開始流動時(shí)，電荷未保持在電容534中，晶體管被關(guān)斷，由此,滿足I2=O且Ids=I115然而,隨著電荷被保持在電容534中，電容534兩電極之間的電位開始不同。當(dāng)電極之間的電位差等于Vth時(shí)，晶體管533導(dǎo)通，且I2大于O。由于此時(shí)滿足Ids=IJI2,因此I1逐漸地減小，盡管電流繼續(xù)流動。電容534繼續(xù)保持電荷直到電極之間的電位差等于Vdd為止。當(dāng)電極之間的電位差等于Vdd時(shí)，I2停止流動，且由于晶體管533導(dǎo)通，滿足Ids=I1 (圖17C和17D，點(diǎn)A)。隨后，開關(guān)531被關(guān)斷(圖17B)。由此，保持在電容534中的電荷通過開關(guān)532在晶體管533的方向中流動以被放電。該操作持續(xù)到晶體管533被關(guān)斷為止。也就是說，電容534保持有具有與晶體管533的閾值電壓相同電位的電荷(圖17C和17D，點(diǎn)B)。以該方式，可以將電容兩電極之間的電位差設(shè)置為與晶體管的閾值電壓相同。將信號電壓輸入到晶體管的柵電極，同時(shí)保持晶體管的Ves。由此，將加到信號電壓上的保持在電容中的Ves輸入到晶體管的柵電極。換言之，即使當(dāng)晶體管的閾值電壓存在變化時(shí) ，信號電壓和晶體管的閾值電壓也將恒定地輸入到晶體管。因此，可以降低晶體管閾值電壓的變化。通過采用閾值補(bǔ)償電路，可以降低用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管閾值電壓的變化，還可以降低由于閾值電壓的這種變化而引起的亮度的變化，并且可以獲得提高了圖像質(zhì)量的顯示器件。要指出的是，本實(shí)施方式的閾值補(bǔ)償電路可以應(yīng)用于圖IlA至IlF所示的像素電路中。在這種情況下，可以提供閾值補(bǔ)償電路以便補(bǔ)償具有對其輸入信號電壓的柵電極的驅(qū)動晶體管的閾值電壓。雖然在本實(shí)施例中作為示例示出了用于閾值電壓的補(bǔ)償器，本發(fā)明還可以包括用于其他電特性的補(bǔ)償器。例如，可以提供用于場效應(yīng)遷移率的補(bǔ)償器。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例3為了形成發(fā)光元件，任意地組合空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層等。然而，電子注入層優(yōu)選地由已知為適于僅傳輸電子的材料的浴銅靈(BCP)形成，其摻雜有鋰(Li)，這是由于當(dāng)浴銅靈摻雜有鋰時(shí)，可以急劇提高電子注入特性。而且，苯并惡唑衍生物(BzOS)和吡啶衍生物是具有良好的電子傳輸特性的材料且在淀積時(shí)不易結(jié)晶。此外，當(dāng)包含堿金屬、堿土金屬和過渡金屬中的至少一種時(shí)，這些材料可以具有極佳的電子注入特性。因此，在包括位于一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件中，包括在發(fā)光材料中的部分層優(yōu)選由苯并惡唑衍生物或吡啶衍生物構(gòu)成。也就是說，當(dāng)電子注入層由包括苯并惡唑衍生物或吡啶衍生物和堿金屬、堿土金屬和過渡金屬中的至少一種的用于發(fā)光元件的電子注入特性的合成物構(gòu)成時(shí)，電子可以更容易從起陰極作用的電極注入。此外，由于吡啶衍生物在淀積時(shí)不會有效地結(jié)晶，因此可以提供比以往具有優(yōu)越特性和更長壽命的發(fā)光元件以及使用該發(fā)光元件的顯示器件。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，描述發(fā)光元件的疊層結(jié)構(gòu)。要指出的是，在此參考圖IB中由虛線包圍的區(qū)域5700和5710的放大圖進(jìn)行描述。圖18A、18C和19A與區(qū)域5700的放大圖相應(yīng)，而圖18B、18D和19B與區(qū)域5710的放大圖相應(yīng)。圖IB的截面結(jié)構(gòu)與圖18A至18D以及圖19A和19B的截面結(jié)構(gòu)的相同之處在于它們包括絕緣體5070和5080、連接布線5060和像素電極5100，但是它們的不同之處在于將在下文中通過使用不同的參考數(shù)字描述的其他元件。在圖18A和18B中，在絕緣體5070上形成絕緣層5080，并在其上形成連接布線5060。連接布線5060電連接到驅(qū)動晶體管的源電極或漏電極。在絕緣體5080上，還形成通過構(gòu)圖與連接布線5060相同的導(dǎo)體而獲得的輔助布線5200。然后，形成像素電極5100以便與連接布線5060連接，并在像素電極5100上，依次層疊空穴注入層5110、發(fā)光層5120和電子注入層5130。最后，形成保護(hù)層5240。像素電極5100、空穴注入層5110、發(fā)光層5120和電子注入層5130的重疊區(qū)域?qū)?yīng)發(fā)光元件5140。通過使用金屬掩模形成發(fā)光層5120，以便暴露部分輔助電極5200而不完全覆蓋開口部分。因此，在開口部分中，空穴注入層5110和電子注入層5130依次層疊在輔助布線5200上。注意，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)，可以通過以金屬掩模的方式形成空穴注入層5110和發(fā)光層5120，僅使電子注入層5130在輔助布線5200上。 雖然在圖18A和18B中來自發(fā)光元件5140的光在基板的方向中發(fā)射，但還可以采用其中光在基板的相反方向中發(fā)射的結(jié)構(gòu)。在圖18C和18D中，形成像素電極5100以便與連接布線5060連接。在像素電極5100上，依次層疊空穴注入層5110、發(fā)光層5120、電子注入層5130和透明導(dǎo)電層5800。最后，形成保護(hù)層5240。當(dāng)作為反向電極的電子注入層5130具有增大的電阻時(shí)，形成以便與電子注入層5130連接的透明導(dǎo)電層抑制了電壓下降。通過金屬掩模的方式形成發(fā)光層5120，以便暴露部分輔助布線5200而不完全覆蓋開口部分。因此，在開口部分中，空穴注入層5110、電子注入層5130和透明導(dǎo)電層5800依次層疊在輔助布線5200上。要指出的是，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)，可以通過金屬掩模的方式形成空穴注入層5110和發(fā)光層5120，僅有電子注入層5130和透明導(dǎo)電層5800形成在輔助布線5200上。可選擇的，通過借助金屬掩模的方式形成空穴注入層5110、發(fā)光層5120和電子注入層5130，僅有透明導(dǎo)電層5800形成在輔助布線5200上。圖18A和18B所示的保護(hù)層5240可以具有無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的疊層結(jié)構(gòu)。參考圖19A和19B描述這種情況下的截面結(jié)構(gòu)。在圖19A和19B中，保護(hù)層5240具有疊層結(jié)構(gòu)，其中形成無機(jī)絕緣層5240a以便與電子注入層5130接觸，并依次在無機(jī)絕緣層5240a上層疊有機(jī)樹脂層5240b和無機(jī)絕緣層5240c。當(dāng)無機(jī)絕緣層5240a和5240a由氮化娃、氮氧化娃、氧化招或氮化招等形成時(shí),可以防止?jié)駳夂脱鯕獗话l(fā)光元件5140吸收而加速其退化。而且，在無機(jī)絕緣層5240a和無機(jī)絕緣層5240c之間提供的具有較小內(nèi)部應(yīng)力的有機(jī)樹脂層5240b可以防止保護(hù)層5240被應(yīng)力剝落。對于有機(jī)樹脂層5240b，可以使用聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺等。通過使用金屬掩模形成發(fā)光層5120，以便暴露部分輔助布線5200而不完全覆蓋開口部分。因此，在開口部分中，空穴注入層5110、電子注入層5130、無機(jī)絕緣層5240a、有機(jī)樹脂層5240b和無機(jī)絕緣層5240c依次層疊在輔助布線5200上。要指出的是，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)，可以通過借助金屬掩模的方式形成空穴注入層5110和發(fā)光層5120，在輔助布線5200上依次層疊電子注入層5130、無機(jī)絕緣層5240a、有機(jī)樹脂層5240b和無機(jī)絕緣層5240c。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例5包括一對電極之間的發(fā)光材料的發(fā)光元件和包括非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管是本發(fā)明的基本元件，并且發(fā)光元件和晶體管提供在每個(gè)像素中。在每個(gè)像素中提供這種晶體管的情況下，形成在相同基板上的驅(qū)動器電路還優(yōu)選地用包括非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管形成。然而，包括非晶半導(dǎo)體的晶體管不能應(yīng)用于P型晶體管。因此，在本實(shí)施例中，描述僅用N型晶體管形成的移位寄存器。在圖12A中，以400表不的塊對應(yīng)于用于輸出單級取樣脈沖的脈沖輸出電路。用η個(gè)脈沖輸出電路形成移位寄存器。圖12Β示出了脈沖輸出電路400的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，其包括N型晶體管401至406和電容407。可以通過應(yīng)用自舉法，僅用N型晶體管構(gòu)成脈沖輸出電路400。日本專利特許公開No. 2002-335153中詳細(xì)披露了該操作。 雖然在本實(shí)施例中僅用N型晶體管構(gòu)成驅(qū)動器電路，但本發(fā)明不限于此。可以使用其溝道部分包括有機(jī)半導(dǎo)體的P型晶體管用于形成驅(qū)動器電路。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例6在通過數(shù)字驅(qū)動法操作本發(fā)明顯示器件的情況下，優(yōu)選將時(shí)間灰度級用于顯示具有多級灰度級的圖像。在本實(shí)施例中，描述時(shí)間灰度級。圖13Α是時(shí)序圖，其縱坐標(biāo)表示掃描線，橫坐標(biāo)表示時(shí)間。圖13Β是第j行掃描線的時(shí)序圖。在此，顯示器件具有大約60Hz的幀頻率。即，每秒進(jìn)行60次圖像的寫入，一個(gè)寫圖像的周期成為幀周期。在時(shí)間灰度級中，將幀周期分成多個(gè)子幀周期。在很多情況下劃分?jǐn)?shù)量等于位的數(shù)量，為了簡單在此描述這種情況。也就是說，在本實(shí)施例中作為示例示出5位灰度級，將幀周期分成五個(gè)子幀周期SFl至SF5。每個(gè)子幀周期包括用于將視頻信號寫入像素的地址周期Ta，和用于使像素發(fā)光或不發(fā)光的維持周期Ts。維持周期Tsl至Ts5的比率設(shè)置為Tsl:…Ts5=16 :8 :4 :2 :1。換言之，當(dāng)顯示具有η位灰度級的圖像時(shí)，維持周期的比率為 2 2 (η_2)…21 :2°。具有比寫周期更短的發(fā)光周期的子幀周期(在此為子幀周期SF5)具有擦除周期Te5。在擦除周期Te5期間，為了在發(fā)光周期之后不立刻開始下一周期，重置已經(jīng)寫入像素的視頻信號并強(qiáng)行重置發(fā)光元件。當(dāng)必須增加位的數(shù)量時(shí)，可以增加子幀的數(shù)量。子幀周期的順序不必從最高有效位排列到最低有效位，可以在幀周期內(nèi)隨機(jī)排列。而且，每個(gè)幀周期可以改變子幀周期的順序。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例7在本實(shí)施例中，參考圖14A和14B描述信號線驅(qū)動器電路和掃描線驅(qū)動器電路的結(jié)構(gòu)示例。如圖14A所示，信號線驅(qū)動器電路包括移位寄存器3021、第一鎖存電路3022和第二鎖存電路3023。同時(shí)，如圖14B所示，掃描線驅(qū)動器電路包括移位寄存器3024和緩沖器3025。圖14A和14B中的結(jié)構(gòu)僅僅是示例。例如，可以將電平移動器或緩沖器增加到信號線驅(qū)動器電路中，并且可以在掃描線驅(qū)動器電路中的移位寄存器3024和緩沖器3025之間設(shè)置電平移動器。通過增加電平移動器，可以改變邏輯電路部分和緩沖器部分的電壓幅度。本實(shí)施例可以與前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例8本發(fā)明可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備，例如攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、目鏡類顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、諸如汽車音頻系統(tǒng)的音頻再現(xiàn)設(shè)備、筆記本個(gè)人電腦、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動計(jì)算機(jī)、移動電話、便攜式游戲機(jī)、電子圖書等)、提供有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)設(shè)備，例如家庭視頻游戲機(jī)(特別是，能夠再現(xiàn)例如DVD的記錄介質(zhì)并具有用于顯示再現(xiàn)圖像的顯示器的設(shè)備)。這種電子設(shè)備的詳細(xì)示例在圖15A至15D以及16A和16D中示出。圖15A示出了包括主體9301、音頻輸出部分9302、音頻輸入部分9303、顯示部分9304、操作開關(guān)9305等的便攜式終端。圖15B示出了包括主體9101、觸屏筆9102、顯示部分9103、操作鍵9104、外部接口 9105等的PDA。圖15C示出了包括主體9201、顯示部分9202、操作鍵9203等的便攜式游戲機(jī)。圖I 示出了包括主體9501、顯示部分9502、臂部分9503等的目鏡型顯示器。
圖16A示出了具有約40英寸尺寸的大液晶電視，其包括顯示部分9401、外殼9402、音頻輸出部分9403等。圖16B示出了包括外殼9601、音頻輸出部分9602、顯示部分9603等的監(jiān)視器。圖16C示出了包括顯示部分9701和9702等的數(shù)字照相機(jī)。圖16D示出了包括外殼9801、顯示部分9802和鍵盤9803等的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)。在前述電子設(shè)備中，可以將本發(fā)明的顯示器件應(yīng)用于包括顯示部分9304、9103、9202、9502、9401、9603、9701、9702和9802的平板中。本實(shí)施例可以于前述實(shí)施方式和實(shí)施例組合實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例9在本實(shí)施例中，闡釋了實(shí)施例4中所描述的像素電路的版圖示例。下文中描述的版圖示例包括發(fā)光元件的像素電極和環(huán)繞像素電極端部的絕緣層。在圖21至23所示的版圖示例中，示出了彼此相鄰的三個(gè)像素，其中一個(gè)像素表示在形成晶體管和電容之后立即的版圖，另一像素表示在形成像素電極之后立即的版圖，其余像素表示在形成作為堤的絕緣層之后立即的版圖。第一和第二版圖示例示出了具有三個(gè)晶體管(3TFT/單元)的像素。像素包括開關(guān)晶體管601、驅(qū)動晶體管602、擦除晶體管603、電容604、排列成列的信號線609和輔助布線610，以及排列成行的掃描線607和608 (圖20和21)。像素還包括包含在發(fā)光元件中的像素電極605和絕緣層606。絕緣層606提供在相鄰像素電極605之間，并具有開口部分以暴露輔助布線610和像素電極605。輔助布線610通過提供在絕緣層606中的開口部分連接到反向電極。提供電致發(fā)光層以便通過絕緣層606中的開口部分與像素電極605接觸，并提供反向電極以便與電致發(fā)光層接觸。在圖20所示的版圖示例中，可以采用頂部發(fā)射、底部發(fā)射和雙發(fā)射。另一方面,在圖21所示的版圖示例中，由于像素電極605提供在晶體管601至603之上，因此優(yōu)選采用頂部發(fā)射。在圖21中還可以采用雙發(fā)射。在那種情況中，為了遮蔽晶體管601至603，絕緣層606可以由屏蔽材料形成。第三和第四版圖示例示出了具有四個(gè)晶體管(4TFT/單元)的像素。像素包括用于開關(guān)的晶體管611、用于驅(qū)動的晶體管619、用于電流控制的晶體管620、用于擦除的晶體管613、電容614、排列成列的信號線612和輔助布線621,以及排列成行的掃描線617和618(圖22和23)。像素還包括包含在發(fā)光元件中的像素電極615和絕緣層616。絕緣層616具有開口部分以便暴露輔助布線621和像素電極615。輔助布線621通過提供在絕緣層616中的開口部分連接到反向電極。而且，提供電致發(fā)光層以便通過絕緣層616中的開口部分與像素電極615接觸，并提供反向電極以便與電致發(fā)光層接觸。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，像素電極615提供在晶體管611、613、619和620上以產(chǎn)生提高的孔徑比。因此，在該結(jié)構(gòu)中優(yōu)選采用頂部發(fā)射。要指出的是，在圖22中示出的版圖示例中還可以采用雙發(fā)射。在那種情況中，絕緣層616可以由屏蔽材料形成，以便遮蔽晶體管611、613、619和620。在上述結(jié)構(gòu)中，晶體管601至603、611、613、619和620包括用于溝道部分的非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體。輔助布線610和621形成在和晶體管601至603、611、613、619和620的柵電極相同的層中，或形成在和連接到晶體管601至603、611、613、619和620的源電極或漏電極的連接布線相同的層中，或形成在和像素電極605和615相同的層中。本申請是基于2003年6月17日向日本專利局申請的日本專利申請序列號 No. 2003-172009，在此引入其內(nèi)容作為參考。雖然已經(jīng)參考附圖以實(shí)施方式和實(shí)施例的方式全面描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解，各種變化和改進(jìn)對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，除非這種變化和改進(jìn)脫離下文限定的本發(fā)明的范圍，否則都應(yīng)被包括其內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯不器件，包括 在基板上的晶體管，該晶體管包括源極、漏極和溝道區(qū)； 在所述晶體管上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述源極或所述漏極中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 在所述第一絕緣層上的輔助布線； 在所述第一絕緣層上的第二絕緣層； 在所述像素電極上且在所述第二絕緣層中的第一開口部分； 在所述輔助布線上且在所述第二絕緣層中的第二開口部分； 在所述像素電極上且在所述第一開口部分中的電致發(fā)光層；以及 在所述電致發(fā)光層上的反向電極， 其中，所述輔助布線通過所述第二開口部分電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
6.—種顯不器件,包括 在基板上的柵電極； 在所述柵電極上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上且具有一個(gè)導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且具有所述一個(gè)導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 在所述第一絕緣層之上的輔助布線； 在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上且在所述第二絕緣層中的第一開口部分； 在所述輔助布線之上且在所述第二絕緣層中的第二開口部分； 在所述像素電極之上且在所述第一開口部分中的電致發(fā)光層；以及 在所述電致發(fā)光層上的反向電極， 其中，所述輔助布線通過所述第二開口部分電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
11.一種顯不器件，包括 在基板之上的柵電極； 在所述柵電極之上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上的第一N型半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上的第二N型半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二N型半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述第一 N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二 N型半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一 N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二 N型半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 在所述第一絕緣層之上的輔助布線； 在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上且在所述第二絕緣層中的第一開口部分； 在所述輔助布線之上且在所述第二絕緣層中的第二開口部分； 在所述像素電極之上且在所述第一開口部分中的電致發(fā)光層；以及 在所述電致發(fā)光層上的反向電極， 其中，所述輔助布線通過所述第二開口部分電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù) 層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
16.—種顯不器件,包括 在基板之上的柵電極； 在所述柵電極之上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上且具有一個(gè)導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且具有所述一個(gè)導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 在所述第一絕緣層之上的輔助布線； 在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層；在所述像素電極之上且在所述第二絕緣層中的第一開口部分； 在所述輔助布線之上且在所述第二絕緣層中的第二開口部分； 在所述像素電極之上且在所述第一開口部分中的電致發(fā)光層；以及 在所述電致發(fā)光層上的反向電極， 其中，所述輔助布線通過所述第二開口部分電連接到所述反向電極， 其中，所述反向電極延伸到所述第二開口部分中以提供在所述輔助布線上的所述反向電極,并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
21.—種顯不器件,包括 在基板之上的晶體管，該晶體管包括源極、漏極、溝道區(qū)和柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上的輔助布線； 在所述輔助布線和所述晶體管之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述源極和所述漏極中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 環(huán)繞所述像素電極的端部并在其之上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上的電致發(fā)光層； 在所述電致發(fā)光層上的反向電極；以及 在所述輔助布線之上且在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之中的開口， 其中，所述輔助布線通過所述開口電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
26.—種顯不器件,包括 在基板之上的柵電極； 在所述柵電極之上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上且具有一個(gè)電導(dǎo)型的第一半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且具有所述一個(gè)電導(dǎo)型的第二半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述柵絕緣層之上的輔助布線；在所述輔助布線、所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 環(huán)繞所述像素電極的端部并在其上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上的電致發(fā)光層； 在所述電致發(fā)光層上的反向電極；以及 在所述輔助布線之上且在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的開口， 其中，所述輔助布線通過所述開口電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
31.一種顯不器件，包括 在基板之上的柵電極； 在所述柵電極之上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上的第一N型半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上的第二N型半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二N型半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述柵絕緣層之上的輔助布線； 在所述輔助布線、所述第一 N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二 N型半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一 N型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二 N型半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 環(huán)繞所述像素電極的端部并在其上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上的電致發(fā)光層； 在所述電致發(fā)光層上的反向電極；以及 在所述輔助布線之上且在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的開口， 其中，所述輔助布線通過所述開口電連接到所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
36.一種顯不器件,包括 在基板之上的柵電極； 在所述柵電極之上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上且具有一個(gè)電導(dǎo)型的第一半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且具有所述一個(gè)電導(dǎo)型的第二半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵絕緣層之上且在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之間的溝道區(qū)； 在所述柵絕緣層之上的輔助布線； 在所述輔助布線、所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)的連接布線； 在所述第一絕緣層之上且電連接到所述連接布線的像素電極； 環(huán)繞所述像素電極的端部并在其上的第二絕緣層； 在所述像素電極之上的電致發(fā)光層； 在所述電致發(fā)光層上的反向電極；以及 在所述輔助布線之上且在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之中的開口， 其中，所述輔助布線通過所述開口電連接到所述反向電極， 其中，所述反向電極延伸到所述開口以提供在所述輔助布線上的所述反向電極，并且 其中，所述連接布線的材料不同于所述像素電極的材料。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示器件，其中，所述基板包括柔性基板。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示器件，其中，所述顯示器件并入到從由便攜式終端、便攜式游戲機(jī)、目鏡類顯示器、監(jiān)視器、攝像機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示器件，還包括在所述反向電極上并與其接觸的保護(hù)層。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示器件，其中，所述溝道區(qū)包括非晶半導(dǎo)體。
全文摘要
一種顯示器件，其中降低了由于晶體管特性的改變而引起的亮度改變，并防止了由于電阻值的改變而引起的圖像質(zhì)量退化。本發(fā)明包括其溝道部分由非晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管，連接到該晶體管的源電極或漏電極的連接布線，具有包括像素電極、電致發(fā)光層和反向電極的疊層結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，環(huán)繞像素電極端部的絕緣層，和形成在和晶體管的柵電極、連接布線、或像素電極相同的層上的輔助布線。而且，連接布線連接到像素電極，且輔助布線通過提供在絕緣層中的開口部分連接到反向電極。
文檔編號G09G3/00GK102832228SQ20121029956
公開日2012年12月19日 申請日期2004年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月17日
發(fā)明者山崎舜平, 小山潤 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所