本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種有機發光像素補償電路、有機發光顯示面板及驅動方法。

背景技術：

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)和有機發光二極管(OLED，Organic Light Emitting Diode)顯示器作為兩種主流的顯示設備，越來越廣泛地被應用于各種便攜式電子設備中。

LCD是非自發光設備，OLED是一種自發光器件，相對于LCD，OLED顯示器具有更快的反應速度、更高的對比度和更寬的視角，因此，OLED顯示器越來越受到人們的重視。

然而，現有技術的OLED顯示器通常只對驅動晶體管的閾值電壓進行補償，但是卻沒有考慮發光元件的劣化。例如，隨著時間的推移，當電流流經發光元件時，發光元件的正向壓降(在規定的正向電流下，發光元件能夠導通的正向最低電壓)增大，而發光元件通常與驅動晶體管的源/漏極連接，從而使得驅動晶體管的源/漏極之間的電位差變小，因此流過發光元件的發光電流也變小，導致顯示異常。

技術實現要素：

鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種有機發光像素補償電路、有機發光顯示面板及驅動方法，以期解決現有技術中存在的技術問題。

根據本申請的一個方面，提供了一種有機發光像素補償電路，包括外部補償模塊，外部補償模塊包括數據線、參考電壓線、復位控制線、第一偵測控制線、第二偵測控制線、第一輸入/輸出端、第二輸入/輸出端、復位單元、閾值電壓偵測單元、劣化電壓偵測單元、數據處理單元和加和單元。其中，復位單元與參考電壓線和第二輸入/輸出端連接，用于基于復位控制線的信號將參考電壓線提供的信號傳輸至第二輸入/輸出端；閾值電壓偵測單元與數據線、第一輸入/輸出端和數據處理單元連接，用于基于第一偵測控制線的信號將第一輸入/輸出端上的電壓傳輸至數據處理單元；劣化電壓偵測單元與第二輸入/輸出端和數據處理單元連接，用于基于第二偵測控制線的信號將第二輸入/輸出端上的電壓傳輸至數據處理單元；數據處理單元與閾值電壓偵測單元、劣化電壓偵測單元和加和單元連接，用于處理閾值電壓偵測單元和劣化電壓偵測單元提供的電壓，并將處理后的電壓傳輸至加和單元；加和單元與數據處理單元、數據線連接，用于基于數據處理單元提供的電壓和數據線上的電壓提供補償后的電壓。

根據本申請的另一方面還提供了一種有機發光顯示面板，包括顯示區域和圍繞顯示區域的非顯示區域，非顯示區域中設置有多個外部補償模塊，每個外部補償模塊包括數據線、參考電壓線、復位控制線、第一偵測控制線、第二偵測控制線、第一輸入/輸出端、第二輸入/輸出端、復位單元、閾值電壓偵測單元、劣化電壓偵測單元、數據處理單元和加和單元。其中，復位單元與參考電壓線和第二輸入/輸出端連接，用于基于復位控制線的信號將參考電壓線提供的信號傳輸至第二輸入/輸出端；閾值電壓偵測單元與數據線、第一輸入/輸出端和數據處理單元連接，用于基于第一偵測控制線的信號將第一輸入/輸出端上的電壓傳輸至數據處理單元；劣化電壓偵測單元與第二輸入/輸出端和數據處理單元連接，用于基于第二偵測控制線的信號將第二輸入/輸出端上的電壓傳輸至數據處理單元；數據處理單元與閾值電壓偵測單元、劣化電壓偵測單元和加和單元連接，用于處理閾值電壓偵測單元和劣化電壓偵測單元提供的電壓，并將處理后的電壓傳輸至加和單元；加和單元與數據處理單元、數據線連接，用于基于數據處理單元提供的電壓和數據線上的電壓提供補償后的電壓。

根據本申請的又一方面還提供了一種驅動有機發光顯示面板的驅動方法，包括：在初始化期間，數據線提供數據電壓，參考電壓線提供參考電壓，第一電源電壓端提供第一電壓，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將數據電壓傳輸至驅動晶體管的柵極，復位偵測控制單元基于第二掃描線的信號導通，復位單元基于復位控制線的信號將參考電壓傳輸至發光元件的陽極，發光控制單元基于發光控制線的信號將第一電壓傳輸至驅動晶體管的第一極；在閾值電壓偵測期間，發光控制單元基于發光控制線的信號截止，驅動晶體管的第一極的電壓通過第一輸入/輸出端傳輸至閾值電壓偵測單元，閾值電壓偵測單元基于第一偵測控制線的信號完成對驅動晶體管的偵測；在第一電壓寫入期間，閾值電壓偵測單元基于第一偵測控制線的信號截止，復位單元基于復位控制線的信號截止，數據處理單元對所偵測的電壓進行處理得到閾值電壓，加和單元基于閾值電壓對數據電壓進行補償，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管的柵極；在劣化電壓偵測期間，發光控制單元基于發光控制線的信號導通，發光元件的陽極電壓傳輸至第二輸入/輸出端，劣化電壓偵測單元基于第二偵測控制線的信號完成對發光元件的偵測；在第二電壓寫入期間，發光控制單元基于發光控制線的信號截止，劣化電壓偵測單元基于第二偵測控制線的信號截止，數據處理單元對所偵測的陽極電壓進行處理得到劣化電壓，加和單元基于劣化電壓對數據電壓進行補償，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管的柵極；在發光期間，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號截止，復位偵測控制單元基于第二掃描線的信號截止，發光控制單元基于發光控制線的信號導通，發光元件發光。

本申請提供的方案，通過對第二輸入/輸出端的陽極電壓進行偵測、處理獲得補償電壓，并通過數據線將補償電壓反饋到驅動晶體管的柵極，實現了對發光元件的劣化補償。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1A示出了本申請的有機發光像素補償電路的一個實施例的示意圖；

圖1B示出了本申請的有機發光像素補償電路的另一實施例的示意圖；

圖2A示出了圖1A所示的有機發光像素補償電路的一個實現方式的示意圖；

圖2B示出了圖1B所示的有機發光像素補償電路的一個實現方式的示意圖；

圖3示出了本申請的有機發光顯示面板的一個實施例的示意圖；

圖4示出了驅動圖3所示的有機發光顯示面板的時序圖；

圖5A～5F示出了圖3所示的有機發光顯示面板上的有機發光像素補償電路在圖4所示的各個階段的等效示意圖；

圖6示出了本申請的有機發光顯示面板的另一實施例的示意圖；

圖7示出了本申請的有機發光顯示面板的又一實施例的示意圖；

圖8示出了用于驅動本申請各實施例的有機發光顯示面板的驅動方法的示意性流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關發明，而非對該發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發明相關的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。

圖1A示出了本申請的有機發光像素補償電路的一個實施例的示意圖。

如圖1A所示，有機發光像素補償電路100a可包括外部補償模塊11a，外部補償模塊11a包括數據線Data、參考電壓線Ref、復位控制線SW3、第一偵測控制線SW1、第二偵測控制線SW2、第一輸入/輸出端101、第二輸入/輸出端102、復位單元113、閾值電壓偵測單元111、劣化電壓偵測單元112、數據處理單元114和加和單元115。

其中，復位單元113與參考電壓線Ref和第二輸入/輸出端102連接，用于基于復位控制線SW3的信號將參考電壓線Ref提供的信號傳輸至第二輸入/輸出端102；閾值電壓偵測單元111與數據線Data、第一輸入/輸出端101和數據處理單元114連接，用于基于第一偵測控制線SW1的信號將第一輸入/輸出端101上的電壓信號傳輸至數據處理單元114；劣化電壓偵測單元112與第二輸入/輸出端102和數據處理單元114連接，用于基于第二偵測控制線SW2的信號將第二輸入/輸出端102上的電壓信號傳輸至數據處理單元114；數據處理單元114與閾值電壓偵測單元111、劣化電壓偵測單元112和加和單元115連接，用于處理閾值電壓偵測單元111和劣化電壓偵測單元112提供的電壓信號，并將處理后的電壓信號傳輸至加和單元115；加和單元115與數據處理單元114、數據線Data連接，用于基于數據處理單元114提供的電壓信號和數據線Data上的電壓信號提供補償后的電壓信號。

在本實施例中，閾值電壓偵測單元111從第一輸入/輸出端101偵測有機發光像素中的驅動晶體管的閾值電壓，通過數據處理單元114的處理和加和單元115的加和，將補償后的數據電壓反饋到數據線Data，對有機發光像素的閾值電壓進行補償。同時，劣化電壓偵測單元112從第二輸入/輸出端102偵測有機發光像素中的發光元件的陽極電壓信號，通過數據處理單元114的處理和加和單元115的加和，將補償后的數據電壓反饋到數據線Data，對有機發光像素的發光元件進行劣化補償。

有機發光像素補償電路100a還可包括多個內部補償模塊12a，每個內部補償模塊12a可包括數據電壓存儲單元121、數據電壓寫入單元122、復位偵測控制單元123、發光控制單元124、發光元件D1、驅動晶體管DT、發光控制線SW4、第一掃描線S1和第二掃描線S2。

其中，數據電壓存儲單元121與驅動晶體管DT的柵極連接，用于存儲驅動晶體管DT的柵極電壓信號；數據電壓寫入單元122與數據線Data和驅動晶體管DT的柵極連接，用于基于第一掃描線S1的信號將數據線Data的信號傳輸至驅動晶體管DT的柵極；復位偵測控制單元123與發光元件D1的陽極和第二輸入/輸出端102連接，用于基于第二掃描線S2的信號將發光元件D1的陽極電壓信號傳輸至第二輸入/輸出端102或者將第二輸入/輸出端102的電壓信號傳輸至發光元件D1的陽極；發光控制單元124與第一電源電壓端VDD和驅動晶體管DT的第一極連接，用于基于發光控制線SW4的信號控制發光元件D1發光；發光元件D1的陰極與第二電源電壓端VEE連接；驅動晶體管DT的第二極與發光元件D1的陽極連接，驅動晶體管DT的第一級與第一輸入/輸出端101連接。

內部補償模塊12a可將包含驅動晶體管DT的閾值電壓的電壓信號傳輸至第一輸入/輸出端101，然后通過數據線Data將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管DT的柵極，完成閾值電壓補償。此外，內部補償模塊12a還可將包含發光元件D1的陽極電壓的電壓信號傳輸至第二輸入/輸出端102，并通過數據線Data將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管DT的柵極，完成劣化補償。

繼續參考圖1B，示出了本申請的有機發光像素補償電路的另一實施例的示意圖。

圖1B所示的實施例的大部分結構與圖1A所示的實施例相同，在以下的描述中，將不再贅述與圖1A所示的實施例相同的部分而重點描述不同之處。

與圖1A所示實施例不同的是，如圖1B所示，在有機發光像素補償電路100b中，發光控制線SW4和發光控制單元116可設置在外部補償模塊11b中。

其中，發光控制單元116與第一電源電壓端VDD和第一輸入/輸出端101連接，用于基于發光控制線SW4的信號將第一電源電壓端VDD的電壓信號傳輸至第一輸入/輸出端101。

在本實施例中，由于將發光控制線SW4和發光控制單元116設置在外部補償模塊11b中，不僅簡化了內部補償模塊12b的電路結構，而且減小了內部補償模塊12b所占的版圖面積，有利于提高有機發光像素的開口率，還有利于實現高PPI的有機發光顯示面板。

繼續參考圖2A和圖2B，圖2A示出了圖1A所示的有機發光像素補償電路100a的一個實現方式的示意圖，圖2B示出了圖1B所示的有機發光像素補償電路100b的一個實現方式的示意圖。

圖2A所示的有機發光像素補償電路200a是圖1A所示的有機發光像素補償電路100a的一個具體實現方式。因此，有機發光像素補償電路200a同樣可包括外部補償模塊21a和多個內部補償模塊22a，外部補償模塊21a同樣可包括數據線Data、參考電壓線Ref、復位控制線SW3、第一偵測控制線SW1、第二偵測控制線SW2、第一輸入/輸出端201、第二輸入/輸出端202、復位單元213、閾值電壓偵測單元211、劣化電壓偵測單元212、數據處理單元214和加和單元215，每個內部補償模塊22a同樣可包括數據電壓存儲單元221、數據電壓寫入單元222、復位偵測控制單元223、發光控制單元224、發光元件D1、驅動晶體管DT、發光控制線SW4、第一掃描線S1和第二掃描線S2。

與圖1A所示的實施例不同的是，圖2A所示的實現方式對閾值電壓偵測單元211、劣化電壓偵測單元212、復位偵測控制單元223、復位單元213、數據電壓存儲單元221、數據電壓寫入單元222和發光控制單元224的結構進行了具體的描述。

閾值電壓偵測單元211可包括第一開關晶體管T1和第一電容C1。其中，第一開關晶體管T1的柵極與第一偵測控制線SW1連接，第一開關晶體管T1的第一極與第一輸入/輸出端201連接，第一電容C1的第二端接地，第一開關晶體管T1的第二極和第一電容C1的第一端與數據處理單元214連接。

劣化電壓偵測單元212可包括第二開關晶體管T2和第二電容C2。其中，第二開關晶體管T2的柵極與第二偵測控制線SW2連接，第二開關晶體管T2的第一極和第二電容C2的第一端與第二輸入/輸出端202連接，第二電容C2的第二端接地，第二開關晶體管T2的第二極與數據處理單元214連接。

復位偵測控制單元223可包括第三開關晶體管T3。其中，第三開關晶體管T3的柵極與第二掃描線S2連接，第三開關晶體管T3的第一極與第二輸入/輸出端202連接，第三開關晶體管T3的第二極與發光元件D1的陽極連接。

復位單元213可包括第四開關晶體管T4。其中，第四開關晶體管T4的柵極與復位控制線SW3連接，第四開關晶體管T4的第一極與參考電壓線Ref連接，第四開關晶體管T4的第二極與第二輸入/輸出端202連接。

有機發光像素補償電路200a還可包括公共電壓線Vcom，數據電壓存儲單元221包括第三電容C3，數據電壓寫入單元222包括第五開關晶體管T5。其中，第三電容C3的第一端與驅動晶體管DT的柵極連接，第三電容C3的第二端與公共電壓線Vcom連接，第五開關晶體管T5的柵極與第一掃描線S1連接，第五開關晶體管T5的第一極與數據線Data連接，第五開關晶體管T5的第二極與驅動晶體管DT的柵極連接。

發光控制單元224可包括第六開關晶體管T6。其中，第六開關晶體管T6的柵極與發光控制線SW4連接，第六開關晶體管T6的第一極與第一電源電壓端VDD連接，第六開關晶體管T6的第二極與驅動晶體管DT的第一級連接。

圖2B所示的有機發光像素補償電路200b是圖1B所示的有機發光像素補償電路100b的一個具體實現方式。圖2B所示的有機發光像素補償電路200b的大部分結構與圖2A所示的有機發光像素補償電路200a相同，在以下的描述中，將不再贅述與圖2A所示的有機發光像素補償電路200a相同的部分而重點描述不同之處。

與圖2A所示的有機發光像素補償電路200a不同的是，如圖2B所示，內部補償模塊22b中未設置發光控制單元，發光控制線SW4和發光控制單元216可設置在外部補償模塊21b中。

發光控制單元216可包括第六開關晶體管T6。其中，第六開關晶體管T6的柵極與發光控制線SW4連接，第六開關晶體管T6的第一極與第一電源電壓端VDD連接，第六開關晶體管T6的第二極與第一輸入/輸出端201連接。

盡管圖2A和圖2B示出了第一開關晶體管T1、第二開關晶體管T2、第三開關晶體管T3、第四開關晶體管T4、第五開關晶體管T5、第六開關晶體管T6和驅動晶體管DT均為PMOS晶體管，第三電容C3連接到公共電壓線Vcom，但這僅僅是示意性的。可以理解的是，第一開關晶體管T1、第二開關晶體管T2、第三開關晶體管T3、第四開關晶體管T4、第五開關晶體管T5、第六開關晶體管T6和驅動晶體管DT可以均為NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N溝道金屬氧化物半導體)晶體管或者部分為NMOS晶體管，第三電容C3可以連接到驅動晶體管DT的第一極或第二極等。本領域技術人員可以根據實際應用場景的需求來設置。

可選地，有機發光像素補償電路還可包括與數據處理單元連接的閾值電壓存儲單元和劣化電壓存儲單元。

如圖1A所示，有機發光像素補償電路100a還可包括閾值電壓存儲單元117和劣化電壓存儲單元118。其中，閾值電壓存儲單元117與數據處理單元114連接，用于存儲數據處理單元114提供的閾值電壓；劣化電壓存儲單元118與數據處理單元114連接，用于存儲數據處理單元114提供的劣化電壓。

例如，對有機發光像素補償電路100a中的驅動晶體管DT進行閾值補償之后，可將閾值電壓存儲在閾值電壓存儲單元中；對有機發光像素補償電路100a中的發光元件D1進行劣化補償之后，可將劣化電壓存儲在劣化電壓存儲單元中。

這樣，數據處理單元將閾值電壓傳輸至加和單元之前，先將該閾值電壓與閾值電壓存儲單元中存儲的閾值電壓進行比較，如果該閾值電壓與閾值電壓存儲單元中存儲的閾值電壓不同，則將該閾值電壓傳輸至加和單元，對驅動晶體管進行閾值電壓補償。

類似地，數據處理單元將劣化電壓傳輸至加和單元之前，先將該劣化電壓與劣化電壓存儲單元中存儲的劣化電壓進行比較，如果該劣化電壓與劣化電壓存儲單元中存儲的劣化電壓不同，則將該劣化電壓傳輸至加和單元，對發光元件進行劣化補償。

可選地，有機發光像素補償電路還可包括驅動芯片，驅動芯片中可設置有查找表存儲器，用于存儲發光元件的伏安特性參數。

如圖1A所示，有機發光像素補償電路100a還可包括驅動芯片110，驅動芯片110中可設置有查找表存儲器119，用于存儲發光元件D1的伏安特性參數。

這樣，后續再進行劣化補償時，數據處理單元可將劣化電壓偵測單元獲得的陽極電壓信號傳輸至驅動芯片中的查找表存儲器，查找發光元件D1的劣化電壓，并將該劣化電壓傳輸至加和單元，對發光元件D1進行劣化補償，從而簡化數據處理單元對陽極電壓信號的處理過程。

繼續參考圖3，示出了本申請的有機發光顯示面板的一個實施例的示意圖。

如圖3所示，有機發光顯示面板300可包括顯示區域31和圍繞顯示區域31的非顯示區域32。非顯示區域31中設置有多個外部補償模塊311，每個外部補償模塊311具有與圖2A所示的外部補償模塊21a相同的電路結構。

在本實施例中，閾值電壓偵測單元從第一輸入/輸出端偵測有機發光像素中的驅動晶體管的閾值電壓，通過數據處理單元的處理和加和單元的加和，將補償后的數據電壓反饋到數據線，對有機發光像素進行閾值電壓的補償。同時，劣化電壓偵測單元從第二輸入/輸出端偵測有機發光像素中的發光元件的陽極電壓信號，通過數據處理單元的處理和加和單元的加和，將補償后的數據電壓反饋到數據線，對有機發光像素進行劣化電壓的補償。

顯示區域31可包括多行像素單元323和多列像素單元324，每行像素單元323可包括多個子像素322，每列像素單元324可包括多個子像素322；每個子像素322中可設置有內部補償模塊321，內部補償模塊321可具有與圖2A所示的內部補償模塊22a相同的電路結構。

內部補償模塊321可將包含驅動晶體管的閾值電壓的電壓信號傳輸至第一輸入/輸出端，然后通過數據線將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管的柵極，完成閾值電壓補償。此外，內部補償模塊321還可將包含發光元件的陽極電壓的電壓信號傳輸至第二輸入/輸出端，并通過數據線將補償后的數據電壓傳輸至驅動晶體管的柵極，完成劣化補償。

下面將以第一開關晶體管、第二開關晶體管、第三開關晶體管、第四開關晶體管、第五開關晶體管、第六開關晶體管和驅動晶體管均為PMOS晶體管為例，結合圖2A所示的電路圖、圖4所示的時序圖和圖5A～圖5F所示的等效電路圖來描述圖3所示的有機發光顯示面板300的工作原理。

P1階段：數據線Data提供數據電壓信號V_data，參考電壓線Ref提供參考電壓信號V_ref，第一電源電壓端VDD提供第一電壓信號Vdd，第一掃描線S1、第二掃描線S2、復位控制線SW3和發光控制線SW4提供低電平信號，第五開關晶體管T5、第三開關晶體管T3、第六開關晶體管T6、第四開關晶體管T4和驅動晶體管DT導通，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5A所示。

在該階段，驅動晶體管DT的柵極(即，N2節點)電位V_g為V_data，驅動晶體管DT的源極(即，驅動晶體管DT的第一極或N1節點)電位V_s為Vdd，發光元件D1的陽極電位V_oled+為V_ref。

P2階段：發光控制線SW4提供高電平信號，第一偵測控制線SW1提供低電平信號，第六開關晶體管T6截止，第一開關晶體管T1導通，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5B所示。

在該階段，驅動晶體管DT的源極向第一電容C1放電，源極電位V_s由Vdd逐漸下降至V_data+|V_th|，停止放電，源極電位V_s由第一電容C1保持。在這里，V_th為驅動晶體管DT的閾值電壓。

P3階段：第一偵測控制線SW1和復位控制線SW3提供高電平信號，第一開關晶體管T1和第四開關晶體管T4截止，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5C所示。

在該階段，數據處理單元214從第一電容C1中獲取源極電位V_s，從數據線Data獲取數據電壓信號V_data，然后進行處理(例如，對兩個電壓信號做減法運算，V_s-V_data)獲得閾值電壓|V_th|，并將該閾值電壓|V_th|傳輸至加和單元215，由加和單元215經過加和處理后，將補償后的數據電壓信號V_data’(V_data’＝V_data-|V_th|)通過數據線Data反饋至驅動晶體管DT的柵極(即，N2節點)，補償后的數據電壓信號V_data’由第三電容C3保持。

P4階段：第二偵測控制線SW2和發光控制線SW4提供低電平信號，第二開關晶體管T2、第六開關晶體管T6和驅動晶體管DT導通，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5D所示。

在該階段，驅動晶體管DT的源極(即，N1節點)電位V_s＝Vdd，驅動晶體管DT的柵極(即，N2節點)電位V_g＝V_data’，發光元件D1的陽極電位V_oled+通過第三開關晶體管T3和第二開關晶體管T2被傳輸至數據處理單元214。

由晶體管在飽和區的電流公式：

I＝k(|V_gs|-|V_th|)²(1+λ·V_ds) (1)

可算出在P4階段，流過發光元件D1的發光電流為：

I_oled＝k(Vdd-V_data'-|V_th|)²(1+λ(Vdd-V_oled+)) (2)

其中，V_gs為驅動晶體管DT柵極和源極之間的電位差，V_ds為驅動晶體管DT源極和漏極(驅動晶體管DT的第二極)之間的電位差，λ為溝道長度調制參數；

μ為驅動晶體管DT的遷移率，c_ox為驅動晶體管DT的單位面積柵氧化層電容的容值，為驅動晶體管DT的溝道寬長比。

化簡上述公式(2)可得，在P4階段，流過發光元件D1的發光電流為：

I_oled＝k(Vdd-V_data)²(1+λ(Vdd-V_oled+)) (3)

從公式(2)可以看出，發光電流I_oled與驅動晶體管DT的閾值電壓V_th無關。因此，在發光元件D1的陽極電壓相同的情況下，向本實施例的有機發光顯示面板300施加相同的第一電壓信號Vdd和數據電壓信號V_data，可以得到相同的發光電流I_oled，避免了驅動晶體管DT的閾值電壓V_th對發光電流I_oled的影響，從而避免了由于驅動晶體管DT的閾值差異而導致的顯示不均。

在P5階段，第二偵測控制線SW2和發光控制線SW4提供高電平信號，第二開關晶體管T2和第六開關晶體管T6截止，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5E所示。

數據處理單元214對陽極電壓信號V_oled+進行處理獲得發光元件D1的劣化電壓ΔV_oled，并將所獲得的劣化電壓ΔV_oled傳輸至加和單元215，由加和單元215經過加和處理后，將補償后的數據電壓信號V_data”(V_data”＝V_data-|V_th|-ΔV_oled)通過數據線Data反饋至驅動晶體管DT的柵極(即，N2節點)，補償后的數據電壓信號V_data”由第三電容C3保持。

數據處理單元214對陽極電壓信號V_oled+進行處理獲得劣化電壓ΔV_oled的過程可參考如下描述：計算發光元件D1的正向電壓V_oled(V_oled＝V_oled-Vee，Vee為第二電源電壓端VEE提供的電壓信號)；基于預先存儲的發光元件的伏安特性參數獲得與發光元件D1的正向電壓V_oled對應的電流值；通過該電流值計算發光元件D1的亮度；如果發光元件D1的亮度衰減(相對于發光元件D1未衰減時的亮度)超過預定值(例如，3％)，則需要對發光元件進行劣化補償，基于預先存儲的發光元件的伏安特性參數獲得劣化電壓ΔV_oled。

在P6階段，第一掃描線S1和第二掃描線S2提供高電平信號，發光控制線SW4提供低電平信號，第五開關晶體管T5和第三開關晶體管T3截止，第六開關晶體管T6和驅動晶體管DT導通，發光元件D1發光，有機發光像素補償電路200a的等效電路如圖5F所示。

驅動晶體管DT的源極(即，N1節點)電位V_s＝Vdd，驅動晶體管DT的柵極(即，N2節點)電位V_g＝V_data”，流過發光元件D1的發光電流為：

I_oled＝k(Vdd-V_data+ΔV_oled)²(1+λ(Vdd-V_oled+)) (4)

通過將公式(3)與公式(2)對比可知，對發光元件D1進行劣化補償后，發光電流I_oled增大。本實施例的有機發光顯示面板300即使在長時間使用后產生亮度衰減的情況下，通過劣化補償增大發光電流，避免由發光元件D1的劣化導致的亮度衰減，有效地延長了有機發光顯示面板300的使用壽命。

第六開關晶體管T6和發光控制線SW4可設置在子像素322的內部補償模塊321中，并且同一行像素單元323中的各子像素322的發光控制線SW4連接在一起。也就是說，同一行像素單元323中的各第六開關晶體管T6可共用一條發光控制線SW4，第一電壓信號Vdd基于該發光控制線SW4的信號控制同一行像素單元323的各子像素322同時發光。

這樣，可以以每行像素單元323為單位，對驅動晶體管DT的閾值電壓和發光元件D1的劣化電壓進行補償，提高了信號的處理速度。

同一列像素單元324中的各子像素322的內部補償模塊321可連接到同一個外部補償模塊311。

相鄰的至少兩列像素單元324可連接到同一條參考電壓線。也就是說，在相鄰的至少兩列像素單元324中，各子像素322可共用一條參考電壓線Ref，這樣減少了參考電壓線Ref在子像素322中的走線。相應地，在相鄰的至少兩個外部補償模塊311可共用同一個復位單元(未示出)，從而簡化了外部補償模塊的電路結構，減小了外部補償模塊311所占的版圖面積。

可選地，各外部補償模塊311可共用同一個數據處理單元。相應地，各外部補償模塊311可共用同一個加和單元。這樣，外部補償模塊311的電路結構進一步被簡化，外部補償模塊311所占的版圖面積也進一步被減小。

可選地，有機發光顯示面板300的非顯示區域31中還可設置有閾值電壓存儲單元(未示出)和劣化電壓存儲單元(未示出)。其中，閾值電壓存儲單元與數據處理單元連接，用于存儲數據處理單元提供的閾值電壓；劣化電壓存儲單元與數據處理單元連接，用于存儲數據處理單元提供的劣化電壓。

例如，對子像素322中的驅動晶體管進行閾值補償之后，可將閾值電壓存儲在閾值電壓存儲單元中；對子像素322中的發光元件進行劣化補償之后，可將劣化電壓存儲在劣化電壓存儲單元中。

這樣，數據處理單元將閾值電壓傳輸至加和單元之前，先將該閾值電壓與閾值電壓存儲單元中存儲的閾值電壓進行比較，如果該閾值電壓與閾值電壓存儲單元存儲的閾值電壓不同，則將該閾值電壓傳輸至加和單元，對子像素322中的驅動晶體管進行閾值電壓補償。

類似地，數據處理單元將劣化電壓傳輸至加和單元之前，先將該劣化電壓與劣化電壓存儲單元中存儲的劣化電壓進行比較，如果該劣化電壓與劣化電壓存儲單元中存儲的劣化電壓不同，則將該劣化電壓傳輸至加和單元，對子像素322中的發光元件進行劣化補償。

可選地，有機發光顯示面板300的非顯示區域31中還可設置有驅動芯片(未示出)，驅動芯片中可設置有查找表存儲器，用于存儲發光元件的伏安特性參數。

可預先對有機發光顯示面板上的全部像素單元進行補償(閾值補償和劣化電壓)，并將補償前后的發光元件的伏安特性參數存儲在查找表存儲器中。

這樣，后續再進行劣化補償時，數據處理單元可將劣化電壓偵測單元獲得的陽極電壓信號傳輸至查找表存儲器，查找發光元件的劣化電壓，并將該劣化電壓傳輸至加和單元，對子像素322中的發光元件進行劣化補償，從而簡化數據處理單元對陽極電壓信號的處理過程。

本實施例中，每行像素單元可連接一條第一掃描線和一條第二掃描線。

例如，在一些應用場景中，第一掃描線S1～S_m的信號和第二掃描線S1’～S_m’的信號可分別由兩個移位寄存器33和34來生成。在這些應用場景中，第一掃描線S1～S_m的信號可具有與圖4中的S1相同的波形，而第二掃描線S1’～S_m’的信號可具有與圖4中的S2相同的波形。

此外，由于有機發光顯示面板300的每個子像素322中的內部補償模塊321除了驅動晶體管和發光元件之外，可僅包含有三個開關晶體管(例如，第五開關晶體管、第六開關晶體管和第三開關晶體管)和一個存儲電容，電路結構較為簡單，且只需要將包含驅動晶體管的閾值電壓的電壓信號和發光元件的陽極電壓信號傳遞到外部補償模塊311，即可實現閾值補償和劣化補償，因此可適用于各個尺寸的有機發光顯示設備。

繼續參考圖6，示出了本申請的有機發光顯示面板的另一實施例的示意圖。

圖6所示的實施例的大部分結構與圖3所示的實施例相同，有機發光顯示面板600的非顯示區域61中同樣可設置有多個外部補償模塊611；顯示區域61同樣可包括多行像素單元623和多列像素單元624，在像素單元623/624的每個子像素622中同樣可設置有內部補償模塊621。

與圖3所示實施例不同的是，在本實施例中，一行像素單元連接一條掃描線。

結合圖4中S1和S2的波形可知，第一掃描線和第二掃描線可具有相同的波形，因此，第一掃描線和第二掃描線可共用一條掃描線。

具體而言，如圖6所示，掃描線S1可與第一行像素單元623的數據電壓寫入單元和復位偵測控制單元連接，這樣一來，數據電壓寫入單元基于掃描線S1的信號將數據線的信號傳輸至驅動晶體管的柵極，復位偵測控制單元基于掃描線S1的信號將發光元件的陽極電壓傳輸至第二輸入/輸出端或者將第二輸入/輸出端的電壓傳輸至發光元件的陽極。類似地，掃描線S_m與第m行像素單元623的數據電壓寫入單元和復位偵測控制單元連接。

相應地，掃描線S1～S_m可由移位寄存器63來提供，從而進一步減少了內部補償模塊621所占的版圖面積。

繼續參考圖7，示出了本申請的有機發光顯示面板的又一實施例的示意圖。

圖7所示的實施例的大部分結構與圖3所示的實施例相同，有機發光顯示面板700的非顯示區域71中同樣可設置有多個外部補償模塊711；顯示區域71同樣可包括多行像素單元723和多列像素單元724，在像素單元723/724的每個子像素722中同樣可設置有內部補償模塊721。

與圖3所示實施例不同的是，如圖7所示，在有機發光顯示面板700中，第六開關晶體管T6和發光控制線SW4可設置在外部補償模塊711中，并且每列像素單元724可連接一個第六開關晶體管T6，各第六開關晶體管可共用同一條發光控制線SW4。也就是說，第一電壓信號Vdd可基于發光控制線SW4的信號，控制有機發光顯示面板700上的所有子像素722同時發光。

本實施例的有益之處在于：

一方面，將第六開關晶體管T6和發光控制線SW4從顯示區域72中的各子像素722的內部補償模塊721中移到非顯示區域71中的外部補償模塊711中，這樣不僅簡化了內部補償模塊721的電路結構，而且減小了內部補償模塊721在子像素722中所占的區域，有利于提高子像素722的開口率，更有利于實現高PPI的顯示面板。

另一方面，將第六開關晶體管T6和發光控制線SW4設置在外部補償模塊711中，并對第六開關晶體管T6和發光控制線SW4進行了有效地復用，簡化了有機發光顯示面板700的電路結構。

再一方面，由于第一電壓信號Vdd可基于發光控制線SW4的信號，控制有機發光顯示面板700上的所有子像素722同時發光，可對有機發光顯示面板700的所有子像素722集中進行補償，當所有的子像素722都被補償之后，基于發光控制線SW4的信號，有機發光顯示面板700上的所有子像素722同時發光。從而避免了因為逐行掃描產生的視覺不適，諸如，拖尾等。尤其是，當顯示面板700應用于VR(Virtual Reality，虛擬現實)設備時，避免了掃描期間產生的視覺不適，進而不會使用戶產生眩暈等不適。

此外，本申請還公開了一種有機發光顯示面板的驅動方法，用于驅動包含上述各實施例的有機發光顯示面板。

圖8示出了本申請的有機發光顯示面板的驅動方法在一個幀周期內的示意性流程圖800。

步驟801，在初始化期間，數據線提供數據電壓信號，參考電壓線提供參考電壓信號，第一電源電壓端提供第一電壓信號，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將數據電壓信號傳輸至驅動晶體管的柵極，復位偵測控制單元基于第二掃描線的信號導通，復位單元基于復位控制線的信號將參考電壓信號傳輸至發光元件的陽極，發光控制單元基于發光控制線的信號將第一電壓信號傳輸至驅動晶體管的第一極。

步驟802，在閾值電壓偵測期間，發光控制單元基于發光控制線的信號截止，驅動晶體管的第一極的電壓信號通過第一輸入/輸出端傳輸至閾值電壓偵測單元，閾值電壓偵測單元基于第一偵測控制線的信號完成對驅動晶體管的偵測。

步驟803，在第一電壓寫入期間，閾值電壓偵測單元基于第一偵測控制線的信號截止，復位單元基于復位控制線的信號截止，數據處理單元對所偵測的電壓信號進行處理得到閾值電壓，加和單元基于閾值電壓對數據電壓信號進行補償，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將補償后的數據電壓信號傳輸至驅動晶體管的柵極。

步驟804，在劣化電壓偵測期間，發光控制單元基于發光控制線的信號導通，發光元件的陽極電壓信號傳輸至第二輸入/輸出端，劣化電壓偵測單元基于第二偵測控制線的信號完成對發光元件的偵測。

步驟805，在第二電壓寫入期間，發光控制單元基于發光控制線的信號截止，劣化電壓偵測單元基于第二偵測控制線的信號截止，數據處理單元對所偵測的陽極電壓信號進行處理得到劣化電壓，加和單元基于劣化電壓對數據電壓信號進行補償，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號將補償后的數據電壓信號傳輸至驅動晶體管的柵極。

步驟806，在發光期間，數據電壓寫入單元基于第一掃描線的信號截止，復位偵測控制單元基于第二掃描線的信號截止，發光控制單元基于發光控制線的信號導通，發光元件發光。

在這里，當將本實施例的有機發光顯示面板的驅動方法應用于本申請的有機發光顯示面板(例如，圖3所示的有機發光顯示面板300、圖6所示的有機發光顯示面板600和圖7所示的有機發光顯示面板700)時，步驟801～步驟806的各信號的時序圖可參見圖4所示。

可選地，在本實施例的驅動方法中，參考電壓信號可不大于第二電源電壓端提供的第二電壓信號。這樣一來，可避免在初始化期間(參見圖4所示的P1階段)由于施加在發光元件陽極上的電壓信號大于施加在發光元件陰極上的電壓信號而產生漏電流使得發光元件發光，從而改善應用本實施例的驅動方法的有機發光顯示面板的暗態顯示效果。

可選地，在本實施例的驅動方法中，在每行像素單元被補償之后，發光控制單元可基于發光控制線的信號導通，發光元件發光。即，通過控制發光控制線的輸出信號，可使每行像素單元中的各像素同時進入發光階段。

這樣，以每行像素單元為單位，對驅動晶體管的閾值電壓和發光元件的劣化電壓進行補償，提高了信號的處理速度。

可選地，在本實施例的驅動方法中，在有機發光顯示面板上的所有子像素被補償之后，發光控制單元可基于發光控制線的信號導通，發光元件發光。即，通過控制發光控制線的輸出信號，可使有機發光顯示面板上的所有子像素同時進入發光階段。

這樣，可對有機發光顯示面板上的所有子像素集中進行補償，當所有的子像素都被補償之后，有機發光顯示面板上的所有子像素同時發光。從而避免了因為逐行掃描產生的視覺不適，諸如，拖尾等。尤其是，當本申請的有機發光顯示面板應用于VR(Virtual Reality，虛擬現實)設備時，避免了掃描期間產生的視覺不適，進而不會使用戶產生眩暈等不適。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明范圍，并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案。