本技術涉及顯示，具體涉及一種顯示面板。

背景技術：

1、硅基顯示面板是一種基于硅半導體技術的通過光學放大形成大視場的特殊顯示面板，硅基顯示面板通常包括驅動電路和發光器件，微型發光二極管(micro?lightemitting?diode，micro-led)或有機發光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)的發光材料都可以生長在硅基上，以制作成硅基顯示面板，硅基顯示面板可應用于近眼顯示設備和虛擬顯示設備上。

2、當前，常以數字子場掃描技術驅動硅基顯示面板的發光器件顯示。如圖1所示，以全灰階為256級灰階(l0～l255)為例，數字子場掃描技術指，將硅基顯示面板的一幀顯示周期h1切分為8個子場(f1～f8)，每個子場均包括數據寫入階段t1和發光階段t2，通過設置每個子場的加權值大小不同來控制每個子場的發光階段t2的時長不同，從而控制發光器件在每個子場的點亮時長不同，再基于所有子場的灰階疊加實現發光器件的全灰階顯示。采用數字子場掃描技術實現256級灰階的顯示，需要存儲每個發光器件的8位二進制(8bit)顯示數據，也即需要在硅基顯示面板的非顯示區內設置數據緩存電路，由數據緩存電路存儲至少由8位二進制顯示數據構成的圖像數據。

3、然而，設置數據緩存電路需要占據顯示面板的驅動背板的非顯示區，以至于顯示面板的邊框較大，影響顯示面板的整體模組大小。

技術實現思路

1、本技術提供一種顯示面板，解決因設置數據緩存電路而增大顯示面板邊框的問題。

2、本技術提供一種顯示面板，具有顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區，所述顯示區設有呈陣列排布的多個像素模塊，沿所述顯示面板的厚度方向，所述像素模塊包括：

3、第一驅動層，所述第一驅動層包括多個第一晶體管，多個所述第一晶體管的源極與所述第一驅動層的驅動電流端電性連接，多個所述第一晶體管的漏極與第一節點電性連接，所述第一晶體管用于基于灰階數據信號，將所述驅動電流端的驅動電流提供至所述第一節點；

4、第二驅動層，所述第二驅動層位于所述第一驅動層的表面，所述第二驅動層包括多個灰階數據信號存儲單元，多個所述灰階數據信號存儲單元與多個所述第一晶體管的柵極一一對應且電性連接，多個所述灰階數據信號存儲單元與所述顯示面板的同一條字線電性連接，多個所述灰階數據信號存儲單元與所述顯示面板的多條位線一一對應且電性連接，多個所述灰階數據信號存儲單元與所述顯示面板的第一電源端電性連接，所述灰階數據信號存儲單元用于基于所述字線傳輸的第一控制信號，存儲所述位線傳輸的所述灰階數據信號以及將所述灰階數據信號輸出至所述第一晶體管，其中，任一所述灰階數據信號存儲單元包括第二晶體管和電容器，所述第二晶體管的漏極與所述第一晶體管的柵極、所述電容器的第一極板電性連接，所述第二晶體管的柵極與所述字線電性連接，所述第二晶體管的源極與所述位線電性連接，所述電容器的第二基板與所述第一電源端電性連接；

5、發光器件層，所述發光器件層位于所述第二驅動層遠離所述第一驅動層的表面，所述發光器件層包括至少一個所述發光器件，至少一個所述發光器件的陽極與所述第一節點電性連接，至少一個所述發光器件的陰極與所述顯示面板的第二電源端電性連接，其中，所述第一節點為所述第一晶體管的漏極和所述發光器件之間的線路的節點。

6、在本技術提供的顯示面板中，所述第一驅動層還包括驅動電流調節單元，所述驅動電流調節單元與所述第一電源端以及所述顯示面板的參考電壓端電性連接，所述驅動電流調節單元還與所述驅動電流端電性連接，所述驅動電流調節單元用于基于所述參考電壓端提供的第三控制信號，向所述第一晶體管提供所述驅動電流。

7、在本技術提供的顯示面板中，所述第一驅動層還包括多個第三晶體管，多個所述第三晶體管的源極與多個所述第一晶體管的漏極一一對應且電性連接，多個所述第三晶體管的漏極與所述第一節點電性連接，多個所述第三晶體管的柵極與所述顯示面板的多個脈沖寬度調制信號控制端一一對應且電性連接，所述第三晶體管用于基于所述脈沖寬度調制信號控制端提供的第二控制信號，分時將所述第一晶體管提供的所述驅動電流輸出至所述發光器件。

8、在本技術提供的顯示面板中，所述像素模塊包括至少8個所述第一晶體管以及至少8個所述灰階數據信號存儲單元，至少8個所述第一晶體管的源極與所述驅動電流端電性連接，至少8個所述第一晶體管的漏極與所述第一節點電性連接，至少8個所述第一晶體管的柵極與至少8個所述第二晶體管的漏極一一對應且電性連接，至少8個所述第二晶體管的漏極與至少8個所述電容器的第一極板一一對應且電性連接，至少8個所述第二晶體管的柵極與同一條所述字線電性連接，至少8個所述第二晶體管的源極與至少8條所述位線一一對應且電性連接，至少8個所述電容器的第二極板與所述第一電源端電性連接。

9、在本技術提供的顯示面板中，同一行所述像素模塊與同一條所述字線電性連接，多行所述像素模塊與多條所述字線一一對應且電性連接，相鄰兩行所述像素模塊接收所述第一控制信號的有效電平的起始時點之間相差預設時長。

10、在本技術提供的顯示面板中，所述第二晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管。

11、在本技術提供的顯示面板中，沿所述顯示面板的厚度方向，所述第二驅動層包括：

12、第一源漏極層，所述第一源漏極層設于所述第一驅動層表面，所述第一源漏極層包括絕緣設置的所述第二晶體管的第一子源極部和所述第二晶體管的第一子漏極部；

13、第二源漏極層，所述第二源漏極層設于所述第一源漏極層遠離所述第一驅動層的一側，所述第二源漏極層包括絕緣設置的所述第二晶體管的第二子源極部和所述第二晶體管的第二子漏極部，所述第二子源極部與所述第一子源極部連接，所述第二子漏極部與所述第一子漏極部連接；

14、金屬氧化物半導體層，所述金屬氧化物半導體層設于所述第一源漏極層和所述第二源漏極層之間，所述金屬氧化物半導體層包括所述第二晶體管的金屬氧化物半導體部；

15、柵極層，所述柵極層設于所述第一源漏極層和所述第二源漏極層之間，且所述柵極層與所述金屬氧化物半導體層之間絕緣設置，所述柵極層包括所述第二晶體管的柵極部，所述柵極部在所述第一驅動層上的正投影與所述金屬氧化物半導體部的溝道部在所述第一驅動層上的正投影重合。

16、在本技術提供的顯示面板中，所述第二驅動層還包括第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層；

17、其中，所述第一絕緣層設于所述第一子源極部和所述第一子漏極部遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第一驅動層；

18、所述金屬氧化物半導體部設于所述第一絕緣層遠離所述第一驅動層的表面；

19、所述第二絕緣層設于所述金屬氧化物半導體部遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第一絕緣層；

20、所述柵極部設于所述第二絕緣層遠離所述第一驅動層的表面；

21、所述第三絕緣層設于所述柵極部遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第二絕緣層；

22、所述第二子源極部和所述第二子漏極部設于所述第三絕緣層遠離所述第一驅動層的表面，所述第二子源極部經所述第三絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層與所述第一子源極部連接，所述第二子源極部經所述第三絕緣層以及所述第二絕緣層與所述金屬氧化物半導體部的源極接觸部連接，所述第二子漏極部經所述第三絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層與所述第一子漏極部連接，所述第二子漏極部經所述第三絕緣層以及所述第二絕緣層與所述金屬氧化物半導體部的漏極接觸部連接。

23、在本技術提供的顯示面板中，所述第二驅動層還包括第一絕緣層以及第二絕緣層；

24、其中，所述第一絕緣層設于所述第一子源極部和所述第一子漏極部遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第一驅動層；

25、所述柵極部設于所述第一絕緣層遠離所述第一驅動層的表面；

26、所述第二絕緣層設于所述柵極部遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第一絕緣層；

27、所述金屬氧化物半導體部設于所述第二絕緣層遠離所述第一驅動層的表面；

28、所述第二子源極部至少部分設于所述金屬氧化物半導體部的源極接觸部遠離所述第一驅動層的表面，所述第二子源極部經所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層與第一子源極部連接，所述第二子漏極部至少部分設于所述金屬氧化物半導體部的漏極接觸部遠離所述第一驅動層的表面，所述第二子漏極部經所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層與所述第一子漏極部連接。

29、在本技術提供的顯示面板中，所述第二驅動層還包括層間介質層，所述層間介質層設于所述第二源漏極層遠離所述第一驅動層的表面，并覆蓋所述第一驅動層；

30、所述第二驅動層還包括鍵合孔以及鍵合金屬部，所述鍵合孔經所述層間介質層貫穿所述第二驅動層以露出部分所述第一驅動層，所述鍵合金屬部位于所述鍵合孔內，所述鍵合金屬部分別連接所述第一驅動層和所述發光器件。

31、本技術提供的顯示面板，通過在像素模塊的第一驅動層和發光器件層之間增設第二驅動層，并在第二驅動層中設置多個灰階數據信號存儲單元，且任一個灰階數據信號存儲單元包括第二晶體管和電容器，由多個灰階數據信號存儲單元的第二晶體管讀取多條位線分別傳輸的灰階數據信號，再由多個灰階數據信號存儲單元的電容器對第二晶體管讀取到的灰階數據信號進行存儲，故基于設置于顯示區的多個第二晶體管和多個電容器相應組成的多個灰階數據信號存儲單元可替代設置于非顯示區的由多個晶體管組成的靜態隨機存儲電路，從而顯示面板的非顯示區無需設置數據存儲電路，實現顯示面板的窄邊框化；此外，相較于基于多個晶體管組成的靜態隨機存儲電路，基于第二晶體管和電容器組成的動態隨機存儲電路可大幅度降低像素模塊在顯示面板的顯示區所占用的面積，顯示面板可以實現更高的像素密度。