專利名稱：光刻膠脫膜組成物及使用該組成物的模型形成方法
技術領域：
本發明是關于光刻膠脫膜組成物以及使用此組成物的模型形成方法，更確切地說，是關于為了在光平板印刷的掩膜中使用的光刻膠脫膜組成物以及使用該組成物的模型形成方法。
背景技術：
近來，伴隨著像計算機這樣的信息載體的普及，半導體裝置得到飛速的發展。在其功能方面，在半導體高速運轉的同時要求大容量的儲藏量。為此，半導體裝置向提高集成、依賴度和反應速度等方向的制造技術上面發展。因此，作為用于提高半導體裝置集成度的主要技術，對像光平版印刷這樣的精細加工技術要求變得很嚴格。
所謂的上述光平板印刷技術，就是在基板(為了形成模型而含有層)上形成了使用有機光刻膠的光刻膠層后、通過進行曝光和顯像來除去光刻膠層所定的部位、形成光刻膠模型。
關于光平板印刷技術的一個例子，在美國專利6200903和6214637有所揭露。
而且，對在蝕刻掩膜中使用的上述光刻膠模型進行蝕刻加工，在模型上形成被加工物體后，對在上述蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜。
上述掩膜中所使用的光刻膠通過使用組成物進行脫膜，組成物是由使光刻膠溶解的抑制劑、為了防止由于上述組成物而加在被加工物替上的損傷的抑制劑，和為了除去精細光刻膠性的殘留物的抑制劑等組成。
對上述的組成物進行具體的說明如下所述，作為使上述光刻膠溶解的物質含有丙酮、2-丙醇、甲基乙基酮(MEK)、一乙醇胺(MEK)、N-甲基-2-吡硌烷酮(NMP)、甲基乙酸(EA)、甲醇或者甲基異丁酮等。為了防止由于上述組成物而加在被加工物的損傷，含有像鄰苯二酚等這樣的螯合劑等。而且，除去上述精細的光刻膠性殘留物，含有二甲基亞砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAC)、乙基乙氧基乙醇乙酸(ECA)、丁基乙氧基乙醇乙酸(BCA)、甲基乙氧基乙醇乙酸(BCA)或者N-丁基乙酸(NBA)等。
對于含有上述一乙醇胺、二甲基亞砜和N-甲基-2-吡硌烷酮等的脫膜組成物的例子，在美國專利6218087號和6211127號等有所披露。
但是，使用現有組成物的光刻膠脫膜，上述加工物受到損傷的狀況頻繁地發生。特別是，當上述加工物體是金屬時，上述損傷猛烈地發生，盡管使用了上述的鄰苯二酚等，但因為組成物蝕刻加工物。另外，在脫膜中盡管使用了甲基亞砜，由于沒有完全除去光刻膠，頻繁發生殘留物殘留的情況。而且，在組成物中，使用一乙醇胺時，粘度高達34cps。因此，為了把組成物的粘度降低到17cps，有必要多加入抑制劑等。因此，作為在上述脫膜中增加所使用的組成物的使用量的原因和作為縮短組成物的使用壽命的原因而發揮作用。
因此，要求開發出能使被加工物體的損傷最少化、不殘留光刻膠性殘留物、完全地除去上述的光刻膠、降低粘度的脫膜組成物。

發明內容
本發明的第一個目的是提供一種光刻膠脫膜組成物，以使被加工物的損傷最少、不殘留光刻膠性殘留物、除去光刻膠。
本發明的第二個目的是提供一種方法，以使通過設定的模型正確地形成被加工物。
為了達到上述目的，本發明的組成物含有烷醇胺、嗎啉氧化物系化合物、抑制劑化合物以及去離子水。
為了達到上述目的，本發明形成模型的方法包括在被加工物上使用光刻膠、形成光刻膠層；使用上述的光刻膠層、進行光平版印刷、在模型上形成被加工物；使用上述的光刻膠脫膜組成物除去在上述被加工物上殘留的光刻膠層。
為此，通過使用上述組成物對光刻膠進行的脫膜，能夠使由于上述組成物而對被加工物的損傷最少化、光刻膠性的殘留物殘留最少化。
此外，通過進行蝕刻或者灰化(ァツシング)等操作，使用上述的組成物也能除去在加工室內殘留的殘留物。也就是說，在清洗上述加工室內的殘留物的洗凈溶液中，能充分利用組成物。
以下是本發明比較詳細地說明。
上述組成物組成的說明如下。上述組成物不僅含有烷醇胺、含有上述的嗎啉氧化物系化合物。具體地講，優選上述的烷醇胺從一乙醇胺和一異丙醇胺組成的組團中選擇至少一種。特別優選上述的一乙醇胺。而且，優選上述嗎啉氧化物系化合物從嗎啉氧化物、N-甲基-嗎啉氧化物、以及N-甲基嗎啉-N-氧化物組成的組團中選擇至少一種，特別地，嗎啉氧化物系化合物優選N-甲基嗎啉-N-氧化物。
此外，上述的組成物中含有抑制劑。更具體地說，作為螯合劑的上述抑制劑化合物優選鄰苯二酚。此外，優選上述組成物進一步含有二甲基乙酰胺(DMAC)或者N-甲基-2-吡硌烷酮(NMP)。
因此，作為一個例子，上述組成物由一乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚和去離子水構成，-乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚、去離子水和二甲基乙酰胺構成，一乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚、去離子水和N-甲基-2-吡硌烷酮構成。或者，作為其它的例子，上述組成物，由一乙醇胺、嗎啉氧化物、鄰苯二酚、去離子水和N-甲基-2-吡硌烷酮構成，一乙醇胺、嗎啉氧化物、鄰苯二酚、去離子水和二甲基乙酰胺構成。
上述組成物的含量說明如下。在上述的組成物中，如果上述烷醇胺的含量不到15重量％，延長了在脫膜中所需要的時間，因此不優選超過15重量％；如果超過30重量％，被加工物會受到損傷，所以不優選超過30重量％，因此，上述的烷醇胺的含量在15～30重量％，優選20～25重量％。上述嗎啉氧化物系化合物的含量，如果不到10重量％，光刻膠性殘留物有殘留，所以不優選少于10重量％；如果超過30重量％，被加工物會受到損傷，所以不優選超過30重量％，因此上述的嗎啉氧化物系化合物10～30重量％，優選15～20重量％。上述抑制劑化合物的含量，如果不到10重量％，就不能防止被加工物的損，這是不希望出現的；如果超過25重量％，上述的抑制劑化合物的使用量就會變多，這是不希望出現的，因此，上述抑制劑化合物的含量為10～25重量％，優選10～20重量％。上述去離子水的含量，如果不到10重量％，上述組成物的濃度就會升高，這是不希望出現的；如果超過40重量％，上述組成物的濃度就會降低，這是不希望出現的，因此，上述去離子水的含量10～40重量％，優選15～30重量％。
此外，在上述的組成物中，如果上述的二甲基乙酰胺的含量不到25重量％，上述的組成物的粘度就會升高，這是不希望出現的。如果超過45重量％，上述的二甲基乙酰胺的使用量就會增多，這是不希望出現的。因此，上述二甲基乙酰胺的含量25～45重量％，優選30～40重量％。上述的N-甲基-2-吡硌烷酮的含量如果不到25重量％，上述組成物的粘度就會增加，這是不希望出現的；如果上述N-甲基-2-吡硌烷酮的含量超過45重量％，上述的N-甲基-2-吡硌烷酮的使用量就會增多，這是不希望出現的。因此，上述N-甲基-2-吡硌烷酮的含量為25～45重量％，優選30～40重量％。
上述組成物的粘度由于組成物含量的不同而有差異。為了具有10～15cps進行調整。這是為了使用上述嗎啉氧化物系化合物和為了適當的添加上述的甲基乙酰胺和上述的N-甲基-2-吡硌烷酮。


圖1a～圖1e是對使用本發明組成物的模型形成方法進行說明的斷面圖。
圖2a～圖2b是表示在形成具有啤酒瓶狀結構(ビァホ一ル)結構體時，使用由實施方式1的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖3a～圖3d是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式2的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖4a～圖4c是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式3的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖5a～圖5d是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式4的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖6a～圖6d是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式5的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖7a～圖7c是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式6的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖8a～圖8d是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式7的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖9a～圖9d是表示在形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體時，使用由實施方式8的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖10a～圖10b是表示在形成具有金屬模型的結構體時，使用由實施方式9的方法所制造的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜的結果照片。
圖11a～圖11c是說明比較例4的照片。
圖12a～圖12d是說明比較例1的照片。
符號說明10表示基板12表示金屬層14表示光刻膠層發明實施方式以下參照附圖對本發明的優選實施例詳細的進行說明。
如圖1a所示，金屬層12采用集成的基板10。金屬層12使用Al、Cu、Mo等金屬進行集成。而且，基板10是半導體裝置或者平面顯示基板。
如圖1b所示，在金屬層12的上面，使用光刻膠進行涂層形成光刻膠層14，上述涂層主要是采用旋轉涂層進行的。
圖1c所示，通過光平板印刷，在光刻膠模型14a上面形成光刻膠層14。借此，表面露出所定部位的金屬層。具體的說明如下所示。
在上述光刻膠層的上面，為了有選擇的對上述的光刻膠層的所定部位進行曝光，插入圖案布置(パタ一ニング)的掩膜模型。而且，通過掩膜模型，對上述的光刻膠層用像紫外光或者X射線等這樣的光進行照射。上述光照射部位的光刻膠層和上述光沒有照射部分的光刻膠層有不同的溶解度。而且，使用現像液除去上述光照射部分的光刻膠層(正性光刻膠)，因此，在光刻膠模型上形成上述的光刻膠層。
如圖1d所示，在蝕刻模型上面使用光刻膠模型14a，對上述露出部分的金屬層12進行蝕刻。
如圖1e所示，在上述蝕刻掩膜中對使用的光刻膠模型14a進行脫膜，借此，在具有開口部位的金屬模型層12a上面形成金屬層12。上述的脫膜中，使用由烷醇胺、嗎啉氧化物系化合物、抑制劑化合物和去離子水構成的組合物。具體地說，使用由一乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚和去離子水構成的組合物，使用由一乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚、去離子水以及二甲基乙酰胺構成的組成物或者使用由-乙醇胺、N-甲基嗎啉-N-氧化物、鄰苯二酚、去離子水和N-甲基-2-吡硌烷酮構成的組成物。此外，能使用一乙醇胺、嗎啉氧化物、鄰苯二酚、去離子水和N-甲基-2-吡硌烷酮組成的組成物或者一乙醇胺、嗎啉氧化物、鄰苯二酚、去離子水和二甲基乙酰胺組成的組成物。
因此，以所設定的形態正確地形成上述金屬模型層。當實施上述的脫膜操作時，上述的組成物對金屬模型層沒有影響。而且，通過完全地除去上述光刻膠模型，在上述金屬模型層上面殘留不下光刻膠性的殘留物。
以下，對本發明的實施例進行詳細地說明。
實施方式1在500ml燒杯中加入一乙醇胺30ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物24ml，去離子水24ml和N-甲基-2-吡硌烷酮30ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。所制造的組成物的粘度是36分25秒。對上述組成物沿著玻璃壁面流動時間和標準物質沿著上述的玻璃壁面的流動時間進行測定后，根據對上述時間的差異進行比較，測定出上述的粘度。
實施方式2除去使用N-甲基嗎啉-N-氧化物48ml和去離子水48ml，通過與實施方式1相同的方法，制造出光刻膠脫膜組成物。將獲得的組成物的粘度用與實施方式1相同的方法進行測定，是1小時31秒。
實施方式3在500ml燒杯中加入一乙醇胺18ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物36ml，去離子水36ml和N-甲基-2-吡硌烷酮54ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是41分12秒。
實施方式4在500ml燒杯中加入一乙醇胺30ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物24ml，去離子水24ml和二甲基乙酰胺54ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是33分22秒。
實施方式5除去N-甲基嗎啉-N-氧化物48ml、去離子水48ml和二甲基乙酰胺30ml，采用與實施方式4相同的方法制造車光刻膠脫膜組成物，采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是56分49秒。
實施方式6在500ml燒杯中加入一乙醇胺18ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物36ml，去離子水36ml和二甲基乙酰胺54ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用和上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物粘度進行測定，是33分4秒。
實施方式7在500ml燒杯中加入一乙醇胺30ml，鄰苯二酚12g，嗎啉氧化物12ml，去離子水36ml和N-甲基-2-吡硌烷酮30ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是31分10秒。
實施方式8除去使用嗎啉氧化物24ml、去離子水24ml，采用與實施方式7相同的方法制造光刻膠脫膜組成物。
實施方式9除去使用嗎啉氧化物36ml、去離子水12ml，采用與實施方式7相同的方法制造車光刻膠脫膜組成物。
實施方式10
在500ml燒杯中加入一乙醇胺30ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物24ml，去離子水24ml和二甲基乙酰胺30ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是33分20秒。
實施方式11在500ml燒杯中加入一乙醇胺18ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物24ml，去離子水12ml和N-甲基-2-吡硌烷酮54ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是36分24秒。
實施方式12在500ml燒杯中加入一乙醇胺12ml，鄰苯二酚12g，N-甲基嗎啉-N-氧化物19.2ml，去離子水4.8ml和N-甲基-2-吡硌烷酮72ml，進行混合，制造出光刻膠脫膜組成物。采用上述實施方式1相同的方法對獲得的組成物的粘度進行測定，是25分40秒。
光刻膠模型的脫膜試驗。
試驗例1將上述實施方式1的組成物的溫度調整到62～68℃，此外，在硅氧烷基板上形成具有啤酒瓶狀結構的結構體，為了具有以底面為基準的0.35μm深度和0.30μm的寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在具有上述啤酒瓶狀結構的結構體形成中，使用上述實施方式1的組成物，對在蝕刻掩膜中使用的光刻膠模型進行脫膜。具體地說，使用上述組成物，上述的光刻膠模型十分之一進行脫膜，使用異丙醇，對上述基板三分之一進行清洗，使用去離子水，對上述基板三分之一進行清洗，反復進行二次，此外，對上述基板進行干燥。
將啤酒瓶狀結構部位垂直地切斷后，切段部位在掃描電子顯微鏡下進行確認。結果如圖2a和圖2b所示，能夠確認在上述的啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性殘留物。而且，上述圖2a是從上面所看到的啤酒瓶狀結構。
試驗例2將上述實施方式2的組成物溫度調整到62～68℃，此外，在硅氧烷基板上形成具有金屬模型和啤酒瓶狀結構的結構體。為了具有0.35μm的高度和0.30μm的寬度，形成了上述的金屬模型。上述的啤酒瓶狀結構形成與上述試驗例1相類似的深度和寬度。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式2的組成物，采用與試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，對上述金屬模型和啤酒瓶狀結構部位進行垂直切斷后，用掃描電子顯微鏡對切段部位進行確認，結果，如圖3a和圖3b所示，確認上述金屬模型沒有受到損害。上述3a就是從上面看到的上述金屬模型。上述圖3b是從下面看到的上述金屬模型。此外，如圖3c和圖3d所示，能確認在上述的啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性殘留物。上述圖3c是從上面看到的上述啤酒瓶狀結構，上述圖3d是在下面所看到的上述啤酒瓶狀結構。
試驗例3將上述實施方式3的組成物的溫度調整到62～68℃，此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。通過與上述試驗例2相同的方法形成結構體。為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型。而且，為了形成與試驗例2相類似的深度和寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式3的組成物，通過與試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
而且，通過與上述試驗例2相同的方法對切段部位進行確認，結果如圖4a和圖4b所示，確認上述的金屬模型沒有受到損害。上述圖4a是從上面看到的上述金屬模型。而且，如圖4c所示，確認了在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖4c是從上面看到的上述啤酒瓶狀結構。
試驗例4將上述實施方式4的組成物的溫度調整到62～68℃，此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型，此外，為了具有與試驗例2相類似的深度和寬度，形成上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式4的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，通過與上述試驗例2相同的方法對切斷部位進行確認。結果如圖5a和圖5b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖5a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖5b是從下面看到的金屬模型。而且，如圖5c和圖5d所示，確認在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖5c是在下面看到的上述啤酒瓶狀結構、上述5d是從上面看到的上述啤酒瓶狀結構。
試驗例5將上述實施方式5的組成物的溫度調整到62～68℃。此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。為了具有與上述試驗例2相類似高度和寬度，形成了上述的金屬模型，為了具有與上述試驗例2類似的深度和寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式5的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，通過與上述試驗例2相同的方法對切斷部位進行確認。結果，如圖6a和圖6b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖6a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖6b是從下面看到的金屬模型。而且，如圖6c和圖6d所示，確認在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖6c是在下面看到的上述啤酒瓶狀結構、上述6d是從上面看到的啤酒瓶狀結構。
試驗例6將上述實施方式6的組成物的溫度調整到62～68℃。此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型，而且，為了具有與上述試驗例2類似的深度和寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式6的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，通過與上述試驗例2相同的方法對切斷部位進行確認。結果，如圖7a和圖7b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖7a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖7b是從下面看到的金屬模型。而且，如圖7c和圖7d所示，確認在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖7c是在下面看到的上述啤酒瓶狀結構、上述7d是從上面看到的啤酒瓶狀結構。
試驗例7將上述實施方式7的組成物的溫度調整到62～68℃。此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型，而且，為了具有與上述試驗例2類似的深度和寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式7的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，通過與上述試驗例2相同的方法對切斷部位進行確認。結果，如圖8a和圖8b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖8a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖8b是從下面看到的金屬模型。而且，如圖8c和圖8d所示，確認在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖8c是在下面看到的上述啤酒瓶狀結構、上述8d是從上面看到的啤酒瓶狀結構。
試驗例8將上述實施方式8的組成物的溫度調整到62～68℃。此外，采用與上述試驗例2相同的方法形成結構體。采用為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型，而且，為了具有與上述試驗例2類似的深度和寬度，形成了上述的啤酒瓶狀結構。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式8的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，通過與上述試驗例2相同的方法對切斷部位進行確認。結果，如圖9a和圖9b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖9a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖9b是從下面看到的金屬模型。而且，如圖9c和圖9d所示，確認在上述啤酒瓶狀結構部位上沒有殘留光刻膠性的殘留物。上述圖9c是在下面看到的上述啤酒瓶狀結構、上述9d是從上面看到的啤酒瓶狀結構。
試驗例9將上述實施方式9的組成物的溫度調整到62～68℃，此外，在硅氧烷基板上形成具有金屬模型的結構體。為了具有與上述試驗例2類似的高度和寬度，形成了上述的金屬模型。
在上述結構體的形成中，除去使用上述實施方式9的組成物，通過與上述試驗例1相同的方法對光刻膠模型進行脫膜。
此外，將上述金屬模型部位垂直地切斷后，用掃描電子顯微鏡對切段部位進行確認，結果如圖10a和圖10b所示，確認了上述金屬模型沒有受到損害。上述圖10a是從上面看到的上述金屬模型、上述圖10b是從下面看到的金屬模型。
如上述的實施方式，使用含有上述嗎啉氧化物系化合物的光刻膠脫膜組成物，對光刻膠進行脫膜時，使被加工物的損傷最少化，不殘留光刻膠殘留物。
比較1～4 表1

如上述表1所示，在比較例3～4時，能夠確認使被加工物受到的損傷最少化、不存在光刻膠性的殘留物。
特別，在比較例1～4時，將含有使用上述組成物進行脫膜的基板的啤酒瓶狀結構和金屬模型的部位垂直切斷后，用掃描電子顯微鏡進行確認。
結果，如圖11a和圖11b所示(比較例4)，能夠確認上述金屬模型沒有損傷。如圖11c所示，能夠確認在上述啤酒瓶狀結構上沒有殘留光刻膠性殘留物。
另一方面，如圖12a和圖12b所示(比較例1)，能夠確認上述金屬模型受到損傷。如圖12c所示，能夠確認在上述啤酒瓶狀結構上殘留光刻膠性殘留物。
以上，本發明的實施例進行了詳細地說明，但并不限定于本發明，如果在本發明所屬的技術領域中具有一般的知識，可以不離開本發明的精神和思想，對本發明的實施例進行修改和變更。
發明的效果通過本發明，使用作為光刻膠脫膜組成物的嗎啉氧化物系化合物，使在上述光刻膠脫膜中發生的被加工物的損傷減少到最少、光刻膠性殘留物的殘留量最少。因此，使在光刻膠脫膜中發生的不良達到最少。因此，能希望獲得正確形成精細模型的效果。
而且，為了使組成物具有低的粘度，能使上述組成物的消耗最少化。借此，通過對上述組成物進行處理，不僅可積極地處理環境問題，而且希望獲得經濟上的利益所得。
權利要求
1.一種光刻膠脫膜組成物，其特征是，含有烷醇胺、嗎啉氧化物系化合物、抑制劑化合物和去離子水。
2.根據權利要求1所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述組成物中，含有15～30重量％的上述烷醇胺，含有10～30重量％上述的嗎啉氧化物系化合物，含有10～25重量％上述抑制劑化合物，含有10～40重量％上述的去離子水。
3.根據權利要求1所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述的烷醇胺從一乙醇胺和一異丙醇胺所組成的組團中至少選擇一種。
4.根據權利要求1所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述的嗎啉氧化物系化合物從嗎啉氧化物(MO)和N-甲基嗎啉-氧化物氧化(NMO)以及N-甲基嗎啉-N-氧化物(NMMO)組成的組團中至少選擇一種。
5.根據權利要求1所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述抑制劑化合物含有鄰苯二酚。
6.根據權利要求1所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述組成物還含有25～45重量％的二甲基乙酰胺或者25～45重量％的N-甲基-2-吡硌烷酮(NMP)。
7.根據權利要求6所述的光刻膠脫膜組成物，其特征是，上述的組成物具有10～15cps的粘度。
8.一種模型成形方法，其特征是，含有以下步驟在被加工物體上形成使用光刻膠的光刻膠層；對使用上述光刻膠層的光刻膠進行平板印刷，在模型上形成上述被加工物體；使用在權利要求1所述光刻膠脫膜組成物，除去在上述的被加工物體上殘留的光刻膠。
9.根據權利要求8所述的模型成形方法，其特征是，上述的被加工物是由金屬物質組成的金屬層。
10.根據權利要求9所述的模型成形方法，其特征是，上述金屬物質是Al、Cu、Mo、W、Ti、TiN或者W-硅化物(シリサィド)。
全文摘要
提供了一種組成物以及使用上述組成物的模型形成方法，組成物的目的是為了對在光平板印刷的掩膜中使用的光刻膠進行脫膜。組成物含有烷醇胺、嗎啉氧化物系化合物、抑制劑和去離子水。因此，使用上述組成物在被加工物上面除去殘留的光刻膠層時，能使光刻膠性殘留物殘留最少化。此外，上述組成物能除去在蝕刻室或者灰化室內殘留的殘留物，在清洗中也能積極地得到應用。
文檔編號G03F7/42GK1515963SQ0310027
公開日2004年7月28日 申請日期2003年1月10日 優先權日2003年1月10日
發明者吉埈仍, 任興彬, 吉 仍 申請人:吉埈仍, 任興彬, 吉 仍