專利名稱：光刻膠成膜樹脂及其制備方法
技術領域：
本發明涉及微電子加工領域，尤其涉及一種光刻膠成膜樹脂及其制備方法。
背景技術：
隨著微電子加工工藝的發展，光刻膠在行業中得到了廣泛地運用。目前常用的正性光刻膠中的成膜樹脂多為酚醛樹脂，因其單體為苯酚或取代苯酚和甲醛，在制備過程中所使用的原料較容易獲得，且較容易合成。所生成的酚醛樹脂具有一定的堿溶性，使得光刻膠可以通過堿性溶液進行顯影，經濟環保。但是，在微電子產品加工的過程中，需要在高溫環境下進行加工，此時因光刻膠中酚醛樹脂的玻璃化轉變溫度為70-120°C，過高的環境溫度會使通過構圖工藝形成的圖形發生形變，從而無法實現高精度的微電子加工。

發明內容
本發明的實施例提供一種熱穩定性較高的光刻膠成膜樹脂及其制備方法。為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案一方面，本發明提供了一種光刻膠成膜樹脂，由式(I)所示的單體A、式(2)所示的單體B和式(3)所示的單體C聚合而成；
權利要求
1.一種光刻膠成膜樹脂，其特征在于，由式(I)所示的單體A、式(2)所示的單體B和式(3)所示的單體C聚合而成；
2.根據權利要求I所述的光刻膠成膜樹脂，其特征在于，所述R1-R4各自地選自氫、鹵素、羥基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一種； 所述R5-R6各自地選自氫、取代或未取代的烷基和雜環基中的一種。
3.根據權利要求I所述的光刻膠成膜樹脂，其特征在于，所述R7選自氫、鹵素、羥基和C1-C4烷基中的一種。
4.根據權利要求I所述的光刻膠成膜樹脂，其特征在于，所述R8選自羧基或酯基中的一種。
5.根據權利要求I所述的光刻膠成膜樹脂，其特征在于， 所述單體A的物質的量的百分比為25%-40% ； 所述單體B的物質的量的百分比為35%-45% ； 所述單體C的物質的量的百分比為20%-30%。
6.一種光刻膠成膜樹脂的制備方法，其特征在于，包括 向溶劑中分別混入式(I)所示的單體Α、式(2)所示的單體B、式(3)所示的單體C和引發劑，形成第一混合溶液；
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述R1-R4各自地選自氫、鹵素、羥基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一種； 所述R5-R6各自地選自氫、取代或未取代的烷基和雜環基中的一種。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述R7選自氫、鹵素、羥基和C1-C4烷基中的一種。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述R8選自羧基或酯基中的一種。
10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述單體A的物質的量的百分比為25%-40% ;所述單體B的物質的量的百分比為35%-45% ;所述單體C的物質的量的百分比為20%-30%。
11.根據權利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述反應溫度為80-85°C。
12.根據權利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述反應時間為12小時。
13.根據權利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述溶劑為單體總質量的8-12倍。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述溶劑為二氧六環或四氫呋喃。
15.根據權利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述引發劑為偶氮二異丁腈、過氧化苯甲?；蜻^硫酸銨。
16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述引發劑質量為單體總質量的.0.6%-1%。
全文摘要
本發明公開了一種光刻膠成膜樹脂及其制備方法，屬于微電子加工領域，為解決現有技術中以酚醛樹脂作為光刻膠成膜樹脂時，玻璃化轉變溫度較低，不適于高溫加工的問題而設計。一種光刻膠成膜樹脂，由式(1)所示的單體A、式(2)所示的單體B和式(3)所示的單體C聚合而成；其中，所述單體A的物質的量的百分比為20%-60%；所述單體B的物質的量的百分比為20%-60%；所述單體C的物質的量的百分比為10%-60%；所述n為1-10的整數。
文檔編號G03F7/004GK102890418SQ20121037954
公開日2013年1月23日 申請日期2012年9月29日 優先權日2012年9月29日
發明者劉陸, 薛建設, 惠官寶 申請人:京東方科技集團股份有限公司