專利名稱：保護劑供給構件、保護層形成裝置及成像設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種保護劑供給構件、一種保護層形成裝置、以及一種成像設備。
背景技術：
不論所用的顯影系統是什么，傳統電子照相系統的成像設備一般對其大致為鼓狀或帶形的圖像承載構件(常常稱為感光體)均勻充電，在轉動載像體的同時，用激光之類在圖像承載構件上形成潛像圖案，且通過其顯影裝置使潛像可視化而形成可見的圖像，接著將可見圖像(調色劑圖像)轉印到轉印介質以形成圖像。在調色劑圖像轉印到轉印介質上之后，一些未被轉印的調色劑殘留物保持在圖像承載構件上。如果圖像承載構件帶著這些殘留物經受充電處理，這些殘留物會影響圖像承載構件的均勻充電。所以，在轉印步驟之后，通常在清潔步驟中去除殘留在圖像承載構件上的殘留物之類，在圖像承載構件的表面已經徹底清潔的情況下進行充電。在成像的各個步驟中，存在各種物理應力和電應力。隨著時間的流逝，已經接受各種物理應力或電應力的圖像承載構件改變其表面狀況。例如，已經公知，在上述應力中，在清潔步驟中摩擦力造成的應力磨損圖像承載構件，并在圖像承載構件上形成劃痕。為了解決上述問題，已經公知，在圖像承載構件上施加保護劑是有效的。通過在圖像承載構件上涂覆保護劑，圖像承載構件表面的摩擦系數減小，抑制了清潔刮片或圖像承載構件的劣化，并且，提高了例如由于轉印在圖像承載構件上沉積的調色劑殘留物的釋放性能，及時防止產生清潔失敗，或者防止鍍膜的出現。作為一種往圖像承載構件上涂覆保護劑的技術，公開了一種保護層形成裝置，包括保護劑塊；保護劑供給構件，由可轉動的刷構件形成，用于與保護劑塊相接觸并將其上所承載的保護劑涂覆到圖像承載構件；以及保護劑按壓構件，用于按壓保護劑塊，以使保護劑塊與保護劑供給構件相接觸(參見，例如，日本專利申請特許公開(JP-A)第2007-65100 號)。但是，在所提出的這種技術中，大量通過可轉動的刷構件的轉動從保護劑塊刮除的保護劑的粉末擴散，從而造成大量保護劑的浪費。而且，由于刷纖維隨著時間的流逝而收縮(collapse)或者磨損，保護劑的消耗量不穩定，所以可能無法長期提供恒定量的保護劑。為了解決這個問題，公開了一種技術，使用具有泡沫層并呈輥形的保護劑供給構件作為保護層形成裝置的保護劑供給構件(參見，例如，JP-A第2009-150986號)。根據所提出的這種技術，幾乎不會產生由于磨損造成的保護劑粉末的擴散。但是，在這種技術中，具有泡沫層并呈輥形的保護劑供給構件是軟的，因而其刮擦保護劑塊的力較小。結果，保護劑不能充分地涂覆在圖像承載構件上，可能很難充分地防止圖像承載構件的鍍膜。如果試圖通過以更高壓力來按壓保護劑塊來增加保護劑供給構件所刮除的保護劑塊的量，大負荷施加到保護劑塊上，保護劑塊不能在長度方向上被均勻地刮擦，這會造成保護劑塊長度方向上保護劑的供給量的變化。結果，在保護劑的供給量較小的地方，圖像承載構件上沒有保護劑的保護作用，在這樣的部分會產生鍍膜。因此，當前的情況是，希望有一種具有泡沫層并呈輥形的保護劑供給構件，能夠減小因磨損造成的保護劑粉末的擴散，不需要使用大量保護劑，并能夠防止鍍膜，還希望有一種采用該保護劑供給構件的保護層形成裝置。

發明內容
本發明旨在解決現有技術中存在的各種問題，并達到如下目的。本發明的一個目的是提供一種保護劑供給構件，其能防止由于具有泡沫層的輥形保護劑供給構件的摩擦造成的粉末狀保護劑的擴散、抑制保護劑的消耗量、且可防止鍍膜，還提供使用該保護劑供給構件的一種保護層形成裝置以及使用該保護劑供給構件的成像設備。用于解決上述問題的方法如下<1> 一種保護劑供給構件，包括芯部；以及形成于芯部圓周上的泡沫層，其中保護劑供給構件是輥形，以及其中泡沫層具有在其表面上均勻布設的凹陷。<2>如<1>所述的保護劑供給構件，其中保護劑供給構件滿足如下關系0.5mm，禾口a2 ^ 0. 2mm,其中al是泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離，a2是凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離。<3>如<1>或<2>所述的保護劑供給構件，其中保護劑供給構件具有如下范圍內的 c/b比率0. 25 彡 c/b ^ 0. 75,其中b是彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c是彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。<4>如<1>至<3>中任意一個所述的保護劑供給構件，其中凹陷布設成網格圖案。<5>如<4>所述的保護劑供給構件，其中布設成網格圖案的凹陷具有分別在以下范圍內的比率cl/bl和c2/b2 0. 25 彡 cl/bl 彡 0. 75，和0. 25 彡 c2/b2 彡 0. 75，其中bl是相對于一個方向彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，Cl是相對于所述一個方向彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度，b2是相對于與所述一個方向垂直的方向彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c2是相對于與所述一個方向垂直的方向上彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。<6>如<1>至<5>中任意一個所述的保護劑供給構件，其中泡沫層包括聚亞安酯泡沫。<7>如<1>至<6>中任意一個所述的保護劑供給構件，其中泡沫層是互連胞孔結構(interconnected cell structure)的泡沫層。<8>如<1>至<7>中任意一個所述的保護劑供給構件，其中泡沫層每英寸包含 25-300個胞孔，并具有50N至500N的硬度。<9> 一種保護層形成裝置，包括保護劑塊；以及由<1>至<8>中任意一個所限定的保護劑供給構件。<10>如<9>所述的保護層形成裝置，其中保護劑塊包含脂肪酸金屬鹽和無機潤滑劑。<11>如<10>所述的保護層形成裝置，其中脂肪酸金屬鹽是硬脂酸鋅。<12>如<10>或<11>所述的保護層形成裝置，其中無機潤滑劑是氮化硼。<13>如<9>至<12>中任意一個所述的保護層形成裝置，還包括壓力施加構件，用于按壓保護劑塊以使保護劑塊與保護劑供給構件相接觸；以及保護層形成構件，用于攤薄涂覆在圖像承載構件表面上的保護劑以形成保護層。<14> 一種成像方法，包括在圖像承載構件上形成靜電潛像；用調色劑使靜電潛像顯影以形成可見圖像；將可見圖像轉印到記錄介質上；可見圖像已經從圖像承載構件轉印后，將保護劑涂覆到圖像承載構件的表面上以形成保護層；將轉印后的可見圖像定影到記錄介質上；其中由<9>至<13>中任意一個所限定的保護層形成裝置進行涂覆。<15> —神成像設備，包括圖像承載構件；靜電潛像形成構件，用于在圖像承載構件上形成靜電潛像；顯影單元，用于用調色劑使靜電潛像顯影以形成可見圖像；轉印單元，用于將可見圖像轉印到記錄介質上；保護層形成單元，用于在可見圖像已經從圖像承載構件轉印后，將保護劑涂覆到圖像承載構件的表面上以形成保護層；以及定影單元，用于將轉印后的可見圖像定影到記錄介質上，其中保護層形成單元是由<9>至<13>中任意一個所限定的保護層形成裝置。<16> 一種處理盒，包括圖像承載構件；以及如<9>至<13>中任意一個所限定的保護層形成裝置，
其中處理盒可拆卸地安裝在成像設備的主體上。 本發明能解決前面所述的本領域中的各種問題，并能提供一種保護劑供給構件， 其能防止由于具有泡沫層的輥形保護劑供給構件的摩擦造成的粉末狀保護劑的擴散、抑制保護劑的消耗量、且可防止鍍膜，還提供使用該保護劑供給構件的一種保護層形成裝置以及使用該保護劑供給構件的成像設備。


圖1是本發明保護劑供給構件一個實施例的示意性正視圖。圖2是圖1中保護劑供給構件的剖面圖。圖3是圖2所示內容的一部分的放大示圖。圖4是泡沫層表面的一個實施例的放大剖面圖。圖5是本發明保護劑供給構件另一實施例的示意性正視圖。圖6是本發明保護劑供給構件另一實施例的示意性正視圖。圖7是本發明保護劑供給構件另一實施例的示意性正視圖。圖8是圖6所示的保護劑供給構件的泡沫層的表面的放大示圖。圖9是閉合孔結構的泡沫層的實施例的示意性剖面圖。圖10是互連胞孔結構的泡沫層的實施例的示意性剖面圖。圖IlA是保護劑供給構件實施例的正視圖。圖IlB是保護劑供給構件的泡沫層的實施例的放大示圖。圖12是使用保護劑塊制造裝置通過壓縮制成保護劑塊的過程的透視圖。圖13是圖12所示制造裝置的側面剖視圖。圖14是保護劑塊的形狀的一個實施例的示圖。圖15是本發明保護層形成裝置的一個實施例的示意性剖視圖。圖16是本發明成像設備的一個實施例的示意性剖視圖。圖17是本發明處理盒的一個實施例的示意性剖視圖。
具體實施例方式保護劑供給構件
本發明的保護劑供給構件至少包括芯部和泡沫層，如有必要還可以包括其它構件。保護劑供給構件是輥形。芯部芯部的材料、形狀、尺寸和結構可以根據想達到的目的適當選擇，而沒有任何限制。芯部的材料的例子包括樹脂和金屬。樹脂的例子包括環氧樹脂和酚樹脂。金屬的例子包括鐵、鋁和不銹鋼。芯部的形狀的例子包括柱形和圓柱形。泡沬層泡沫層形成于芯部的圓周上。泡沫層在其表面上具有凹陷。在保護劑供給構件與圖像承載構件相接觸的區域(夾持部)，同時發生以下兩個動作(1)保護劑供給構件將保護劑涂覆到圖像承載構件上的動作，(2)保護劑供給構件將保護劑從圖像承載構件上清除的動作。由于泡沫層在其表面上布設有凹陷，保護劑供給構件與保護劑塊的接觸區域較小。由于接觸面積小，所以施加到圖像承載構件上的壓力減小，清除施加到圖像承載構件上的保護劑的動作被抑制。所涂覆的保護劑會很長時間不被刮除，圖像承載構件可以連續得以保護。結果，能夠防止圖像承載構件的鍍膜。凹陷
泡沫層的表面上具有規則地布設的凹陷。術語“規則地布設”意指基本上相同的形狀、基本上相同的尺寸且基本上均勻地布設在泡沫層的表面上的凹陷。泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離(al)可以根據想達到的目的適當選擇，而無任何限制，但優選0. 5mm或更大(al彡0. 5mm)，更加優選2. Omm至2. 8mm (2. Omm ^ al ^ 2. 8mm)。當平均距離(al)小于0. 5mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果以及防止充電構件污染的效果可能較差。反之，當平均距離(al)在上述更加優選的范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離(al)是通過測量隨機選擇的 5個點處的泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的距離所獲得的值的平均值。凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離(a2)可以根據想要達到的目的適當選擇，而無任何限制，但優選0. 2mm或更大(a2彡0. 2mm)，更加優選0. 2mm至 1. Omm(0. 2mm彡a2彡1. Omm)。當平均距離(a”小于0. 2mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果以及防止充電構件污染的效果可能較差。反之，當平均距離(a2)在上述更加優選的范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離(a2)是通過測量隨機選擇的5個點處凹陷的底面與凹陷的頂面之間的距離所獲得的值的平均值。根據想要達到的目的，適當選擇彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離(b)、彼此相鄰的一對凹陷之間出現的泡沫層的平均寬度(C)、以及比值(c/b)，無任何限制，但比值(C/ b)優選為0. 25至0. 75 (0. 25 ( c/b ( 0. 75)。當比值(c/b)小于0. 25時，防止圖像承載構件鍍膜的效果會較差。當比值(c/b)大于0. 75時，防止圖像承載構件鍍膜的效果會較差。當比值(c/b)在上述優選的范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。而且，當平均距離(al)為2. Omm彡al彡2. 7mm時，比值(c/b)優選0. 5彡c/ b 彡 0. 75。當平均距離(al)為2. 7mm彡al彡2. 8mm時，比值(c/b)優選0. 25彡c/b彡0. 5。通過計算測量在隨機選擇的5個點處兩個相鄰凹陷得到的值的平均值，可以獲得彼此相鄰的一對凹陷的平均距離(b)。通過計算測量在隨機選擇的5個點處兩個相鄰凹陷之間的泡沫層的寬度得到的值的平均值，可獲得彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度(c)。根據想要達到的目的選擇適當的泡沫層中凹陷的形狀和布置，而無任何限制。凹陷的形狀的例子基本上包括四棱柱形。泡沫層中的凹陷的形狀和布置的例子包括一實施例，其中每個基本上呈四棱柱形形的凹陷在基本平行于保護劑供給構件的軸向的方向上排列，并布置成在保護劑供給構件的圓周方向上相鄰兩者之間具有恒定間隔，另一實施例中，每個基本上呈四棱柱形的凹陷布設成網格圖案。在凹陷布設成網格圖案(也稱為棋盤圖案)的情況下，根據想達到的目的，適當地選擇彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度(Cl)與在一個方向上彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離(bl)的比值(cl/bl)，而無任何限制，但優選0.25 Scl/ bl<0.75。當比值(cl/bl)小于0.25mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果可能較差。當比值(cl/bl)大于0.75mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果可能較差。反之，當比值(cl/ bl)在上述更加優選的范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。而且，在凹陷布設成網格圖案的情況下，根據想達到的目的適當地選擇彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度(W)與在垂直于上述一個方向的方向上彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離( )的比值(c2A2)，而無任何限制，但優選0.25<c2/ Id2<0.75。當比值(c2A2)小于0.25mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果可能較差。當比值(c2/b2)大于0.75mm時，防止圖像承載構件鍍膜的效果可能較差。反之，當比值(c2/ b2)在上述更加優選的范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。通過測量在隨機選擇的5個點處的兩個相鄰凹陷的距離(bl’ )或者兩個相鄰凹陷的距離(b2’)，并從測量到的數值計算平均值，可以分別獲得彼此相鄰的一對凹陷的平均距離(bl)以及彼此相鄰的一對凹陷的平均距離0^)。通過測量在隨機選擇的5個點處的彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(cl’ )或者彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(c2’)，并從測量到的數值計算平均值，可以獲得彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度(cl)以及彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度 (c2)。下面參照附圖解釋凹陷的形狀和布置。圖1是本發明保護劑供給構件一個實施例的示意性正視圖。圖2是圖1中保護劑供給構件的剖面圖。圖1和2中的保護劑供給構件 25具有輥形芯部23以及設置在芯部23圓周上的圓筒形泡沫層對。而且，在泡沫層M上， 凹陷26在基本平行于保護劑供給構件25的軸向的方向上排列，并且基本上沿著保護劑供給構件25的圓周方向以相等間隔均勻布設。各凹陷沈呈立方體形。圖3是圖2的部分放大示圖。標記al’表示泡沫層的內圓周表面與凹陷底面之間的距離，標記a2’表示凹陷的底面與凹陷的頂面之間的距離，標記b’表示彼此相鄰的一對凹陷之間的距離，標記C’表示彼此相鄰的一對凹陷之間出現的泡沫層的寬度。在本說明書中，術語凹陷是指以外表面27作為基準平面，在泡沫層M的最外層表面27上形成的凹陷26。如果凹陷的底面不是平面，為了測量泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的距離，凹陷的底面的標準是基于連接凹陷中兩個壁的最小距離的中心與包括凹陷的壁的中心的輥形保護劑供給構件的橫截面圓的中心的連線與凹陷之底面的交點。換言之，凹陷底面與凹陷頂面之間的距離(a2’ )是凹陷的深度。凹陷的頂面是構成泡沫層的最外層表面27的一部分的平面。彼此相鄰的一對凹陷之間的距離(b’)是兩個相鄰凹陷中的另一凹陷一側的凹陷的頂面的一端與面向上述兩個相鄰凹陷中的相鄰凹陷這一側的另一凹陷的頂面一端之間的距離。彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度 (c’ )是泡沫層的外表面27上的兩個相鄰凹陷之間的寬度方向上存在的泡沫層的寬度。下面參照圖5至7描述凹陷的布置的其它實施例。圖5是保護劑供給構件的另一實施例的示意性正視圖。圖5中，保護劑供給構件 25是輥形，并具有芯部23以及在芯部23圓周上的圓筒形泡沫層24。而且，在泡沫層M中， 凹陷沈在與保護劑供給構件25的軸向成一定角度的方向上排列，并在垂直于與上述一定角度的方向平行的方向的方向上基本上以相等間距均勻布設。各凹陷26基本上呈四棱柱形，并以螺旋式布設。圖6是保護劑供給構件另一實施例的示意性正視圖。圖6中所示的保護劑供給構件25包括輥形芯部23以及在芯部23圓周上的圓筒形泡沫層24。而且，在泡沫層M中，各凹陷沈基本上呈四棱柱形，并均勻地形成為網格圖案(也稱為棋盤圖案)。保護劑供給構件具有網格圖案，其中各凹陷和泡沫體交替地在軸向和圓周方向(即，與軸向垂直的方向) 上排列。圖7是保護劑供給構件另一實施例的示意性正視圖。圖7中所示的保護劑供給構件25包括輥形芯部23以及在芯部23圓周上的圓筒形泡沫層24。而且，在泡沫層M中，各凹陷沈基本上呈四棱柱形，并均勻地布設成網格圖案(也稱為棋盤圖案)。保護劑供給構件具有網格圖案，其中各凹陷和泡沫體交替地在與軸向呈45度角的軸向上以及與上述方向垂直的方向上排列。下面參照附圖解釋彼此相鄰的一對凹陷之間的距離(bl’ )、彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(Cl’)、彼此相鄰的一對凹陷之間距離(b2’ )以及彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(c2’)。圖8是圖6中的保護劑供給構件的表面的放大示圖。在圖8中，凹陷沈排列成網格圖案(棋盤圖案)。在圖8中，彼此相鄰的一對凹陷之間的距離(bl’ )是保護劑供給構件的軸向上彼此相鄰的兩個凹陷之間的距離；彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(Cl，)是保護劑供給構件的軸向上彼此相鄰的兩個凹陷之間存在的泡沫層的寬度；彼此相鄰的一對凹陷之間距離(b2’)是保護劑供給構件的圓周方向上彼此相鄰的兩個凹陷之間的距離；彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的寬度(c2’ )是保護劑供給構件的圓周方向上彼此相鄰的兩個凹陷之間存在的泡沫層的寬度。在保護劑供給構件中，優選凹陷基本上均勻地形成于泡沫層中，以防止圖像承載構件整個表面上發生鍍膜。但是，只要獲得的泡沫層不會影響本發明的預期效果，泡沫層的一部分上可以不形成凹陷。例如，凹陷可以形成也可以不形成在泡沫層的邊緣處，這里會與沒有用調色劑形成可見圖像(調色劑圖像)的圖像承載構件的邊緣接觸。根據想達到的目的適當選擇泡沫層中凹陷的形成方法，而無任何限制。其實施例包括利用能夠在泡沫層的模制過程中在泡沫層的最外層表面上形成凹陷的模具而在泡沫層中形成凹陷的方法，以及以凹陷形狀切除凹形泡沫層的最外層表面以在泡沫層中形成凹陷的方法。圖4是泡沫層的表面的剖面放大示圖。如圖4所示，泡沫層在其內部和其表面上具有微孔觀。因此，由于這些不規則排列的微孔所形成的凹陷出現在泡沫層的表面上。為了測量泡沫層中的各種距離，以泡沫層的最外層表面作為標準。如圖4所示，最外層表面是其中存在構成泡沫層M的材料(暴露出的表面27)的泡沫層對的最外層平面。 注意，對于泡沫層M的凹陷的底面，存在構成泡沫層M的材料的泡沫層M的最外層平面用作測量基準。而且，對于泡沫層M的內圓周表面，與最外層平面27類似，存在構成泡沫層M的材料的最內層平面用作測量泡沫層的厚度的基準。根據想達到的目的適當選擇泡沫層的材料，而無任何限制，其實施例包括聚亞安酯泡沫。聚亞安酯泡沬根據想達到的目的無限制地適當選擇聚亞安酯泡沫，其實施例包括至少混合多元醇、多異氰酸酯、催化劑和發泡劑預制成的聚亞安脂泡沫，還可適當地在其中混合其它物質，例如泡沫調節劑，并允許混合物反應。多元醇根據想達到的目的適當選擇聚亞安脂泡沫，而無任何限制，其實施例包括聚醚多元醇、聚酯多元醇。在上面列出的原料中，優選聚醚多元醇，因為它具有理想的加工特性，而且很容易控制所產生的泡沫層的硬度。聚醚多元醇是，例如，通過環氧乙烷、或環氧丙烷、或這兩者與引發劑開環加成聚合預制的聚醚多元醇，這是有2到8個活性氫的基團的低分子量的聚醚多元醇，或是具有2 至8個活性氫基團的低分子量的多胺，或兩者兼而有之。而且，聚醚多元醇是，例如，選自在制備軟質聚亞安脂泡沫時常用的那些，例如聚醚聚醚多元醇，聚酯聚醚多元醇，聚合物聚醚多元醇。對于聚醚多元醇，為了具有更好的可成形性能，優選其最終產品中環氧乙烷占 5mol %的或更多的聚醚聚醚多元醇。聚酯多元醇的實施例包括通過二元酸或其酸酐(如己二酸，鄰苯二甲酸酐，間苯二甲酸，對苯二甲酸，順丁烯二酸酐)與乙二醇或三醇(如乙二醇，二甘醇，三甘醇，丙二醇， 二丙二醇，1，4" 丁二醇，甘油，三羥甲基丙烷)聚合得到的聚酯多元醇。而且，關于聚酯多元醇，也可以使用對苯二甲酸乙二醇酯樹脂的聚乙烯廢料與上面列出的乙二醇解聚獲得。上述所列的多元醇，可單獨使用或組合使用。聚亞安酯根據想達到的目的無限制地適當選擇聚亞安酯，其實施例包括2，4_甲代亞苯基(2,4-TDI) ,2,6- 二異氰酸鹽 0，6-TDI)，tolidinedusocyanate (TODI)，亞萘基二異氰酸鹽(NDI)，亞二甲苯基二異氰酸鹽O(DI)，4，4' -二苯基甲烷二異氰酸鹽(MDI)，碳二酰亞胺改性MDI，聚甲烯聚苯基聚異氰酸酯，高分子量的多異氰酸酯。可單獨使用或組合使用聚異氰酸酯。根據想達到的目的適當選擇聚異氰酸酯的用量，而無任何限制，例如，當三甘醇的異氰酸酯基團與多元醇的羥基等比例(NC0/0H)時，其范圍是1. 0到3. 0。催化劑根據想達到的目的適當選擇催化劑，而無限制，其實施例包括胺為基礎的催化劑，有機金屬基催化劑。胺基催化劑的例子包括三乙烯二胺，二甲基乙醇胺，二( 二甲氨基)乙醚。有機金屬基催化劑的例子包括二辛基錫，distearyl tin dibutylate。催化劑可以是一種反應的催化劑，如具有活性氫的二甲氨基乙醇。這些可獨立或組合使用。根據想達到的目的無限制地適當選擇催化劑的用量，例如，100質量份的多元醇加入0. 01質量份至20質量份的催化劑。發泡劑根據想達到的目的無限制地適當選擇發泡劑，其實施例包括水，氟碳化合物，低沸點烴類化合物。氟碳化合物的例子包括HCFC-141b，HFC-13^，HFC-M5fa，HFC-365mfc。低沸點烴類化合物的例子包括環戊烷，正戊烷，異戊烷，正丁烷。作為發泡劑，這些可單獨使用或組合。根據想達到的目的無限制地適當選擇發泡劑的用量，例如，100質量份的多元醇加入5質量份至50質量份的發泡劑。泡沬調節劑根據想達到的目的無限制地適當選擇泡沫調節劑，其實施例包括有機硅表面活性劑。有機硅表面活性劑商業產品的例子包括二甲基硅氧烷為基礎的泡沫調節劑(例如， Dow Coming Toray Co. ,Ltd.生產的SRX-253和Shin-Etsu Chemical Co.生產的F-122)，以及聚醚改性二甲基硅氧烷為基礎的泡沫調色劑(例如，均由NipponUnicarCompanyLimited 生產的L-5309和SZ-1311)。根據想達到的目的無限制地適當選擇泡沫調節劑的用量，例如，100質量份的多元醇加入0. 2質量份至10質量份的泡沫調節劑。其他物質其他物質的例子包括交聯劑、消泡劑之類，用于控制閉合孔或互連胞孔的形成。根據想達到的目的適當選擇交聯劑，而無任何限制，其實施例包括三乙醇胺，二乙醇胺。根據想達到的目的無限制地適當選擇消泡劑，其實施例包括上述提到的作為泡沫調色劑的具有高消泡能力的泡沫調色劑。對于聚亞安脂泡沫塑料，常用的一種方法中，預混排除聚異氰酸酯的聚亞安脂泡沫原料，在就要成型前將得到的混合物與聚異氰酸酯混合。根據想達到的目的適當選擇泡沫層的形狀，而無任何限制。例如，它是圓筒形。根據想達到的目的適當選擇泡沫層的平均厚度，而無任何限制。為了小型化并減輕最終得到的裝置的重量，其平均厚度優選Imm至5mm。如果泡沫層是圓筒形，圓筒的內圓周表面和外表面之間的距離(A)確定為厚度， 如圖3所示。在本說明書中，平均厚度是在泡沫層上隨意選擇的5個點處測量的泡沫層厚度的值的平均值。根據想達到的目的適當選擇泡沫層的結構，而無任何限制，其例子包括包含閉合胞孔(isolated cell)的結構，以及含有互連胞孔(interconnected cell)的結構。其中， 優選包含互連胞孔的結構，因為這種結構的泡沫層具有較小的壓縮殘余應變，因而泡沫層在壓縮后容易返回到原來的形狀，長期使用后也很難變形。需要注意的是，閉合胞孔結構的泡沫層是這樣的泡沫層，其結構具有閉合孔(也可稱為“胞孔”)，且不允許空氣或水通過，如圖9所示。互連胞孔結構的泡沫層是這樣的泡沫層，其結構中相鄰胞孔彼此連接，且允許空氣或水通過，如圖10所示。根據想達到的目的適當選擇泡沫層中胞孔的數量，而無任何限制，但優選每英寸 25至300個，更優選每英寸50至150個。當胞孔數量小于每英寸25個時，難以防止圖像承載構件的鍍膜。當其數量大于每英寸300個時，也可能難以防止圖像承載構件上的鍍膜。反之，當胞孔的數量在上述優選范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果， 則較有利。胞孔的數量是通過以下方法測量出的平均值。在泡沫層表面上隨機選擇3個點 (圖IlA中的20和21)作為測量點，三個點分別是在相對于保護劑供給構件軸向上鄰近泡沫層的邊緣的部分、以及中心部分。需要注意的是，圖IlA是保護劑供給構件的正視圖。保護劑供給構件25具有在芯部23圓周上設置的泡沫層24。在圖IlA中，20表示邊緣處的測量點，而21表示位于中心部分的測量點。接著，在各測量點處，在圓周方向上再選擇兩個點(圖IlA中未示出)，從而總共選擇9個點作為測量點。然后，通過顯微鏡觀察每個測量點的攝影圖像。如圖IlB所示，在攝影圖像的中心部分，畫一條全尺寸對應于1英寸(大約 25mm)長度的直線22，數出沿著直線存在的胞孔的數量，獲得在9個測量點處得到的數量的平均值。注意，與1英寸長的直線22相接觸的胞孔，無論多么微小，都會被計為一個。在圖 IlB所示的例子中，例如，胞孔的數量是12。根據想達到的目的適當選擇泡沫層的硬度，無任何限制。但優選50N至500N，理優選100N至300N。當其硬度小于50N時，難以防止圖像承載構件的鍍膜。當其硬度大于500N 時，也可能難以防止圖像承載構件上的鍍膜。反之，當其硬度在上述更加優選的范圍內時， 由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。所述硬度是根據JIS K 6400 所述的方法，在泡沫層的表面上隨機選擇3個點測量硬度得到的值的平均值。可以通過適當調整所使用的聚亞安脂泡沫的原料、所使用發泡劑的量以及在生產聚亞安脂泡沫過程中的反應條件，來控制泡沫層的結構，例如閉合胞孔結構和互連胞孔結構，泡沫層中胞孔的數量，泡沫層的硬度。根據想達到的目的適當選擇保護劑供給構件的生產方法，而無任何限制。作為保護劑供給構件生產方法的一個實施例，下面解釋生產實施例，其中聚亞安脂泡沫用作泡沫層的原料。首先，使聚亞安脂泡沫的原料起泡，并通過形成聚亞安脂泡沫的傳統方法中的任何一種形成塊狀。將塊狀聚亞安脂泡沫切成預定形狀，其表面被拋光，并被處理成其表面上具有開口胞孔的圓筒形聚亞安脂泡沫。之后，芯部被插入圓筒的內部。可以在芯部上涂覆膠粘劑以提高與泡沫層之間的粘合。之后，用能夠進行精細加工的研磨或切削的方法切除聚亞安脂泡沫制成的泡沫層的表面部分以形成凹陷。用上述方法生產保護劑供給構件。下面將解釋生產保護劑供給構件的另一實施例。聚亞安脂泡沫的原料被倒入保護劑供給構件的模具中，其中已經放置了芯部，然后使聚亞安脂泡沫的原料起泡并熟化。為了在熟化過程中在泡沫層表面上形成凹陷，在熟化將會接觸到的模具的表面上形成凸起部分。用上述方法生產保護劑供給構件。在使用模具的生產方法中，優選在形成具有理想孔隙的泡沫層的模具的內表面上設置氟樹脂包衣劑或釋放劑的釋放層，而無需任何復雜處理。保護層形成裝置本發明的保護層形成裝置至少包括保護劑塊和保護劑供給構件，如有必要，還可包括其它構件，如壓力施加構件和保護層形成構件。保護劑塊根據想達到的目的適當選擇保護劑塊而無任何限制，其實施例包括至少含有脂肪酸金屬鹽并適當地包含如無機潤滑劑的其它物質的保護劑塊。脂肪酸金屬鹽根據想達到的目的無限制地適當選擇脂肪酸金屬鹽，其實施例包括硬脂酸金屬鹽，油酸金屬鹽，棕櫚酸酯金屬鹽，辛酸金屬鹽，亞麻酸金屬鹽，蓖麻醇酸金屬鹽。硬脂酸金屬鹽的例子包括硬脂酸鋇，硬脂酸鉛，硬脂酸鐵，鎳硬脂酸，鈷，硬脂酸硬脂酸銅，鍶硬脂酸， 硬脂酸鈣，硬脂酸鎘，硬脂酸鎂，硬脂酸鋅。油酸金屬鹽的例子包括鋅油酸，油酸鎂，鐵油酸， 鈷油酸，銅油酸，油酸鉛，錳油酸。棕櫚酸金屬鹽的例子包括棕櫚酸鋅，棕櫚酸鈷，導致棕櫚酸，棕櫚酸鎂，鋁棕櫚酸，鈣棕櫚。辛酸金屬鹽的例子包括鉛辛酸。亞麻酸金屬鹽的例子包括鋅亞麻酸，亞麻酸占，鈣亞麻酸。蓖麻醇酸金屬鹽的例子包括蓖麻醇酸酯鋅，蓖麻醇酸酯鎘。其中，考慮到抑制圖像承載構件鍍膜的優良性能，優選硬脂酸金屬鹽，更加優選硬脂酸鋅。上述脂肪酸金屬鹽可獨立或組合使用。無機潤滑劑保護劑塊優選包含無機潤滑劑，用于防止充電構件的污染。根據想達到的目的無限制地適當選擇無機潤滑劑，其實施例包括云母，氮化硼，二硫化鉬，二硫化鎢，滑石，高嶺土，蒙脫石，氟化鈣和石墨。其中，優選氮化硼，因為它具有抑制充電構件污染的優良性能。 上述無機潤滑劑可用于獨立或組合。根據想達到的目的無限制地適當選擇脂肪酸金屬鹽和無機潤滑劑的配比(脂肪酸金屬鹽/無機潤滑劑(按質量))，但優選100/0至50/50，更優選95/5至60/40。當在配比中脂肪酸金屬鹽小于50/50時，可能難以防止圖像承載構件上的鍍膜。反之，當配比在上述優選范圍內時，由于能獲得優良的防止圖像承載構件鍍膜的效果，則較有利。根據想達到的目的無限制地適當選擇保護劑塊的尺寸和形狀，但其形狀例如是棒形。棒形的實施例包括四棱柱和圓柱形。根據想達到的目的無限制地適當選擇形成保護劑塊的方法，其實施例包括壓縮和融合成型。MM根據想達到的目的無限制地適當選擇壓縮的方法。下面參照附近描述壓縮的方法的一個實施例。圖12是用形成保護劑塊的設備通過壓縮形成保護劑塊的過程的透視圖。圖 13是圖12中設備的剖面側視圖。如圖12和13所示，用于形成保護劑塊50的設備包括下模51 ；—對側模52，該對側模52夾持下模51，并且提供在長度方向上延伸的保護劑塊的側平面；一對邊模53，該對邊模53夾持下模51和側模52，并且提供相對于長度方向的保護劑塊的邊緣平面；以及上模54。在圖12中，一個邊模53處于分解狀態，但其實際上處于與另一邊模53相對應的位置，在壓縮保護劑塊的時候，這些邊模53、下模51和側模52形成部分密閉的空間，該空間在上模M進入的方向上開口。而且，一旦上模M在圖12和13中箭頭V所示的方向上移動而將上模M導入密閉空間，下模51、側模52、邊模53和上模M就會形成完全密閉的空間。作為保護劑塊原料的粉末G被填入取下上模M的狀態下而形成的空間中。粉末 G可以是粉末或顆粒，或兩者兼而有之。一旦完成粉末G的充填，上模M就在V所示的方向上導入部分密閉的空間中，在形成完全密閉空間的同時進行按壓，從而形成保護劑塊。以上述方法，通過壓縮生產如圖14 所示的四棱柱形狀的保護劑塊。注意，通過融合成型形成的保護劑塊是半透明的，而通過壓縮形成的保護劑塊是白色的，所以可以直觀地區分它們。保護劑供給構件保護劑供給構件是本發明的保護劑供給構件，用于從保護劑塊上刮下保護劑并將保護劑涂覆到圖像承載構件的表面上。壓力施加構件根據想達到的目的無限制地適當選擇壓力施加構件，只要其是用于按壓保護劑塊以使保護劑塊與保護劑供給構件相接觸的構件即可，其實施例包括壓簧。保護層形成構件根據想達到的目的無限制地適當選擇保護層形成構件，只要其能攤薄涂覆在圖像承載構件表面上的保護劑而形成保護層即可，其實施例包括刮片。根據想達到的目的無限制地適當選擇刮片的材料，其實施例包括聚亞安脂橡膠， 氯醚橡膠(印ichlorhydrin rubber)，硅橡膠，含氟橡膠。這些可獨立或組合使用。可以用涂抹或浸漬的方法用低摩擦系數的材料涂覆上述刮片與圖像承載構件的接觸區域。而且， 可以在刮片中散布例如有機填料和無機填料的填充物，以調節刮片的硬度。通過例如粘附或融合的任何方法將刮片固定在刮片支架上，從而使刮片的邊緣能壓靠并接觸圖像承載構件的表面。刮片的厚度不易調節，因為其根據為壓縮而施加的壓力而變化，但優選0. 5mm至5mm，更優選Imm至3mm。而且，允許刮片從刮片支架伸出并彎曲的刮片長度，即，刮片的凈長度，不易調節，因為其根據為壓縮而施加的壓力而變化，但優選 Imm 至 15mm,更優選 2mm 至 IOmm0保護層形成構件的另一結構包括如下特征，即其中使用諸如涂抹和浸漬這樣的方法直接在諸如彈簧片的彈性金屬表面上形成樹脂，橡膠，彈性體之類的涂層，或者如果必要的話，在二者之間使用偶聯劑或底料物質，并可選擇對其進行熱固化涂層的處理，還可選擇對其進行表面拋光。涂層至少包含粘合劑樹脂和填料，如有必要還可包含其它物質。根據想達到的目的無限制地適當選擇粘合劑樹脂，其實施例包括氟樹脂，如全氟烷氧基烷(PFA)，聚四氟乙烯(PTFE)，四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)，聚偏二氟乙烯(PVdF)；氟橡膠；和諸如甲基硅彈性體的有機硅彈性體。根據想達到的目的無限制地適當選擇彈性金屬刮片的厚度，但優選0. 05mm至 3mm，更優選0. Imm至1mm。在安裝后在基本平行于心軸的方向上對彈性金屬刮片進行彎曲處理，從而防止刮片的撓曲。關于保護層形成構件按壓圖像承載構件的力，可以擴散保護劑使之形成保護層的力就足夠，當其確定為線性壓力時，該力優選5gf/cm至80gf/cm，更優選lOgf/cm至60gf/ cm0保護層形成構件也可作為清潔構件。為了更可靠地形成保護層，優選地，預先用清潔構件清除殘留在圖像承載構件上的以調色劑為主要成分的殘留物，從而使殘留物不會混入保護層中。下面參照附圖描述保護層形成構件。圖15是本發明保護層形成構件的一個實施例的示意性剖視圖。面向作為圖像承載構件的感光鼓11設置的保護層形成構件18主要包括保護劑塊13、保護劑供給構件14、壓力施加構件15、保護層形成構件16等。通過壓力施加構件15的壓力，保護劑塊13與輥形保護劑供給構件14相接觸。保護劑供給構件14以與感光鼓11不同的線速度轉動，并被感光鼓11摩擦。在保護劑供給構件14的轉動和摩擦過程中，保護劑供給構件的表面所保持的保護劑被涂覆到圖像承載構件的表面。注意，存在這樣的情況，即根據所選擇使用的材料，涂覆到圖像承載構件表面上的保護劑不足以形成保護層。為了更均勻地形成保護層，例如通過具有片形構件的保護層形成構件16將保護劑形成薄層，從而形成保護層。例如，通過高壓電源(未示出)使被施加直流電壓或交流電壓疊加直流電壓的充電輥17接觸或接近已經形成保護層的圖像承載構件的附近，從而通過在微孔 (mocrocavities)中放電進行圖像承載構件的充電。在充電過程中，保護層部分溶解，或者被電應力(electrical stress)氧化，空氣中的電暈產物沉積到保護層的表面上。注意，圖像承載構件的劣化的保護劑是一種帶有諸如殘留在圖像承載構件上的調色劑這種成分的普通清潔單元。這種清潔單元也可以作為上述保護層形成構件16。但是， 有些情況下，構件的適當磨損狀態對于清除圖像承載構件表面上殘留物的作用與形成保護層的作用是不同的。因此，優選將這些作用分開，清潔單元包括清潔構件12、清潔壓力施加單元(未示出)等設置在保護劑供給構件的上游，如圖15所示。成像方法和成像設備成像方法至少包括靜電潛像形成步驟，顯影步驟，轉印步驟，保護劑形成步驟，以及定影步驟，優選還包括清潔步驟，如果必要的話還可以包括其它步驟，如消電 (diselectrificafion)步驟，回收步驟，和控制步驟。本發明的成像設備至少包括圖像承載構件，靜電潛像形成單元，顯影單元，轉印單元，保護劑形成單元，定影單元，優選還包括清潔單元，如果必要的話還可以包括任意的其它單元，如消電(diselectrification)單元、 回收單元、控制單元。這里描述的成像方法可由本發明的成像設備適當地執行；靜電潛像形成步驟可由靜電潛像形成單元執行；顯影步驟可由顯影單元執行；轉印步驟可由轉印單元執行；保護層形成步驟可由保護劑形成單元執行；定影步驟可由定影單元執行；上述其它步驟可由上述其它單元執行。靜電潛像形成步驟和靜電潛像形成單元靜電潛像形成步驟是在圖像承載構件上形成靜電潛像的步驟。圖像承載構件可以在本領域已知的方案中無限制地適當選擇圖像承載構件(本說明書中也可稱為“感光體”)的材料、形狀、結構、尺寸等，但圖像承載構件的優選形狀的實施例包括鼓形，其材料的實施例包括諸如無定形硅和硒這樣的的無機半導體；諸如硅烷和酞菁多甲川(phthalopolymethine)這樣的有機半導體。本發明的成像設備中使用的圖像承載構件(感光體)包括導電支架，并至少包括設置在導電支架上的感光層，如果必要還可以包括其它層。關于感光層，存在其中電荷產生材料與電荷傳輸材料共存的單層感光層；依次層壓感光層，其中電荷傳輸層設置在電荷產生層上面；以及其中電荷產生層設置在電荷傳輸層上面的反向層壓感光層。而且，最外層可以設置在感光層上面，用于改善感光體的物理強度，耐磨性，抗氣體的特性，清潔能力等。而且，在導電支架之間可以設置底涂層。另外，如果必要，可以向各層中添加適量的增塑劑，抗氧劑，勻染劑，或類似物。根據想達到的目的無限制地適當選擇導電支架，只要它具有LOXIOkiQ 或更低的體電阻率即可，其實施例包括用真空沉積或濺射的方法形成的薄膜形或圓筒形的具有金屬(如鋁，鎳，鉻，鎳鉻，銅，金，銀，鉬)或金屬氧化物(如氧化錫，氧化銦)涂層的塑料或紙質；以及管，其是通過擠壓或拉伸將一個或多個鋁，鋁合金，鎳，不銹鋼的板形成管狀， 然后對管進行諸如切削，超精加工，拋光這樣的表面處理。鼓狀支架優選直徑為20mm至150mm，更優選Mmm至100mm，乃至更加優選^mm至 70mm。當鼓狀支架的直徑小于20mm時，物理上難以在鼓狀支架的周圍設置充電、曝光、顯影、轉印和清潔步驟中使用單元。當其直徑大于150mm時，得到的成像設備的尺寸會非常大。特別是當成像設備是串聯系統時，幾個光導體安裝于其中。由于這個原因，鼓狀支架的直徑優選70mm或更小，更優選60mm或更小。而且，JP-A No. 52-36016中披露的環形鎳帶或環形不銹鋼帶也可用作導電支架。感光層的底涂層可以是單層或者兩個或更多層的層壓層，其實施例包括(1)主要由樹脂形成感光層，(2)主要由白色顏料和樹脂形成的感光層，和( 作為金屬氧化物薄膜的感光層，其中導電基板的表面是化學或電化學氧化的。其中，優選主要由白色顏料和樹脂形成的感光層。白色顏料的實施例包括諸如二氧化鈦，三氧化二鋁，氧化鋯和氧化鋅這樣的金屬氧化物。其中，特別優選二氧化鈦作為白色顏料使用，因為其具有防止電荷從導電支架注入的優良性能。樹脂的實施例包括諸如聚酰胺，聚乙烯醇，干酪素，甲基纖維素這樣的熱塑性樹脂；以及諸如丙烯樹脂，酚醛樹脂，三聚氰胺樹脂，醇酸樹脂，不飽和聚酯樹脂，和環氧樹脂這樣的熱固性樹脂。這些可獨立或組合使用。根據想達到的目的無限制地適當選擇底涂層的厚度，優選0. Iym至10 μπι，更優選Iym至5 μπι。在感光層中使用的電荷產生材料的實施例包括偶氮顏料，如單偶氮 (monoazo)顏料，雙偶氮顏料，三偶氮顏料，和四偶氮顏料；有機顏料或染料，如芳基甲烷 (triarylmethane)染料，硫氮雜苯染料，惡嗪染料，氧雜蒽染料，菁染料，苯乙烯著色劑，吡喃染料，二氫喹吖啶顏料(quinacf idon pigment)，靛藍顏料，茈系顏料，多環芳烴醌顏料， 雙苯并咪唑顏料，陰丹士林顏料，方酸顏料，酞菁顏料；以及無機材料，如硒，硒，砷，硒，碲， 硫化鎘，氧化鋅，二氧化鈦，和非晶硅。這些可獨立或組合使用。感光層中使用的電荷傳輸材料的實施例包括蒽衍生物，衍生芘，咔唑衍生物，四氮唑衍生物，茂金屬衍生物，吩噻嗪衍生物，吡唑啉類化合物，腙類化合物，苯乙烯化合物， styryihydrazone化合物，烯胺化合物，丁二烯復合，聯苯乙烯化合物，惡唑化合物，惡二唑化合物，噻唑類化合物，咪唑類化合物，三苯胺衍生物，苯二胺衍生物，氨基芪衍生物，以及三苯甲烷衍生物。這些可獨立或組合使用。至于用于形成感光層的粘合劑樹脂，可以使用電絕緣的、本領域中公知的熱塑性樹脂，熱固性樹脂，光固化樹脂和光敏樹脂之類。粘合劑樹脂的實施例包括熱塑性樹脂，如聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，氯乙烯-醋酸乙烯共聚物，過氯乙烯-醋酸乙烯-馬來酸酐共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物，聚乙烯醇縮丁酸，聚乙烯醇縮酸，聚酯，苯氧基樹脂，(甲基)丙烯醛樹脂，聚苯乙烯，聚碳酸酯，聚丙烯，聚砜，聚醚砜，ABS樹脂，熱固性樹脂，如酚醛樹脂， 環氧樹脂，聚亞安脂樹脂，密胺樹脂，異氰酸酯樹脂，醇酸樹脂，硅樹脂，壓克力和熱固性樹脂；其他如聚乙烯咔唑，聚乙烯蒽，和聚氯乙烯芘。這些可獨立或組使用。設置感光體的最外層以改善感光體的物理強度，耐磨性，抗氣體的特性，清潔能力等。最外層優選是這樣一種，其中無機填料分散在比感光層具有更高物理強度的聚合物中。 最外層中使用的樹脂可以是熱塑性樹脂或熱固性樹脂，但特別優選熱固性樹脂，因為其具有高物理強度，特別是具有防止由于清潔刮片的摩擦造成的磨損等高性能。只要最外層的厚度夠薄，最外層就沒有問題，即使其不具有電荷傳輸性能。但是，如果厚的最外層不具有電荷傳輸性能，得到的感光體傾向于具有低光敏度，在曝光后電勢增大，殘留電勢增大。因此，優選在最外層中包含前述電荷傳輸材料，或者在最外層中使用具有電荷傳輸性能的聚合物。由于感光層的機械強度與最外層的機械強度通常差異很大，所以一旦最外層被磨損并由于清潔刮片的摩擦而消失，感光層也會很快被磨損。出于這個原因，如果感光體設置了最外層，則保證最外層的足夠厚度很重要，其厚度優選0. 1 μ m至12 μ m，更優選1 μ m至 10 μ m,特別優選2 μ m至8 μ m。當其厚度小于0. 1 μ m時，最外層太薄以致其由于與清潔刮片的摩擦而易于部分消失，而從最外層已經消失的區域暴露出的感光層易于被磨損。當其厚度大于12 μ m時，容易產生光敏度的降低、曝光后電勢的增大、以及殘留電勢的增大，特別是在使用具有電荷傳輸的聚合物來解決這些缺點的情況下，其中使用具有電荷傳輸性能的聚合物所需要的成本較高。最外層使用的樹脂優選自那些用于在成像時進行寫入的透光、并具有優良絕緣性能，機械強度和粘附性的樹脂，這種樹脂的實施例包括:ACS樹脂，ABS樹脂，烯烴，乙烯基單體共聚物，氯化聚醚，酚醛樹脂，聚甲醛，聚酰胺，聚酰胺酰亞胺，聚丙烯，聚丙烯砜，聚丁烯， 聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚碳酸酯，聚醚砜，聚乙烯，聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚酰亞胺，聚丙烯樹脂，聚戊烯，聚丙烯，聚苯醚，聚砜，聚苯乙烯，AS樹脂，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，聚亞安脂，聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，環氧樹脂。這些聚合物可以是熱塑性的，但使用由含有多官能的丙烯酰基，羧基，羥基，胺基等的交聯劑交聯過的熱固性樹脂，可以提高最外層的機械強度，并顯著降低由于與清潔刮片的摩擦造成的磨損。最外層優選具有電荷傳輸性能。為了使最外層具有電荷傳輸性能，存在如下方法 在最外層中組合使用聚合物和上述電荷傳輸材料的方法；在最外層中使用具有電荷傳輸性能的聚合物的方法。優選后一種方法，因為用這種方法得到的感光體具有高光敏度，并抑制在電勢的增大以及殘留電勢的增大。為了提高最外層的機械強度，優選在最外層中包含金屬顆粒，金屬氧化物顆粒，或其他顆粒。金屬氧化物的實施例包括二氧化鈦，氧化錫，鈦酸鉀，氮化鈦，氧化鋅，氧化銦，氧化銻。其他粒子的實施例包括這樣的顆粒，其中每一個顆粒中，出于提高耐磨性的目的，無機材料分散在諸如氟樹脂(如聚四氟乙烯)，硅樹脂，和它們的組合這樣的樹脂中。例如，可以通過在對圖像承載構件的表面充電后，使圖像承載構件的表面曝光在圖像化方式的光線中，形成靜電潛像，并且可以通過靜電潛像形成單元來形成靜電潛像。例如，靜電潛像單元裝配有充電器和曝光單元，充電器用于對圖像承載構件的表面充電，曝光單元用于使圖像承載構件的表面圖像化從而使圖像承載構件的表面曝光。例如，通過用充電器對圖像承載構件的表面施加電壓進行充電。根據想達到的目的無限制地適當選擇充電器，其實施例包括裝配有導電或半導電輥、刷、薄膜、橡膠片等的傳統式接觸充電器，以及使用諸如電暈管和電暈器這樣的電暈放電的傳統式非接觸充電器。關于充電器，可以是具有用于施加包括交流電的電壓的加壓單元的那種充電器。例如，通過用曝光單元將光以圖像化方式施加到圖像承載構件的表面上由此使圖像承載構件的表面曝光，進行曝光。根據想達到的目的無限制地適當選擇曝光單元，只要其能使由充電單元充過電的圖像承載構件的表面圖像化曝光于光線即可，其實施例包括各種曝光裝置，如再現式曝光裝置，棒狀透鏡陣列曝光裝置，激光光學曝光裝置以及液晶快門光學裝置。需要注意的是，可以使用其中從圖像承載構件的背面進行圖像化曝光的光學圖像黑色輻射電照相系統進行曝光。顯影步驟和顯影單元顯影步驟是用調色劑或顯影劑顯影靜電潛像以形成可見圖像的過程。例如，可以通過用調色劑或顯影劑顯影靜電潛像來形成可見圖像，可以用顯影單元來進行顯影。根據想達到的目的無限制地適當選擇顯影單元，只要其能用調色劑或顯影劑進行顯影即可，其實施例包括其中容納調色劑或顯影劑、并能以接觸或非接觸方式向靜電潛像供應調色劑或顯影劑的顯影單元。調餼劑根據想達到的目的無限制地適當選擇調色劑，例如，其是通過使調色劑組合物，與預聚物、聚酯、著色劑延伸或交聯的化合物，以及釋放劑在樹脂顆粒存在的情況下在水溶液中進行交聯和/或伸長反應生產的調色劑，所述調色劑組合物包括含有包含氮原子的官能團的聚酯預聚物。通過使這種調色劑的各顆粒的表面硬化，在調色劑的使用過程中可以減少熱偏移的發生。含有包含氮原子的官能團的聚酯預聚物的實施例包括異氰酸酯基的聚酯預聚物。 要被伸長或與預聚物交聯的化合物的實施例包括胺。含有異氰酸酯的聚酯預聚物的實施例包括通過使具有活性氫基的聚酯，其是多元醇與聚羧酸綜合的產物，與聚異氰酸酯反應得到的反應產物。聚酯中所含的活性氫基的實施例包括羥基(例如，醇式羥基，酚羥基組)，氨基，羧基，和巰基。其中，特別優選醇式羥基。根據想達到的目的無限制地適當選擇多元醇，其實施例包括二醇，含三價多元醇。 其中，優選單獨使用二醇或者二醇與少量含三價多元醇的組合。根據想達到的目的無限制地適當選擇聚羧酸，其實施例包括二羧酸，含三價聚羧酸。其中，優選單獨使用二羧酸或者二羧酸與少量含三價或更高價聚羧酸的組合。多元醇與聚羧酸的比值取決于羥基
與羧基[C00H]的當量比
/[C00H]確定，該當量比優選2/1至1/1，更優選1. 5/1至1/1，特別優選1. 3/1至1. 02/1。聚異氰酸酯的實施例包括脂肪族聚異氰酸酯(例如，四亞甲基二異氰酸鹽，環己烷二異氰酸鹽，和2，6-dUSOCyanate甲基己酸)，脂環族聚異氰酸酯(例如，異佛爾酮二異氰酸鹽；cyclohexylmehane 二異氰酸鹽)；芳香二異氰酸鹽(如甲苯二異氰酸鹽，和二苯基甲烷二異氰酸鹽)；芳香脂肪族異氰酸酯(如α，α，α ‘，α ‘-四甲基二甲苯二異氰酸鹽)；isocyanirates;以及用酚衍生物，肟，己內酰胺等嵌段的聚異氰酸酯。這些可以獨立或組合使用。聚異氰酸酯的比取決于聚異氰酸酯中的異氰酸酯基[NC0]和含有羥基的聚酯中的羥基
的當量比[NC0]/
確定，該當量比優選5/1至1/1，更優選4/1至1.2/1，特別優選2. 5/1至1. 5/1。當[NC0]/
大于5/1時，調色劑具有較差的低溫度定影性能。 當[NC0]的摩爾比小于1時，所得到的改性聚酯中的尿素含量低，從而導致較差的調色劑的熱偏移可耐性。胺的實施例包括胺二價，三或更高的價胺，氨基醇，氨基酸硫醇，氨基酸，這些胺中block氨基。在這些胺中，優選二價胺，或者二價胺與小量三或更高的價胺的混合物。此外，如有必要，可以用伸長終止劑控制尿素改性聚酯的分子量。伸長終止劑的實施例包括單胺(如二乙基胺，二丁酯胺，丁基胺，十二烷基胺)，及其嵌段產品(blocked product)(例如酮亞胺化合物)。除了前述結構適合獲得高質量圖像的聚合調色劑外，通過粉碎得到的不規則形狀的調色劑也可以用于成像方法和成像設備中。如果使用通過粉碎方法得到的調色劑，可大大提高裝置的使用年限。形成原料沒有特別限制，可以從用于電照相調色劑的那些常用調色劑中選取。顯影單元可以使用干顯影系統或者濕顯影系統，可以是單色顯影單元或者多色顯影單元。顯影裝置的實施例包括這樣一個裝置，其具有用于通過攪拌產生的摩擦使調色劑或顯影劑充電的攪拌器，以及可轉動的磁輥。例如，在顯影單元中，混合并攪拌調色劑及載體，通過攪拌產生的摩擦對調色劑充電。充過電的調色劑以刷形保持在可轉動的磁輥的表面上以形成磁刷。磁刷設置在圖像承載構件(感光體)附近，部分形成磁輥表面上的磁刷的調色劑通過電引力移動到圖像承載構件(感光體)的表面上。結果，用調色劑使靜電潛像顯影而在圖像承載構件(感光體) 的表面上形成調色劑可見圖像。容納在顯影單元中的顯影劑是顯影劑，但其可以是單成分顯影劑或雙成分顯影劑。轉印步驟和轉印單元轉印步驟是將可見圖像轉印到記錄構件上的過程。其優選實施方案使用中間轉印構件，先將可見圖像初次轉印到中間轉印構件上，接著再將可見圖像二次轉印到記錄介質上，其中使用兩種或多種顏色的調色劑，更優選使用全色調色劑。更優選的實施方案包括初次轉印步驟，其是將可見圖像轉印到中間轉印構件上以形成復合轉印圖像，以及二次轉印步驟，將復合轉印圖像轉印到記錄介質上。例如，使用轉印充電器對其上形成有可見圖像的圖像承載構件(感光體)進行充電來執行轉印，可以用轉印單元進行轉印。轉印單元的優選實施方案包括第一轉印單元，用于將可見圖像轉印到中間轉印構件上以形成復合轉印圖像；二次轉印單元，用于將復合轉印圖像轉印到記錄介質上。根據想達到的目的無限制地適當從本領域中公知的轉印構件選擇中間轉印構件，例如，中間轉印構件優選轉印帶等。圖像承載構件可以是中間轉印構件，感光體上形成的調色劑圖像初次轉印到其上以疊加不同顏色的調色劑圖像，疊加后的圖像再從其上轉印到記錄介質上。具體地，圖像承載構件可以是中間轉印系統中用于形成圖像的中間轉印構件。中間轉印構件中間轉印構件優選具有導電率為1.0Χ105Ω · cm至1.0Χ10"Ω · cm的體電阻率。當體電阻小于1.0Χ105Ω 時，出現所謂的轉印擴散，這是由于當調色劑圖像從感光體轉印到中間轉印構件上時產生的放電引用的調色劑圖像的扭曲。當其體電阻大于 1. OX IO11 Ω · cm時，在調色劑圖像從中間轉印構件轉印到諸如紙張這樣的記錄介質上以后，調色劑圖像的反電荷殘留在中間轉印構件上，這會在隨后處理的圖像上造成圖像滯后 (殘影)。例如，可以用按以下方法生產的帶形或圓筒形塑料產品作為中間轉印介質。具體地，單獨或組合使用金屬氧化物(如氧化錫，氧化銦)的導電顆粒，碳黑之類和/或導電聚合物，并和熱塑性樹脂揉合，對揉合后的產品進行擠壓成型。除了上述方法外，也可用以下方法生產環形帶式的中間轉印構件。具體地，必要時，向含有熱交聯單體或低聚物的樹脂基液體中加入上述導電顆粒和/或導電聚合物，這些原料在加熱的條件下進行離心成型。如果在中間轉印構件上設置表面層，選擇性地使用用作排除電荷傳輸原料的感光體的最外層的前述原料，與導電顆粒相結合，用于控制得到的中間轉印構件的電阻。轉印單元(例如，第一轉印單元與二次轉印單元的組合)優選至少包括轉印器，用于使可見圖像充電，從而將圖像承載構件上形成的可見圖像從圖像承載構件(感光體)上釋放到記錄介質這一側上。轉印單元的個數可以是1或2或更多。充電器的實施例包括利用電暈放電的電暈轉印器、轉印帶、轉印輥、壓力轉印輥和粘附轉印器。所用的記錄介質無限制地適當地選自本領域中公知的記錄介質(記錄紙)。保護層形成步驟和保護層形成單元保護層形成步驟是在轉印之后將保護劑涂覆到圖像承載構件表面上以形成保護層的過程。可以使用上述本發明的保護層形成裝置作為保護層形成單元。定影步驟和定影單元定影步驟是用定影單元將轉印到記錄介質上的可見圖像定影到記錄介質上的過程，可以在每次一種顏色的調色劑形成的可見圖像轉印到記錄介質上時就進行定影，或者在由每一種顏色的調色劑形成的可見圖像都層壓好以后一次性進行定影。根據想達到的目的無限制地適當選擇定影單元，但優選本領域中公知的加熱加壓單元中的任何一種。加熱加壓單元的實施例包括加熱輥和加壓輥的組合，以及加熱輥、加壓輥和環形帶的組合。加熱加壓單元的加熱溫度通常優選80°C至200°C。注意，可以使用本領域中公知的光學定影單元結合或代替定影步驟和定影單元。去電步驟和去電單元去電步驟是向圖像承載構件施加去電偏壓以使圖像承載構件去電的過程，可以用去電單元來進行去電步驟。對去電單元沒有特別限制，只要其可以向靜電潛像承載構件施加去電偏壓即可，其優選實施例包括去電燈。清潔步驟及清潔單元清潔步驟是清除靜電潛像承載構件上的殘留調色劑的清潔步驟，可以用清潔單元來進行清潔步驟。清潔單元優選設置在轉印單元的下游和保護層形成單元的上游。對清潔單元沒有特別限制，只要其能清除圖像承載構件上的殘留調色劑即可，其實施例包括磁刷清潔件、靜電刷清潔件、磁輥清潔件、刮片清潔件、刷式清潔件和卷筒紙狀(web)清潔件。回收步驟和回收單元回收步驟是將清潔步驟中清除的調色劑回收到顯影單元中的過程，可以用回收單元來進行回收。對回收單元沒有特別的限制，可以使用傳統的傳送單元之類作為回收單元。控制步驟和控制單元控制步驟是控制各步驟的操作的過程，可以用控制單元進行控制。根據想達到的目的無限制地適當選擇控制單元，只要其能控制各個單元的操作即可，其實施例包括定序器和計算機。圖16是本發明成像設備100的一個實施例的示意性剖視圖。在鼓狀圖像承載構件1Y，1M，IC和IK的周圍，設置保護層形成裝置2，充電裝置3，潛像形成裝置8，顯影裝置5，轉印裝置6和清潔裝置4，按以下操作進行圖像形成。下面通過負-正過程來描述圖像形成的系列過程。由具有有機光導層的感光鼓 (OPC)所代表的圖像承載構件由去電燈(未示出)去電，然后由具有充電構件的充電裝置3 均勻地充負電。在用充電裝置對圖像承載構件進行充電的過程中，適于對圖像承載構件1Y， 1M，1C和IK充電以具有理想電勢的適當電壓水平，或者其中將交流電壓疊加在前述電壓上的充電電壓，從電壓施加單元(未示出)施加給充電構件。借助于激光光學器件等的潛像形成裝置8用激光分別輻射各充過電的圖像承載構件1Y，1M，IC和1K，從而形成潛像(曝光區域的電勢的絕對值小于未曝光區域的電勢的絕對值)。激光發自半導體激光器，其用高速轉動的多邊形棱鏡形式的多角鏡在圖像承載構件的轉動方向上掃描圖像承載構件1Y， 1M，1C或IK的表面。用供給到作為顯影裝置5的顯影劑承載構件的顯影套筒上的調色劑顆粒，或者由調色劑顆粒及載體顆粒的混合物形成的顯影劑，顯影上述方法形成的潛像，從而形成調色劑可見圖像。在顯影潛像的時候，從電壓施加單元(未示出)向設置在各個圖像承載構件 1Y，1M，1C和IK的曝光區域與未曝光區域之間的顯影套筒上施加適當的電壓水平，或者其中向所述電壓疊加交流電壓的顯影偏壓。在各圖像承載構件上所形成的調色劑圖像分別對應于所用調色劑的各種顏色，分別形成在圖像承載構件1Y，1M，1C和IK上的調色劑圖像由轉印裝置6轉印到中間轉印構件 60上，然后從中間轉印構件60轉印到由送紙單元200輸送的諸如紙張這樣的記錄介質上。在該操作過程中，優選具有與調色劑的電荷相反極性的電壓施加給轉印裝置6作為轉印偏壓。在施加完上述電壓后，中間轉印構件60從圖像承載構件分離，結果，在中間轉印構件60上得到轉印后的圖像。殘留在圖像承載構件上的調色劑顆粒由清潔構件收集到清潔裝置4中的調色劑收集室內。成像設備可以具有多個上述顯影裝置，可以是這樣一個設備，其中分別有不同顏色的多個調色劑圖像由多個顯影裝置順序形成，所形成的調色劑圖像被順序轉印，所轉印后的圖像進入定影單元從而將調色劑用熱等進行定影。或者，成像設備是這樣一個設備， 其中以與上述方法相同的方法形成的多個調色劑圖像暫時順序轉印到中間轉印構件上，轉印后的調色劑圖像一次性轉印到諸如紙這樣的記錄介質上，之后用上述同樣的方式進行定影。此外，充電裝置3優選接觸圖像承載構件表面設置或設置在圖像承載構件表面附近，在上述實施方案中使用放電絲。與使用諸如電暈管和電暈器這樣的電暈放電器所產生的量相比，放電絲的使用可以顯著降低在充電過程中產生的臭氧量。處理盒處理盒至少包括圖像承載構件和本發明的保護層形成單元(裝置)，如有必要，還可以包括其它單元，如充電單元、顯影單元、顯影單元、轉印單元、清潔單元和去電單元。處理盒可拆卸地安裝在各種電照相設備中，優選可拆卸地安裝在前述本發明的成像設備中。圖17是處理盒一個實施例的示意性剖視圖。處理盒包括作為圖像承載構件的感光鼓1，以及面對感光鼓設置的保護層形成裝置2，其中保護層形成裝置2包括保護劑塊13、 保護劑供給構件14、壓力施加構件15、保護層形成構件16等。在轉印步驟之后，圖像承載構件具有用于圖像承載構件的部分劣化的保護劑或殘留在其表面上的調色劑成分，殘留在圖像承載構件表面上的這些殘留物由清潔構件12清潔。在圖17中，清潔構件與圖像承載構件以一定角度相接觸，這是所謂的相對型(引導型)。清潔構件12從圖像承載構件的表面上清除殘留調色劑和/或圖像承載構件的保護劑，之后保護劑從保護劑供給構件14涂覆到圖像承載構件的表面上，由保護層形成構件16 形成保護層薄膜。然后，已經以上述方式使用過保護層的圖像承載構件被充電，并曝光于諸如激光這樣的曝光光線L，從而形成靜電潛像，所形成的靜電潛像被顯影裝置5顯影，以使圖像可見，之后由安裝在處理盒外面的轉印裝置6將可見圖像轉印到記錄介質7上。實施例下面描述本發明的實施例，但這些實施例不得解釋為以任何方式限制本發明的范圍。牛產實施例1保護劑塊1的牛產90質量份的硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)和10質量份的氮化硼 (NX5,Momentive Performance Materials公司生產)的混合物放置在預定模具中，并抹平， 之后在130kN的壓力下壓縮10秒，從而產出四棱柱形狀的保護劑塊1，其在高度方向上長 10mm，在橫向上長8mm，在長度上長320mm。牛產實施例2保護劑塊2的牛產90質量份的硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)和10質量份的滑石粉 (PFI滑石粉，Miyoshi Kasei公司生產)的混合物放置在預定模具中，并抹平，之后在130kN 的壓力下壓縮10秒，從而產出四棱柱形狀的保護劑塊2，其在高度方向上長10mm，在橫向上長8mm，在長度上長320mm。生產實施例3保護劑塊3的生產90質量份的硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)和10質量份的云母 (SA云母，Miyoshi Kasei公司生產)的混合物放置在預定模具中，并抹平，之后在130kN的壓力下壓縮10秒，從而產出四棱柱形狀的保護劑塊3，其在高度方向上長10mm，在橫向上長 8mm，在長度上長320mm。生產實施例4保護劑塊4的生產硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)放置在預定模具中，并抹平，之后在 130kN的壓力下壓縮10秒，從而產出四棱柱形狀的保護劑塊4，其在高度方向上長10mm，在橫向上長8mm，在長度上長320mm。生產實施例5保護劑塊5的生產90質量份的硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)和10質量份的氮化硼 (NX5,Momentive Performance Materials公司生產)的混合物融合，之后將混合物放置在預定模具中，從而產出保護劑塊5。所得到的保護劑塊5是四棱柱形狀，其在高度方向上長 10mm，在橫向上長8mm，在長度上長320mm。
牛產實施例6保護劑塊6的牛產在熔化硬脂酸鋅(GF-200，由NOF CORPORATION生產)后，硬脂酸鋅被放置在預定模具中，從而產出保護劑塊6。所得到的保護劑塊6是四棱柱形狀，其在高度方向上長10mm， 在橫向上長8mm，在長度上長320mm。表權利要求
1.一種保護劑供給構件，包括 芯部；以及形成于芯部圓周上的泡沫層，其中保護劑供給構件是輥形，且其中泡沫層具有在其表面上均勻地布設的凹陷。
2.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中保護劑供給構件滿足如下關系 al ^ 0. 5mm，禾口a2 ^ 0. 2mm，其中al是泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離，a2是凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離。
3.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中保護劑供給構件具有如下范圍內的c/b 比率0. 25 ( c/b ( 0. 75，其中b是彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c是彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。
4.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中凹陷布設成網格圖案。
5.如權利要求4所述的保護劑供給構件，其中布設成網格圖案的凹陷具有分別在以下范圍內的比率cl/bl和c2/b2 0. 25 ( cl/bl ( 0. 75，和 0. 25 ( c2/b2 ( 0. 75，其中bl是相對于一個方向彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，cl是相對于所述一個方向上彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度，1^2是相對于與所述一個方向垂直的方向彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c2是相對于與所述一個方向垂直的方向上彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。
6.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中泡沫層包括聚亞安酯泡沫。
7.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中泡沫層是互連胞孔(interconnected cell)結構的泡沫層。
8.如權利要求1所述的保護劑供給構件，其中泡沫層每英寸包含25-300個胞孔，并具有50N至500N的硬度。
9.一種保護層形成裝置，包括 保護劑塊；以及保護劑供給構件； 其中該保護劑供給構件包括 芯部；以及形成于芯部圓周上的泡沫層， 其中保護劑供給構件是輥形，以及其中泡沫層具有在其表面上均勻布設的凹陷。
10.如權利要求9所述的保護層形成裝置，其中保護劑塊包含脂肪酸金屬鹽和無機潤滑劑。
11.如權利要求10所述的保護層形成裝置，其中脂肪酸金屬鹽是硬脂酸鋅。
12.如權利要求10所述的保護層形成裝置，其中無機潤滑劑是氮化硼。
13.如權利要求9所述的保護層形成裝置，還包括壓力施加構件，該壓力施加構件被構造成按壓保護劑塊以使保護劑塊與保護劑供給構件相接觸；以及保護層形成構件，該保護層形成構件被構造成攤薄涂覆在圖像承載構件表面上的保護劑以形成保護層。
14.如權利要求9所述的保護層形成裝置，其中保護劑供給構件滿足如下關系 al ^ 0. 5mm,禾口a2 ^ 0. 2mm,其中al是泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離，a2是凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離。
15.如權利要求9所述的保護層形成裝置，其中泡沫層具有如下范圍內的c/b比率 0. 25 ( c/b ( 0. 75，其中b是彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c是彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。
16.如權利要求9所述的保護層形成裝置，其中凹陷在泡沫層中布設成網格圖案。
17.一種成像設備，包括 圖像承載構件；靜電潛像形成構件，用于在圖像承載構件上形成靜電潛像； 顯影單元，用于用調色劑使靜電潛像顯影以形成可見圖像； 轉印單元，用于將可見圖像轉印到記錄介質上；保護層形成單元，用于在可見圖像已經從圖像承載構件轉印后，將保護劑提供到圖像承載構件的表面上以形成保護層；以及定影單元，用于將轉印后的可見圖像定影到記錄介質上， 其中保護層形成單元是保護層形成裝置，其包括 芯部；以及形成于芯部圓周上的泡沫層， 其中保護劑供給構件是輥形，以及其中泡沫層具有在其表面上均勻布設的凹陷。
18.如權利要求17所述的成像設備，其中保護劑供給構件滿足如下關系 al ^ 0. 5mm，禾口a2 ^ 0. 2mm，其中al是泡沫層的內圓周表面與凹陷的底面之間的平均距離，a2是凹陷的底面與凹陷的頂面之間的平均距離。
19.如權利要求17所述的成像設備，其中泡沫層具有如下范圍內的c/b比率 0. 25 ( c/b ( 0. 75，其中b是彼此相鄰的一對凹陷之間的平均距離，c是彼此相鄰的一對凹陷之間存在的泡沫層的平均寬度。
20.如權利要求17所述的成像設備，其中凹陷在泡沫層中布設成網格圖案。
全文摘要
本發明提供一種保護劑供給構件，包括芯部以及形成于芯部圓周上的泡沫層，其中保護劑供給構件是輥形，以及其中泡沫層具有在其表面上均勻地布設的凹陷。
文檔編號G03G21/18GK102540840SQ20111036225
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月9日 優先權日2010年9月9日
發明者中井洋志, 山本幸輔, 浦山太一, 田中真也, 長谷川邦雄 申請人:株式會社理光