本發明涉及液晶顯示屏技術領域,尤其涉及一種陣列基板以及一種顯示裝置。
背景技術:
液晶顯示面板是液晶顯示器的關鍵部件,液晶顯示器目前是市場上運用最為廣泛的顯示器。
目前液晶顯示面板逐漸朝著大尺寸或高解析度的方向發展。特別是液晶顯示面板的解析度,分辨率,已經不能滿足消費者的需求。
液晶顯示面板包括薄膜晶體管和像素電極,薄膜晶體管的漏極金屬通過金屬焊盤和像素電極電連接。其中液顯示面板的解析度的提升必定會造成像素電極尺寸的縮小,同時走線的增加會明顯降低開口率。而且像素電極變小之后,受限于布線空間,會有一些焊盤伸入顯示區,會使得開口區液晶所處電場和地形更加復雜,在外力作用下,這里的液晶會出現混亂排布的現象,畫面切換時液晶不能及時有序排列,此時液晶顯示面板的圖像質量就會出現問題。
技術實現要素:
本發明實施例提供了一種陣列基板以及一種顯示裝置,可以改善高液晶面板的解析度,提高圖像質量。
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:
一基板;
開關組件,所述開關組件設置于所述基板上;
其中,所述開關組件包括多個晶體管;
金屬走線;
像素電極,所述像素電極包括多條條狀的主干,所述主干包括相互垂直的水平主干與豎直主干,所述晶體管的漏極走線位于離所述晶體管的漏極距離最近的水平主干下;
多個像素單元,每個像素單元包括多個顯示疇區,每個像素單元的多個所述顯示疇區關于所述水平主干或者所述豎直主干對稱;
所述金屬走線在所述陣列基板的投影,與所述水平主干或者所述豎直主干在所述陣列基板的垂直投影重合。
可選地,所述像素單元包括公共電極走線和存儲電容;且位于同一行的所述像素單元的所述公共電極走線相互連接;
所述金屬走線所在膜層與所述公共電極走線所在膜層之間設置有絕緣層;
所述公共電極走線和所述金屬走線分別為所述存儲電容的第一電極和第二電極。
可選地,所述公共電極走線包括第一公共電極走線,所述第一公共電極走線在所述陣列基板的垂直投影與所述金屬走線在所述陣列基板的垂直投影重合。
可選地,所述公共電極走線還包括第二公共電極走線,所述第二公共電極走線位于所述像素單元的至少一個側邊處。
可選地,所述公共電極走線與所述晶體管的柵極同層設置。
可選地,所述金屬走線與所述晶體管的漏極同層設置。
可選地,所述絕緣層為所述晶體管的柵極絕緣層;所述金屬走線所在膜層與所述像素電極所在膜層之間設置有鈍化層;
所述鈍化層設置有通孔,所述金屬走線通過所述通孔與所述像素電極連接。
可選地,所述通孔在所述陣列基板的垂直投影,與所述水平主干和/或所述豎直主干在所述陣列基板的垂直投影重合。
可選地,每個所述像素單元包括第一顯示疇區、第二顯示疇區、第三顯示疇區以及第四顯示疇區;其中,所述第一顯示疇區和所述第二顯示疇區同行設置,所述第三顯示疇區和所述第四顯示疇區同行設置;所述第一顯示疇區和所述第三顯示疇區同列設置;所述第二顯示疇區和所述第四顯示疇區同列設置。
可選地,所述通孔在所述陣列基板的垂直投影與所述第一顯示疇區和所述第二顯示疇區之間的間隙、所述第一顯示疇區和所述第三顯示疇區之間的間隙、所述第二顯示疇區和所述第四顯示疇區之間的間隙、所述第三顯示疇區和所述第四顯示疇區之間的間隙中的至少一個重疊。
可選地,所述金屬走線的寬度范圍大于等于2微米小于等于3微米。
本發明實施例提供一種顯示裝置,包括:控制電路;以及顯示面板,其中,所述顯示面板包括上述內容所述的陣列基板。
本發明實施例通過設置晶體管的漏極走線位于離晶體管距離最近的水平主干下,可以避免現有技術中晶體管的漏極金屬通過金屬焊盤和像素電極連接導致的像素電極尺寸縮小、焊盤伸入顯示區引起液晶出現混亂排布的現象,無需額外占用像素單元顯示區的面積,提高了像素的開口率。由于像素單元中相鄰兩顯示疇區的間隙區域的液晶受到相鄰兩個顯示疇區的電場作用,本發明實施例中每個像素單元的多個所述顯示疇區關于所述水平主干或者所述豎直主干對稱,消除了電場不均勻對于液晶分子的影響。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖說明所作的對非限制性實施例所作的詳細描述,本發明的其它特征、目的和優點將變得更明顯。
圖1為范例的陣列基板的局部俯視圖;
圖2為圖1中虛線框16所示區域的光學檢測圖;
圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板的局部俯視圖;
圖4為圖3中虛線框41所示區域的光學檢測圖;
圖5為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;
圖6為沿圖5中的aa’方向剖面圖;
圖7為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;
圖8為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;
圖9為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;
圖10為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;
圖11為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是,此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明,而非對本發明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。
圖1為范例的陣列基板的局部俯視圖,參見圖1,絕緣交叉的數據線11和掃描線12限定出多個像素單元13。晶體管14與像素單元13中的像素電極131之間通過焊盤15進行連接。焊盤15伸進像素單元13的顯示區中,一方面會減小像素單元13的開口率,另一方面伸進像素單元13的焊盤15會影響周圍顯示區的電場。圖2為圖1中虛線框16所示區域的光學檢測圖。參見圖2,可見焊盤15所在區域不透光,降低了像素單元的開口率,并且焊盤15周圍液晶出現混亂排布的現象,造成顯示不良,畫面切換時液晶不能及時有序排列,出現殘影現象,52為公共電極走線所在區域不透光。
圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板的局部俯視圖,參考圖3,本發明實施例提供的陣列基板包括:一基板,基板在圖中并未示出;開關組件,開關組件設置于基板上,開關組件包括多個晶體管20、像素電極30以及金屬走線40。其中,像素電極30包括多條條狀的主干31,主干包括相互垂直的水平主干310與豎直主干311,晶體管20的漏極走線21位于離晶體管20距離最近的水平主干310下;晶體管20的漏極21通過漏極走線21與像素電極30連接(漏極走線和漏極用同一標號21)。陣列基板包括多個像素單元50,每個像素單元50包括多個顯示疇區51;像素單元50的多個顯示疇區51關于所述水平主干31或者所述豎直主干32對稱。金屬走線40在陣列基板10的垂直投影,與水平主干310或者豎直主干311在所述陣列基板的垂直投影重合。
本發明實施例通過設置晶體管20的漏極走線21位于離晶體管20距離最近的水平主干310下,因此可以避免晶體管20的漏極金屬通過金屬焊盤和像素電極30連接導致的像素電極30尺寸縮小、焊盤伸入顯示區引起液晶出現混亂排布的現象。無需額外占用像素單元顯示區的面積,提高了像素的開口率。由于像素單元50中相鄰兩顯示疇區51的間隙區域的液晶受到相鄰兩個顯示疇區51的電場作用,因此像素單元50中相鄰兩顯示疇區的間隙區域呈現暗態,本發明將連接晶體管20的漏極21與像素電極30的金屬走線40設置在相鄰兩顯示疇區的間隙內,因此金屬走線設置無需額外占用像素單元50顯示區的面積,提高了像素的開口率。本發明實施例中每個像素單元的多個所述顯示疇區51關于所述水平主干310或者所述豎直主干311對稱,消除了電場不均勻對于液晶分子的影響。圖4為圖3中虛線框41所示區域的光學檢測圖。圖2為圖1中虛線框16所示區域的光學檢測圖。對比圖2和圖4可知,圖4的顯示畫面顯示出光的面積大于圖2中顯示畫面出光的面積,避免了漏極和像素電極的連接導致像素單元開口率降低的問題。此外,參見圖4,整個像素單元的顯示區并未出現畫面模糊以及殘影現象,由于設置金屬走線40在陣列基板10的垂直投影位于相鄰兩顯示疇區51的間隙在陣列基板10的垂直投影內,本發明實施例中每個像素單元的多個所述顯示疇區51關于所述水平主干310或者所述豎直主干311對稱,消除了電場不均勻對于液晶分子的影響,因此不會出現如圖2中焊盤15引起周圍電場變化導致液晶排布不規律的問題,僅存在公共電極走線52所在區域不透光。
需要說明的是,本發明實施例中的晶體管20可以為金屬氧化物晶體管、低溫多晶硅晶體管以及非晶硅晶體管等,本發明實施例對晶體管的類型不做限定。其中,晶體管20的柵極與掃描線12相連(圖3中晶體管20的柵極為掃描線12的一部分),用于接收掃描信號,晶體管20的源極23和數據線11相連,用于接收數據信號。晶體管的漏極21通過金屬走線40與像素電極30相連。可選地,金屬走線40的寬度范圍可以設置為大于等于2微米小于等于3微米。示例性地,圖3將像素單元50劃分為4個顯示疇區51,在顯示疇區51所有間隙均設置了金屬走線40。
可選地,金屬走線40與晶體管20的漏極21同層設置。金屬走線40的材料可以選擇與晶體管的漏極選擇同樣的材料,即金屬走線40和晶體管20的漏極21可以在同一工藝中使用同種材料圖案化形成,從而簡化制作工藝,降低生產成本。
圖5為本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部俯視圖;圖6為沿圖5中的aa’方向剖面圖。
結合圖5和圖6,在上述實施例的基礎上,本發明實施例提供的陣列基板中的像素單元50還包括公共電極走線52和存儲電容(圖中未示出);且位于同一行的像素單元50的公共電極走線線52相互連接。參見圖6,公共電極走線52與金屬走線40異層絕緣設置,公共電極走線52與金屬走線40之間設置有絕緣層24,公共電極走線52和金屬走線40分別為存儲電容的第一電極和第二電極。金屬走線40與像素電極30之間設置有鈍化層25,鈍化層25設置有通孔26,金屬走線40通過通孔26與像素電極30連接。通孔26在陣列基板的垂直投影至少與兩個相鄰的顯示疇區51的間隙在陣列基板的垂直投影重疊,即通孔26在陣列基板的垂直投影與水平主干310或者豎直主干311在陣列基板的垂直投影重合。
需要說明的是,存儲電容有助于保持液晶顯示面板中液晶盒的電位保持,延長顯示面板顯示的時間,增強顯示面板顯示效果的穩定性。本發明實施例中可以通過調節共通走線52和金屬走線40之間的距離改變存儲電容的大小。例如可以根據實際產品對存儲電容大小的要求,設置共通走線52和金屬走線40所在膜層位置控制共通走線52和金屬走線40之間的距離。
可選地,參見圖6,金屬走線40所在膜層與公共電極走線52所在膜層之間的絕緣層24可以是晶體管20的柵極絕緣層。相比現有技術中使用公共電極走線作為存儲電容的第一電極,使用像素電極作為存儲電容的第二電極,像素電極所在膜層與公共電極走線所在膜層之間依次設置有晶體管的柵極絕緣層和鈍化層,即存儲電容的第一電極和第二電極之間設置有柵極絕緣層和鈍化層,本發明實施例提供的陣列基板,存儲電容的第一電極和第二電極可以僅設置有晶體管的柵極絕緣層,因此本發明可以增大陣列基板的存儲電容,增強顯示面板顯示效果的穩定性。
可選地,參見圖5,公共電極走線52包括第一公共電極走線521,第一公共電極走線521在陣列基板的垂直投影與金屬走線40在陣列基板的垂直投影重合。
可選地,公共電極走線52還包括第二公共電極走線522,第二公共電極走線522位于像素單元50的至少一個側邊處。
可選地,公共電極走線52與晶體管20的柵極同層設置。在形成晶體管20柵極的同時,通過圖案化刻蝕形成公共電極走線,簡化了制作工藝,降低了生產成本。
需要說明的是圖5示例性的設置每個像素單元包括4個顯示疇區,在其他實施方式中,可以根據實際產品的設計需求調整顯示疇區的數量。參見圖5,每個像素單元包括呈2×2矩陣排列的第一顯示疇區511、第二顯示疇區512第三顯示疇區513以及第四顯示疇區514;其中,第一顯示疇區511和第二顯示疇區512同行設置,第三顯示疇區513和第四顯示疇區514同行設置;第一顯示疇區511和第三顯示疇區513同列設置;第二顯示疇區512和第四顯示疇區514同列設置。本發明實施例可以設置通孔26在陣列基板的垂直投影與第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙、第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙、第三顯示疇區513和第四顯示疇區514之間的間隙重疊,以增加存儲電容的兩個電極的相對面積。
需要說明的是,本發明實施例中只要金屬走線40在陣列基板的垂直投影還可以位于第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙、第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙、第三顯示疇區513和第四顯示疇區514之間的間隙中的至少一個在陣列基板的垂直投影內,通孔26在陣列基板10的垂直投影與第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙、第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙、第三顯示疇區513和第四顯示疇區514之間的間隙中的至少一個重疊即可。
參見圖7示出的陣列基板,金屬走線40在陣列基板的垂直投影位于第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙在陣列基板的垂直投影內。通孔(圖中虛線框53所示區域)在陣列基板的垂直投影與第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙重疊。
參見圖8示出的陣列基板,金屬走線40在陣列基板的垂直投影位于第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙以及第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙在陣列基板的垂直投影內。通孔(圖中虛線框53所示區域)在陣列基板的垂直投影僅與第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙重疊。
參見圖9示出的陣列基板,金屬走線40在陣列基板的垂直投影位于第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙以及第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙在陣列基板的垂直投影內。還可以設置通孔(圖中虛線框54所示區域)在陣列基板的垂直投影與第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙以及第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙重疊。
參見圖10示出的陣列基板,金屬走線40在陣列基板的垂直投影位于第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙以及第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙在陣列基板的垂直投影內。還可以設置通孔(圖中虛線框53和虛線框54所示區域)在陣列基板的垂直投影與第一顯示疇區511和第二顯示疇區512之間的間隙、第一顯示疇區511和第三顯示疇區513之間的間隙以及第二顯示疇區512和第四顯示疇區514之間的間隙均重疊。通過調整金屬走線與各顯示疇區之間的間隙交疊面積以及通孔與各顯示疇區之間的間隙交疊面積,可以控制存儲電容的大小,存儲電容增大有助于液晶電容電位的保持,對補償寄生電容進行補償。
本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括:控制電路;以及顯示面板,其中,顯示面板包括上述技術方案中涉及到的陣列基板。圖11為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。
如圖11所示,顯示面板包括上述實施例中的陣列基板10。本發明實施例提供的顯示面板包括上述實施例中的陣列基板,因此本發明實施例提供的顯示面板也具有上述實施例中所描述的有益效果,此處不再贅述。
其中,顯示面板可例如為lcd顯示面板、oled顯示面板、qled顯示面板、曲面顯示面板或其他顯示面板。
在該顯示裝置為lcd顯示裝置時,該顯示裝置可以為tn、ocb、va型、曲面型液晶顯示裝置,但并不限于此。
注意,上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解,本發明不限于這里所述的特定實施例,對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整、相互結合和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此,雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明,但是本發明不僅僅限于以上實施例,在不脫離本發明構思的情況下,還可以包括更多其他等效實施例,而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。