本公開涉及靜電晶片夾具和用于形成和修改靜電晶片夾具的電極結構的方法。

背景技術：

1、光刻設備是將期望的圖案施加至襯底或晶片上（通常施加至晶片的目標部分上）的機器。光刻設備可以用于（例如）集成電路（ic）的制造中。在那種情況下，可互換地被稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置可以用于產生待形成在所形成的ic的單層上的電路圖案。這種圖案可以轉印至晶片（例如，硅晶片）上的目標部分（例如，包括管芯的部分、一個管芯或若干管芯）上。通常經由成像至設置在晶片上的輻射敏感材料（例如抗蝕劑）層上來進行圖案的轉印。通常，單個晶片將包括被連續地圖案化的相鄰目標部分的網絡。傳統的光刻設備包括：所謂的步進器，其中，通過一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每個目標部分；和所謂的掃描器，其中，通過在給定方向（“掃描”方向）上經由輻射束掃描圖案，同時平行或反向平行于這種掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每個目標部分。也可能通過將圖案壓印至晶片上而將圖案從圖案形成裝置轉印至晶片。

2、隨著半導體制造過程繼續進步，幾十年來，電路元件的尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如晶體管之類的功能元件的量已在穩固地增加，這遵循通常被稱為“莫耳定律”的趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使能夠產生越來越小特征的技術。為了將圖案投影在晶片上，光刻設備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長確定被圖案化在晶片上的特征的最小大小。當前在使用中的典型波長是：深紫外（duv）輻射系統中的365?nm（i線）、248?nm和193?nm；和極紫外（euv）輻射系統中的13.5?nm。euv輻射，例如具有約50納米（nm）或更小的波長的電磁輻射（有時也被稱為軟x射線）且包括處于約13.5?nm的波長的光，可以用于光刻設備中或與光刻設備一起使用以在例如硅晶片的晶片中或上產生非常小的特征。例如，相比于使用具有193?nm的波長的輻射的光刻設備，使用具有在4?nm至20?nm范圍內（例如6.7?nm或13.5?nm）的波長的euv輻射的光刻設備可以用于在晶片上形成較小特征。

3、通常使用晶片夾具將晶片（即，襯底）保持在晶片臺上。晶片夾具可以是例如用于duv輻射系統中的真空夾具或用于euv輻射系統中的靜電夾具。期望規定并且維護晶片臺的表面上的摩擦性質（例如，摩擦力、硬度、磨損等）。晶片臺、或被附接至晶片臺的晶片夾具由于光刻和量測過程的精度要求而具有可能難以滿足的表面水平公差。相較于其表面區域的寬度（例如，寬度＞100.0?mm）為相對薄（例如，厚度＜1.0毫米（mm））的晶片對晶片臺的不均勻性是特別敏感的。因為接觸的超光滑表面可能變得黏附在一起，所以當晶片必須從晶片臺脫離接合時，問題持續存在。為了減小與晶片交界的表面的光滑度，晶片臺或晶片夾具的表面可以包括例如通過對晶片的圖案化和蝕刻而被形成的突節。然而，由于由突節施加至晶片的力、靜電夾持、回填氣體壓力、晶片硬度和/或重力的組合，晶片可以在位于突節之間的區域中下陷。因此，需要經改進的晶片夾具。

技術實現思路

1、本文中披露靜電晶片夾具和用于形成和修改靜電晶片夾具的電極結構的方法的各個實施例。

2、一些實施例是針對于一種用于將可交換對象定位在光刻設備中的支撐結構。在一些實施例中，所述支撐結構可以形成夾具機構且包括從所述夾具機構的頂部表面延伸的多個突節，其中，所述夾具機構包括介電層。在一些實施例中，多個接地線可以被涂覆在所述頂部表面上。在一些實施例中，所述多個接地線中的至少一個接地線可以被配置成與所述多個突節中的至少一個突節互連。在一些實施例中，電極層可以在所述介電層中嵌入在所述頂部表面下方。在一些實施例中，所述電極層可以包括所述電極層中的絕緣材料。在一些實施例中，所述絕緣材料的一部分可以被成形以與所述多個接地線的外部輪廓相對應，使得所述絕緣材料的內部輪廓可以與所述多個接地線的所述外部輪廓對準。

3、在一些實施例中，成形所述絕緣材料的一部分可以所述多個接地線附近的電荷效應。

4、在一些實施例中，所述成形可以通過鍵合后結構化完成。

5、在一些實施例中，使用激光束執行所述鍵合后結構化。

6、在一些實施例中，所述多個突節可以包括導電涂層。

7、在一些實施例中，所述多個接地線可以被配置成將所述多個突節耦合至接地電位。

8、在一些實施例中，嵌入所述電極層可以包括使用鉻層嵌入。

9、在一些實施例中，所述電極層可以形成有接觸孔。

10、在一些實施例中，所述電極層可以被圖案化。

11、在一些實施例中，所述可交換對象和所述介電層可以被定位成相隔約10微米。

12、在一些實施例中，真空可以被形成在所述可交換對象與所述介電層之間。

13、下文參考隨附附圖詳細地描述本公開內容的另外的特征以及各個實施例的結構和操作。應注意，本公開內容不限于本文中所描述的特定實施例。本文中僅出于說明性目的來呈現這些實施例。基于本文中包括的教導，相關領域技術人員將明白額外的實施例。

技術特征：

1.一種制造用于將可交換對象定位在光刻設備中的支撐結構的方法，包括：

2.根據權利要求1所述的方法，還包括成形所述絕緣材料的一部分以減少所述多個接地線附近的電荷效應。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述成形包括鍵合后結構化，并且

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

5.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述電極層包括嵌入鉻層。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

8.一種用于將可交換對象定位在光刻設備中的支撐結構，包括：

9.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述絕緣材料的所述外部輪廓被構造成減少在所述多個接地線附近的電荷效應。

10.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述多個突節包括導電涂層。

11.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述多個接地線將所述多個突節電耦合至接地電位。

12.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述電極層包括鉻。

13.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述電極層包括接觸孔。

14.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述電極層被圖案化。

15.根據權利要求8所述的支撐結構，其中，所述可交換對象和所述介電層隔開約10微米；并且

技術總結
本文中披露了涉及一種靜電晶片夾具以及用于形成和修改靜電晶片夾具的電極結構的方法的實施例。晶片夾具包括在介電層中具有經由接地線互連的多個突節的電極結構。通過由鍵合后結構化等來修改所述接地線附近的電極結構，可以減小電場，從而引起較低的循環感應充電。

技術研發人員：古斯塔夫·加萊因·范伊登,J·A·L·J·瑞馬克,塔莫·伊特爾迪克
受保護的技術使用者：ASML荷蘭有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28