專(zhuān)利名稱(chēng)：：金屬拋光液和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種金屬拋光液以及使用該金屬拋光液的拋光方法，更詳細(xì)地，涉及一種用于半導(dǎo)體器件制造中的布線工藝的金屬拋光液以及使用該金屬拋光液的拋光方法。
背景技術(shù)：
：近來(lái)，在由半導(dǎo)體集成電路(以下，適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)作"Lsr)代表的半導(dǎo)體器件的發(fā)展中，為了實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更高速度，要求通過(guò)布線和層疊的小型化實(shí)現(xiàn)更高致密化和更高的集成。作為用于此的技術(shù)，正在使用各種技術(shù)如化學(xué)機(jī)械拋光(以下，適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)作"CMP")。CMP是在使襯底變平滑并且形成布線時(shí)，用于將半導(dǎo)體器件制造中的絕緣薄膜(Si02)和布線中所用的金屬薄膜拋光以除去多余的金屬薄膜的方法(參見(jiàn)，例如美國(guó)專(zhuān)利4944836)。在CMP中使用的金屬拋光液通常包括磨料粒(比如氧化鋁)和氧化劑(比如過(guò)氧化氫)。通過(guò)CMP拋光的機(jī)理被認(rèn)為是氧化劑氧化金屬表面，并且通過(guò)磨料粒除去氧化物膜以進(jìn)行拋光(參見(jiàn)，例如，電化學(xué)協(xié)會(huì)期刊(Jowma/0/五/e"rac/zemz.c"/Soc^oO,138巻(ll),3460至3464頁(yè)(1991))。然而，當(dāng)將CMP通過(guò)使用含有這樣的固體磨料粒的金屬拋光液而使用時(shí)，在一些情況下，可能導(dǎo)致拋光劃痕；其中將整個(gè)拋光表面過(guò)分拋光的現(xiàn)象(變薄)；其中被拋光的金屬表面不平，即只有中心部分被拋光得更深以致形成盤(pán)狀凹面的現(xiàn)象(表面凹陷)；或其中將在金屬布線之間的絕緣材料過(guò)分拋光并且多個(gè)布線金屬表面形成盤(pán)狀凹面的現(xiàn)象(侵蝕)。而且，當(dāng)使用含有固體磨料粒的金屬拋光液時(shí)，在通常用于除去殘留在拋光的半導(dǎo)體表面上的拋光液的清洗處理中，該清洗處理變得復(fù)雜，而且，為了處理洗滌后的液體(廢液)，必須將固體磨料粒沉降和分離；因此，5出于成本的觀點(diǎn)，是有問(wèn)題的。為了克服常規(guī)磨料粒的這些問(wèn)題，例如，公開(kāi)了一種將不含磨料粒的拋光液與干法蝕刻組合的金屬表面拋光方法(參見(jiàn)，例如電化學(xué)協(xié)會(huì)期刊(7c朋/0/五/e"roc/7e冊(cè)'ca/Soc/e^),147巻(IO)，3907至3913頁(yè)(2000))。而且，作為不含磨料粒的金屬拋光液，公開(kāi)了由過(guò)氧化氫/蘋(píng)果酸/苯并三唑/聚丙烯酸銨和水制成的金屬拋光液，以及使用該金屬拋光液的拋光方法(參見(jiàn)，例如日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)(JP-A)No.2001-127019)。根據(jù)在這些文件中描述的拋光方法，將半導(dǎo)體襯底的凸部的金屬膜選擇性地進(jìn)行CMP，并且留下凹部的金屬膜以形成所需的導(dǎo)體圖案。然而，因?yàn)镃MP是因使用在機(jī)械上遠(yuǎn)比含有磨料粒的常規(guī)拋光液更柔軟的拋光墊(polishingpad)的摩擦而進(jìn)行的，所以存在難以獲得足夠的拋光速度的問(wèn)題。作為布線金屬，迄今為止通常將鎢和鋁用于互連結(jié)構(gòu)。然而，為了獲得更高的性能，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了使用在布線電阻方面低于這些金屬的銅的LSI。作為用于將銅布線的方法，例如，JP-ANo.2-278822中公開(kāi)的金屬鑲嵌(damascene)方法是已知的。此外，廣泛使用雙金屬鑲嵌方法，其中在夾層絕緣膜中同時(shí)形成接觸孔和布線凹槽，并且將金屬埋入兩者中。作為用于這種銅布線的靶材，已經(jīng)采用了具有5個(gè)九以上的高純度的銅靶。但是，最近，隨著將布線小型化以進(jìn)行進(jìn)一步的致密化，需要改善銅布線的導(dǎo)電率和電特性；因此，正在研究向高純度銅中加入第三組分的銅合金。同時(shí)，需要一種能夠在不污染所述高精度和高純度材料的情況下表現(xiàn)出高生產(chǎn)率的高性能金屬拋光手段。而且，最近，為了提高生產(chǎn)率，在制備LSI時(shí)的晶片直徑在增大。目前，通常使用200mm以上的直徑，并且也已經(jīng)開(kāi)始300mm以上大小的生產(chǎn)。當(dāng)晶片直徑如此變大時(shí)，在晶片的中心部分和周邊部分趨向于產(chǎn)生拋光速度的差異；因此，在拋光中均勻性的實(shí)現(xiàn)變得重要。作為對(duì)銅和銅合金不采用機(jī)械拋光手段的化學(xué)拋光方法，己知的是使用化學(xué)溶劑作用的方法(參見(jiàn)例如，JP-ANo.49-122432)。但是，相比于凸部的金屬膜被選擇性化學(xué)機(jī)械拋光的CMP，在只依賴(lài)于化學(xué)溶劑作用的化學(xué)拋光方法中，凹部被拋光，即，產(chǎn)生表面凹陷；因此，存在關(guān)于平面度的大問(wèn)題。而且，公開(kāi)了一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的水分散體成分(dement)，它包括抑制拋光墊劣化的有機(jī)化合物(參見(jiàn)例如，JP-ANo.2001-279231)。然而，即使當(dāng)使用該拋光水分散體成分時(shí)，也仍然存在以下?lián)目赡墚a(chǎn)生表面凹陷現(xiàn)象，在該現(xiàn)象中，布線部分的金屬被過(guò)度拋光至如盤(pán)子那樣挖空。除上述之外，為了使拋光表面平面化，提出了一種工作液體，該工作液體包含選自有利于矯正晶片表面的亞氨二乙酸酯及其鹽的螯合劑(參見(jiàn)例如，日本專(zhuān)利申請(qǐng)國(guó)家階段公布No.2002-538284);以及提出了一種含有a-氨基酸的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(參見(jiàn)例如，JP-ANo.2003-507894)。由于這些技術(shù)，可以提高在銅布線中的拋光性能。而且，通常地，在對(duì)銅布線進(jìn)行高性能拋光之后，將經(jīng)常被用作銅布線的阻擋層金屬的鉭或鉭合金以及銅進(jìn)行精確地拋光，從而使布線附近平面化。因此，需要實(shí)現(xiàn)一種拋光液，它在銅拋光結(jié)束時(shí)，在銅和鉭之間具有拋光選擇性(以下，合適地稱(chēng)作"銅/鉭拋光選擇性")，在這種選擇性中，銅容易被研磨，而鉅難于被研磨。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而進(jìn)行的，并且提供一種金屬拋光液和金屬拋光方法。本發(fā)明的第一方面提供一種金屬拋光液，該金屬拋光液在制造半導(dǎo)體器件過(guò)程中用于銅或銅合金的導(dǎo)體膜的化學(xué)機(jī)械拋光，所述金屬拋光液包含(l)由式(I)表示的氨基酸衍生物；禾卩(2)表面活性劑，R1~N—RLcOOH(1)其中，在式(I)中，R'表示含1至4個(gè)碳原子的烷基，并且W表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。具體實(shí)施方式在上述情況下進(jìn)行深入研究之后，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使用下面描述的金屬拋光液以及使用該金屬拋光液的拋光方法，能夠解決上面所述的問(wèn)題，從而完成了本發(fā)明。以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。[金屬拋光液]本發(fā)明的金屬拋光液是在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用于銅或銅合金的導(dǎo)體膜的化學(xué)機(jī)械拋光的金屬拋光液，所述金屬拋光液包含(l)由下式(I)表示的氨基酸衍生物；禾Q(2)表面活性劑R1~~N—RLcOOH川其中在式(I)中，W表示含1至4個(gè)碳原子的垸基，并且W表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。以下，將描述本發(fā)明的金屬拋光液，盡管它不受下列描述的限制。本發(fā)明的金屬拋光液通過(guò)包含組分(1)由上述通式(I)表示的氨基酸衍生物和(2)表面活性劑作為必要組分，并且通常包含水而構(gòu)成。需要時(shí)，本發(fā)明的金屬拋光液還可以包含其它組分。其它組分的優(yōu)選實(shí)例包括添加劑，比如作為所謂鈍化膜形成劑加入的化合物(例如芳族雜環(huán)化合物)、氧化劑、酸、堿、緩沖劑和磨料粒。金屬拋光液包含的各種組分(必要組分和任選組分)可以單獨(dú)或以其至少兩種的組合形式使用。在本發(fā)明中，"金屬拋光液"不僅包括在拋光中使用的拋光液(即，需要時(shí)稀釋的拋光液)，而且包括金屬拋光液的濃縮液。金屬拋光液的濃縮液指的是制備出的在溶質(zhì)濃度方面比在拋光時(shí)使用的拋光液體更高并且在用水或水溶液稀釋之后在拋光時(shí)使用的液體。稀釋倍數(shù)通常在1至20倍體積的范圍。在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)"濃度"和"濃縮液"是按照如下常規(guī)表述使用的，即表示比使用狀態(tài)更高"濃度"和更加"濃縮液"，并且是以不同于伴隨物理濃縮操作如蒸發(fā)的一般技術(shù)術(shù)語(yǔ)的含義的方式使用的。下面，將描述包含在本發(fā)明的金屬拋光液中的各組分。首先，將順序描述各個(gè)組分，(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物和(2)表面活性劑，即本發(fā)明的金屬拋光液中的必要組分。<(1)由式(1)表示的氨基酸衍生物〉本發(fā)明的金屬拋光液包含由下式(I)表示的氨基酸衍生物(以下，適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)作"特定的氨基酸衍生物")。r1—n—rM:ooh(|)在式(I)中，R'表示含1至4個(gè)碳原子的烷基，并且W表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。R!表示含有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且其具體實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基和叔丁基。這些中，優(yōu)選甲基、乙基、正丙基和正丁基。更優(yōu)選甲基、乙基和正丙基，并且還更優(yōu)選甲基和乙基。W表示含有1至4個(gè)碳原子的亞烷基，并且所述亞烷基可以是直鏈或支鏈的。由R2表示的亞烷基的具體實(shí)例包括亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞異丙基和亞丁基(亞異丁基、亞正丁基、亞異丁基、亞仲丁基或亞叔丁基)，其中優(yōu)選亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基和亞正丁基，更優(yōu)選亞甲基、亞乙基、亞丙基和亞丁基，并且還更優(yōu)選亞甲基和亞乙基。W還可以包含取代基，例如羧基、羥基、磺基或垸氧基。在通式(I)中的R'和R"的優(yōu)選組合是R'為甲基、乙基、正丙基或正丁基，并且R為亞甲基、亞乙基、亞丙基或亞丁基(或亞正丁基)。更優(yōu)選的組合是R'為甲基、乙基或正丙基，并且f為亞甲基、亞乙基、亞丙基或亞丁基。還更優(yōu)選的組合是Ri為甲基或乙基，并且W為亞甲基或亞乙基。以下，顯示特定的氨基酸衍生物的具體實(shí)例(示例的化合物A-l到A-4，B-l到B-4和C-l到C-4)。然而，本發(fā)明并不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>用于本發(fā)明的特定的氨基酸衍生物優(yōu)選為選自N-甲基甘氨酸、N-甲基丙氨酸和N-乙基甘氨酸中的至少一種以確保拋光速度和防止表面凹陷之間的良好平衡，并且在這些之中，更優(yōu)選N-甲基甘氨酸或N-乙基甘氨酸。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>在用于拋光時(shí)的金屬拋光液(即，在通過(guò)用水或水溶液稀釋它而使用金屬拋光液的情況下，這稱(chēng)作稀釋的拋光液。下面，"用于拋光時(shí)的拋光液"具有相同的含義)中，在本發(fā)明的金屬拋光液中的特定的氨基酸衍生物的含量作為總量?jī)?yōu)選在0.01至10質(zhì)量％，并且更優(yōu)選0.05至5質(zhì)量％的范圍內(nèi)。<(2)表面活性劑>根據(jù)本發(fā)明使用的表面活性劑可以是陽(yáng)離子、非離子、陰離子或兩性的，但是優(yōu)選是陰離子或非離子的。陰離子表面活性劑優(yōu)選處于酸的類(lèi)型，并且如果它處于鹽結(jié)構(gòu)的形式，則它優(yōu)選為銨鹽、鉀鹽、鈉鹽等，特別優(yōu)選為鈉鹽、銨鹽或鉀鹽。它優(yōu)選選自下列各組。陰離子表面活性劑的具體實(shí)例包括羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、硫酸酯鹽以及磷酸酯鹽。羧酸或其鹽包括皂、N-酰基氨基酸或其鹽、聚氧乙烯或聚氧丙烯烷基醚羧酸或其鹽、和酰化肽；磺酸或其鹽包括烷基磺酸或其鹽、垸基苯或垸基萘磺酸或其鹽、萘磺酸或其鹽、磺基琥珀酸或其鹽、(X-烯烴磺酸或其鹽、和N-酰基磺酸或其鹽；硫酸酯鹽包括磺化油、垸基硫酸或其鹽、垸基醚硫酸或其鹽、聚氧乙烯或聚氧丙烯烷基-烯丙基醚硫酸或其鹽、以及烷基酰胺硫酸或其鹽；并且磷酸酯鹽包括烷基磷酸或其鹽、以及聚氧乙烯或聚氧丙烯垸基烯丙基醚磷酸或其鹽。在這些之中，優(yōu)選磺酸或其鹽。根據(jù)本發(fā)明使用的表面活性劑優(yōu)選為具有垸基和/或芳基的表面活性劑，并且更優(yōu)選為由下式(2)表示的表面活性劑。式(2)R-Ar-0-Ar-S03-M+在式(2)中，R表示表示含8至20個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基，Ar獨(dú)立地表示芳基，并且M+表示氫離子、堿金屬離子或銨離子。在式(2)中由R表示的烷基具有8至20個(gè)碳原子，優(yōu)選10至29個(gè)，并且更優(yōu)選12至20個(gè)碳原子。烷基可以是直鏈或支鏈型垸基，并且優(yōu)選是直鏈型烷基。由R表示的烷基的實(shí)例包括辛基、壬基、癸基、十一垸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九垸基或二十垸基。在這些之中，優(yōu)選癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八垸基、十九烷基或二十烷基。在式(2)中由Ar表示的芳基可以是例如苯基、萘基、蒽基或菲基，并且優(yōu)選為苯基。因此，根據(jù)本發(fā)明使用的表面活性劑優(yōu)選為具有苯基的表面活性劑。更優(yōu)選地，在由式(2)表示的表面活性劑中，兩個(gè)Ar中只有一個(gè)是苯基。在上式(2)中的烷基和芳基可以具有取代基，并且可以被引入其中的取代基的實(shí)例包括鹵素原子(氟、氯、溴或碘)，烷基(直鏈、支鏈或環(huán)狀垸基，其可以是多環(huán)烷基如雙環(huán)烷基或者可以包含活性甲基(activemethanegroup))，鏈烯基，炔基，芳基，雜環(huán)基(其可以在任何位置被取代)，酰基，垸氧羰基，芳氧羰基，雜環(huán)氧羰基，氨基甲酰基(具有取代基的氨基甲酰基的實(shí)例包括iV-羥基氨基甲酰基，琴酰基氨基甲酰基，W-磺酰基氨基甲酰基，1氨基甲酰基氨基甲酰基，硫代氨甲酰基和7V-氨磺酰基氨基甲酰基)，咔唑基，羧基或其鹽，草酰基，草氨酰基，氰基，碳酰亞氨基(carbonimidoylgroup),甲酰基，羥基，烷氧基(包括含有重復(fù)乙烯氧基或丙烯氧基單元的基團(tuán))，芳氧基，雜環(huán)氧基，酰氧基，(垸氧基或芳氧基)羰基氧基，氨基甲酰氧基，磺酰氧基，氨基，(烷基，芳基或雜環(huán)基)氨基，酰氨基，磺酰胺基，脲基，硫脲基，,羥基脲基，酰亞胺基，(烷氧基或芳氧基)羰基氨基，氨磺酰氨基，氨基脲基，氨基硫脲基，肼基，銨基，草氨酰氨基，AH烷基或芳基)磺酰脲基，7V-酰基脲基，W-酰基氨磺酰氨基，羥基氨基，硝基，含季氮原子的雜環(huán)基(例如吡啶子基(pyridinio)、咪唑子基(imidazolio)、喹啉子基(quinolinio)或異喹啉子基(isoquinolinio))，異氰基，亞氨基，巰基，(烷基，芳基或雜環(huán)基)硫代基，(烷基，芳基或雜環(huán)基)二硫代基，(烷基或芳基)磺酰基，(烷基或芳基)亞磺酰基，磺基，氨磺酰基(具有取代基的氨磺酰基的實(shí)例包括#-酰基氨磺酰基和1磺酰基氨磺酰基)，膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基和甲硅垸基，并且優(yōu)選垸基或磺基。當(dāng)可以將氫離子、堿金屬離子或銨離子選擇為通式(2)中的M+時(shí)，優(yōu)選氫離子或銨離子，并且更優(yōu)選氫離子。在堿金屬離子之中，優(yōu)選鈉離子或鉀離子，并且更優(yōu)選鈉離子。銨離子包括其氫原子被垸基取代的銨離子。由上式(2)表示的表面活性劑的優(yōu)選實(shí)例包括烷基二苯醚一磺酸或其鹽，或烷基二苯醚二磺酸或其鹽。更優(yōu)選的實(shí)例包括垸基二苯醚一磺酸或其鹽和垸基二苯醚二磺酸或其鹽的混合物。在該混合物中，優(yōu)選包含10摩爾以上、更優(yōu)選30摩爾以上并且還更優(yōu)選50摩爾以上的垸基二苯醚一磺酸或其鹽。可以通過(guò)不受具體限制的方法制備由上述式(2)表示的表面活性劑，并且優(yōu)選使用可商購(gòu)的產(chǎn)品。陽(yáng)離子表面活性劑包括脂族胺鹽、脂族季銨鹽、苯甲烴銨氯化物鹽、芐索氯銨、吡啶鑰鹽和咪唑啉鐺鹽；并且兩性表面活性劑包括羧基甜菜堿類(lèi)、磺基甜菜堿類(lèi)、氨基羧酸鹽、咪唑啉鑰甜菜堿、卵磷脂和烷基胺氧化物。非離子表面活性劑包括醚類(lèi)、醚酯類(lèi)、酯類(lèi)、含氮類(lèi)；醚類(lèi)表面活性劑包括聚氧乙烯垸基和垸基苯基醚、烷基烯丙基甲醛縮合的聚氧乙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚合物和聚氧乙烯聚氧丙烯垸基醚；醚酯類(lèi)表面活性劑包括甘油酯聚氧乙烯醚、失水山梨糖醇酯聚氧乙烯醚和山梨糖醇酯聚氧乙烯醚；酯類(lèi)表面活性劑包括聚乙二醇脂肪酸酯、甘油酯、聚甘油酯、失水山梨糖醇酯、丙二醇酯和蔗糖酯；含氮表面活性劑包括脂肪酸垸醇酰胺、聚氧乙烯脂肪酸酰胺和聚氧乙烯烷基酰胺；等。作為非離子表面活性劑，有機(jī)硅表面活性劑是優(yōu)選的，并且可以是具有作為其骨架的硅氧垸直鏈并且含有加入到上面的聚氧化烯基，如聚氧乙烯或聚氧丙烯的任何化合物。優(yōu)選聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑，并且更優(yōu)選在側(cè)鏈或末端具有醚鍵的聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑。更具體而言，優(yōu)選實(shí)例包括聚氧乙烯-甲基聚硅氧烷共聚物、聚(氧乙烯-氧丙烯)-甲基聚硅氧垸共聚物、聚氧乙烯垸基聚硅氧烷-聚氧丙烯烷基聚硅氧烷-二甲基聚硅氧烷共聚物和甲基聚硅氧烷-烷基甲基聚硅氧烷-聚(氧乙烯-氧丙烯)甲基聚硅氧烷共聚物。特別優(yōu)選聚氧乙烯-甲基聚硅氧垸共聚物。在金屬拋光液中的有機(jī)硅表面活性劑優(yōu)選具有8以上的HLB值。如果其HLB值小于8，則可能的是源自有機(jī)硅的有機(jī)殘留物可能以雜質(zhì)的形式殘留。其HLB值更優(yōu)選為8以上且小于20，還更優(yōu)選為9以上且小于20,并且更優(yōu)選為10以上且小于16。在根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液中使用的表面活性劑優(yōu)選為HLB值為8以上且小于20的聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑。氟表面活性劑也優(yōu)選用于根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液中。氟表面活性劑是具有取代普通的陰離子、非離子、陽(yáng)離子或兩性表面活性劑中的一部分或所有氫離子的氟原子的表面活性劑，并且其降低表面張力的優(yōu)異能力是已知的。具體實(shí)例是Unidyne系列(商品名，由DaikinIndustries,Ltd.生產(chǎn))，Megaface系歹U(商品名，由DainipponInk&Chemicals,Inc,生產(chǎn))、Ftergent系列(商品名，由NEOSCo.，Ltd.生產(chǎn))、Surflon系歹iJ(商品名，由AsahiGlassCo.，Ltd.生產(chǎn))和F-TOP(商品名，由TohkemProductsCo.生產(chǎn))。所述表面活性劑可以單獨(dú)或以其至少兩種的組合的形式使用。在實(shí)際拋光時(shí)的液體中，根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液可以含有的表面活性劑的總添加量?jī)?yōu)選為1x10—6至5質(zhì)量％，更優(yōu)選為1x10—6至3質(zhì)量％，并且還更優(yōu)選為1x10—6至2.5質(zhì)量％。使用適當(dāng)?shù)腍PLC柱子，通過(guò)HPLC測(cè)量根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液含有的表面活性劑的量。根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選具有小于55mN/m，更優(yōu)選小于50mN/m并且還更優(yōu)選小于45mN/m的表面張力。在本發(fā)明中，被調(diào)節(jié)以包含3x10—3質(zhì)量％的表面活性劑的金屬拋光液優(yōu)選具有小于55mN/m，更優(yōu)選小于50mN/m并且特別更優(yōu)選小于45mN/m的表面張力。特別優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液含有有機(jī)硅表面活性劑的量被調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％的有機(jī)硅表面活性劑，并且具有小于55mN/m、更優(yōu)選小于50mN/m并且還更優(yōu)選小于45mN/m的表面張力。其中(有機(jī)硅)表面活性劑的量被調(diào)節(jié)至3xl0-s質(zhì)量y。的金屬拋光液的表面張力指這樣的液體的表面張力，在所述液體中，通過(guò)(l)在表面活性劑的量小于3x10—3質(zhì)量％時(shí)加入表面活性劑，或者(2)當(dāng)表面活性劑的量超過(guò)3x10—3質(zhì)量％時(shí)使用水稀釋該液體，將表面活性劑的量調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％。表面張力是通過(guò)Wilhdmy(板)方法(使用例如CBVP-Z，商品名，由KyowaInterfaceScienceCo.,Ltd.生產(chǎn))在25°C測(cè)量的值。<其它組分>現(xiàn)在將進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液可以含有的其它物質(zhì)的描述。<磨料粒〉盡管可以使用各種磨料粒，只要它們可以將銅或銅合金拋光，還抑制劃痕或其它損害的產(chǎn)生即可，但是優(yōu)選的實(shí)例包括熱解法二氧化硅、膠體二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、有機(jī)和有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合顆粒，但是這些不是唯一可能的，并且還可以根據(jù)使用它們的目的或用途使用任何其它種類(lèi)的磨料粒。根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選含有選自二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁和有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合顆粒的至少一種磨料粒，并且更優(yōu)選含有如稍后描述的膠體二氧化硅顆粒。磨料粒通常為金屬氧化物的磨料粒，并且二氧化鈰和二氧化硅粒子是特別熟知的，并且在這些之中，特別優(yōu)選使用含有二氧化硅的磨料粒。盡管球形顆粒或締合為膠體二氧化硅或熱解法二氧化硅的球形顆粒作為含有二氧化硅的磨料粒是已知的，但是通常優(yōu)選膠體二氧化硅。可以使用不同種類(lèi)的磨料粒的混合物，并且可以使用一種磨料粒或不同種類(lèi)的磨料粒的組合，并且所述粒子可以是無(wú)機(jī)或有機(jī)的，只要它們可以將金屬拋光即可。在膠體二氧化硅的種類(lèi)之中，將詳細(xì)進(jìn)行優(yōu)選作為磨料粒的膠體二氧化硅的描述，但是本發(fā)明不限于這種磨料粒。與其它類(lèi)型的膠體二氧化硅相比，其中其表面上的至少一部分硅原子被鋁原子改性的膠體二氧化硅顆粒(以下，有時(shí)稱(chēng)作"特定膠體二氧化硅")優(yōu)選用作在根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液中的磨料粒。在本發(fā)明中，"其表面上的至少一部分硅原子被鋁原子改性的膠體二氧化硅"指其中在具有包含配位數(shù)為4的硅原子的位置的膠體二氧化硅的表面上存在鋁原子的狀態(tài)。這可以是其中在膠體二氧化硅的表面上，結(jié)合與4個(gè)氧原子配位的鋁原子，并且鋁原子以四配位狀態(tài)固定而形成新的表面的狀態(tài)；或者可以是其中存在于表面上的硅原子首先從表面上被除去，然后被鋁原子取代而形成新的表面的狀態(tài)。在制備特定膠體二氧化硅中使用的膠體二氧化硅更優(yōu)選為在粒子內(nèi)部沒(méi)有雜質(zhì)比如堿金屬，并且通過(guò)烷氧基硅垸的水解獲得的膠體二氧化硅。另一方面，盡管也可以使用根據(jù)從堿金屬硅酸鹽的水溶液中除去堿金屬(alkali)的方法而制備的膠體二氧化硅，但在此情況下，存在的擔(dān)心是，殘留在粒子內(nèi)部的堿金屬逐漸被洗脫以致負(fù)面影響拋光性能；因此，出于這種觀點(diǎn)，更優(yōu)選通過(guò)垸氧基硅烷的水解得到的膠體二氧化硅作為原料。盡管根據(jù)磨料粒的使用而適宜地選擇，但是作為原料的膠體二氧化硅的粒徑通常在約5至200nm的范圍內(nèi)。作為使用鋁原子將在這種膠體二氧化硅粒子的表面上的硅原子改性以獲得特定膠體二氧化硅的方法，例如，可以?xún)?yōu)選使用其中將鋁酸鹽化合物如鋁酸銨加入膠體二氧化硅的分散溶液中的方法。更具體地，可以使用將通過(guò)將堿金屬鋁酸鹽的水溶液加入得到的二氧化硅溶膠的方法制備的含鋁化合物的堿性二氧化硅溶膠在80至250°C的溫度加熱0.5至20小時(shí)，之后使其與陽(yáng)離子交換樹(shù)脂或陽(yáng)離子交換樹(shù)脂和陰離子交換樹(shù)脂接觸的方法；將酸性硅酸鹽溶液和鋁化合物的水溶液加入到含Si02的堿性水溶液或堿金屬氫氧化物的水溶液中的方法；或者將其中混合鋁化合物的酸性硅酸鹽溶液加入到含Si02的堿性水溶液或堿金屬氫氧化物的水溶液中，用陽(yáng)離子交換樹(shù)脂處理以進(jìn)行脫堿的方法。這些方法在日本專(zhuān)利No.3463328和JP-ANo.63-123807中有詳述，并且可以將它們的說(shuō)明書(shū)應(yīng)用于本發(fā)明中。而且，作為其它方法，可以列舉其中將鋁醇鹽加入到膠體二氧化硅的分散溶液中的方法。盡管在此可以使用任何種類(lèi)的鋁醇鹽，但是優(yōu)選異丙醇鋁、丁醇鋁、甲醇鋁和乙醇鋁，并且更優(yōu)選異丙醇鋁和丁醇鋁。特定膠體二氧化硅即使在酸性狀態(tài)也具有優(yōu)異的分散性，因?yàn)橥ㄟ^(guò)4-配位的鋁酸根離子和在膠體二氧化硅表面上的硅醇基團(tuán)之間的反應(yīng)產(chǎn)生的鋁硅酸鹽位置固定負(fù)電荷以致賦予粒子以大的負(fù)；電勢(shì)。因此，重要的是，根據(jù)上述方法制備的特定膠體二氧化硅處于鋁原子與四個(gè)氧原子配位的狀態(tài)。通過(guò)例如測(cè)量磨料粒的；電勢(shì)，可以容易地確定在膠體二氧化硅的表面上產(chǎn)生的硅原子和鋁原子的改性的結(jié)構(gòu)。通過(guò)控制加入到膠體二氧化硅的分散溶液中的鋁酸鹽化合物或鋁醇鹽的添加量(濃度)，可以合適地控制在膠體二氧化硅的表面上的硅原子被改性為鋁原子時(shí)改性為鋁原子的改性量。基于由膠體二氧化硅的直徑計(jì)算的表面積、2.2的膠體二氧化硅的比重以及每單位表面積的硅醇基團(tuán)的數(shù)量(5至8個(gè)基團(tuán)/nm2)，通過(guò)從加入到分散溶液中的鋁化合物減去反應(yīng)之后殘留的未反應(yīng)鋁化合物的量計(jì)算消耗的鋁化合物的量，并且假定所消耗的鋁反應(yīng)物以100%的比率反應(yīng)，可以估算鋁原子到膠體二氧化硅表面上的引入量(引入的鋁原子的數(shù)量/表面硅原子的位置數(shù)量)。在實(shí)際的測(cè)量中，將得到的特定膠體二氧化硅本身進(jìn)行元素分析，并且在不存在于粒子內(nèi)部的鋁薄且均勻地鋪展在表面上的假定下，采用膠體二氧化硅的表面積/比重以及每單位面積上的硅垸醇基團(tuán)的數(shù)量以獲得引入量。將列舉特定膠體二氧化硅的制備方法的具體實(shí)例。首先，制備膠體二氧化硅以5至25質(zhì)量％的范圍分散在水中的分散溶液。向該分散溶液中加入pH調(diào)節(jié)劑，以將pH調(diào)節(jié)在5至11的范圍內(nèi)，隨后在攪拌下，在幾分鐘內(nèi)緩慢加入15.9g鋁酸鈉水溶液，該鋁酸鈉水溶液具有3.6質(zhì)量％的八1203濃度和1.50的Na20/Al203摩爾比，再之后進(jìn)一步攪拌0.5小時(shí)。之后，將溶劑除去以獲得特定膠體二氧化硅。特定膠體二氧化硅優(yōu)選具有5至100nm，并且更優(yōu)選5至60nm的初級(jí)粒徑。特定膠體二氧化硅優(yōu)選具有不小于5nm的初級(jí)粒徑以防止墊的孔的堵塞且獲得令人滿意的高拋光速度，并且具有不大于100nm的初級(jí)粒徑以減少任何磨損或缺陷比如劃痕。此處，在本發(fā)明中的特定膠體二氧化硅粒子的初級(jí)粒徑指當(dāng)獲得表示膠體二氧化硅的粒徑和通過(guò)將具有該粒徑的粒子數(shù)量積分而獲得的累積頻率之間的關(guān)系的粒度累積曲線時(shí)，在該粒徑累積曲線中累積頻率為50%的點(diǎn)的粒徑。膠體二氧化硅粒子的粒徑表示從粒度分布曲線獲得的平均粒徑，所述粒度分布曲線是通過(guò)使用動(dòng)態(tài)光散射法獲得的。例如，作為用于獲得粒度分布曲線的測(cè)量裝置，可以使用LB-500(商品名，由霍瑞巴有限公司(HoribaLimited)制造)。在特定膠體二氧化硅中，出于抑制拋光故障和缺陷如劃痕產(chǎn)生的觀點(diǎn)，特定膠體二氧化硅的締合度優(yōu)選為5以下，并且更優(yōu)選為3以下。在此，締合度指通過(guò)將通過(guò)初級(jí)粒子的聚集形成的次級(jí)粒子的直徑除以初級(jí)粒子的直徑(次級(jí)粒子的直徑/初級(jí)粒子的直徑)而獲得的值。這種"聚集"包括其中球形膠體二氧化硅在拋光液體中聚集的情況以及其中膠體二氧化硅最初締合在一起的情況。締合度為1表示其中球形膠體二氧化硅不聚集的膠體二氧化硅。如上所述，特定膠體二氧化硅粒子可以是部分締合的。在特定膠體二氧化硅粒子中，出于抑制侵蝕和劃痕產(chǎn)生的觀點(diǎn)，締合的次級(jí)粒子的粒徑優(yōu)選為300nm以下。另一方面，出于獲得足夠的拋光速度的觀點(diǎn)，其下限值優(yōu)選為10nm以上。而且，特定膠體二氧化硅粒子的次級(jí)直徑更優(yōu)選在10至200nm的范圍內(nèi)。次級(jí)粒徑可以通過(guò)使用電子顯微鏡測(cè)量。在包含于本發(fā)明的金屬拋光液的磨料粒中，特定膠體二氧化硅的質(zhì)量比優(yōu)選為10%以上，并且特別優(yōu)選為20%以上。全部含有的磨料粒都可以為特定膠體二氧化硅。出于消除拋光故障和缺陷比如劃痕的觀點(diǎn)，相對(duì)于在拋光中使用時(shí)的金屬拋光液的總質(zhì)量，在本發(fā)明的金屬拋光液中的磨料粒的含量?jī)?yōu)選為1質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％至0.9質(zhì)量％，并且還更優(yōu)選為0.001質(zhì)量％至0.7質(zhì)量％。除特定膠體二氧化硅外的磨料粒的尺寸優(yōu)選等于或大于特定膠體二氧化硅的尺寸，但不大于特定膠體二氧化硅的尺寸的兩倍。<氧化劑>根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選含有氧化劑(將被拋光的金屬氧化的化合物)。氧化劑的實(shí)例包括過(guò)氧化氫、過(guò)氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、高碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、高氯酸鹽、過(guò)硫酸鹽、重鉻酸鹽、高錳酸鹽、臭氧水、銀(n)鹽和鐵(ni)鹽。鐵(ni)鹽的有利實(shí)例包括無(wú)機(jī)鐵(iii)鹽如硝酸鐵(m)、氯化鐵(in)、硫酸鐵(in)和溴化鐵(in)，以及有機(jī)鐵(ni)配鹽。當(dāng)使用有機(jī)鐵(ni)配鹽時(shí)，用于鐵(in)配鹽的配合物形成化合物的實(shí)例包括乙酸、檸檬酸、草酸、水楊酸、二乙基二硫代氨基甲酸(diethyldithiocarbamincacid)、琥珀酸、酒石酸、乙醇酸、甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、巰基乙酸、乙二胺、三亞甲基二胺、二甘醇、三甘醇、1,2-乙二硫醇、丙二酸、戊二酸、3-羥基丁酸、丙酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、3-羥基水楊酸、3,5-二羥基水楊酸、五倍子酸、苯甲酸、馬來(lái)酸、它們的鹽，以及氨基多羧酸及其鹽。氨基多羧酸及其鹽的實(shí)例包括乙二胺-N,N,N，,N，-四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、1,3-二氨基丙垸-N,N,N，,N，-四乙酸、1,2-二氨基丙垸-N,N，N，，N，-四乙酸、乙二胺-N,N，-二琥珀酸(夕卜消旋體)、乙二胺二琥珀酸(SS異構(gòu)體)、N-(2-羧酸酯基乙基(carboxylatoethyl))-L-天冬氨酸、N-(羧甲基)-L-天冬氨酸、P-丙氨酸二乙酸、甲基亞氨二乙酸、氨三乙酸、環(huán)己烷二胺四乙酸、亞氨二乙酸、乙二醇醚二胺-四乙酸、乙二胺-l-N,N，-二乙酸、乙二胺-鄰-羥基苯基乙酸、N,N-二(2-羥基芐基)乙二胺-N,N-二乙酸等，以及它們的鹽。抗衡的鹽優(yōu)選為堿金屬鹽或銨鹽，特別優(yōu)選為銨鹽。特別是，優(yōu)選為過(guò)氧化氫、碘酸鹽、次氯酸鹽、氯酸鹽、過(guò)硫酸鹽和有機(jī)鐵(m)配鹽；當(dāng)使用有機(jī)鐵(ni)有機(jī)配鹽時(shí)，有利的配合物形成化合物包括檸檬酸、酒石酸、氨基多羧酸(具體地，乙二胺-N,N,N，,N，-四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、1,3-二氨基丙烷-N,N,N，,N，-四乙酸、乙二胺-N,N，-二琥珀酸(外消旋體)、乙二胺二琥珀酸(SS異構(gòu)體)、N-(2-羧酸酯基乙基)-L-天冬氨酸、N-(羧甲基)-L-天冬氨酸、P-丙氨酸二乙酸、甲基亞氨二乙酸、氨三乙酸和亞氨二乙酸)。在上述氧化劑中，最有利的是過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸鹽和乙二胺-N，N,N，,N，-四乙酸鐵(III)，以及1,3-二氨基丙烷-N,N,N，,N，-四乙酸和乙二胺二琥珀酸(SS異構(gòu)體)的配合物。在拋光時(shí)的每升金屬拋光液的氧化劑的添加量?jī)?yōu)選為0.003摩爾至8摩爾，更優(yōu)選為0.03摩爾至6摩爾，并且特別更優(yōu)選為0.1摩爾至4摩爾。氧化劑的添加量?jī)?yōu)選為0.003摩爾以上以確保充分氧化金屬的CMP速率，并且優(yōu)選為8摩爾以下以防止拋光面的粗糙化。當(dāng)將拋光液用于拋光時(shí)，氧化劑優(yōu)選是通過(guò)混合到含有不同于氧化劑的組分的組合物中使用的。〈金屬拋光液的pH值〉本發(fā)明金屬拋光液的pH值優(yōu)選在4至11的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5至8的范圍內(nèi)，并且還更優(yōu)選在6至8的范圍。在4至11的范圍內(nèi)，本發(fā)明的金屬拋光液發(fā)揮出特別優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。在拋光時(shí)，本發(fā)明的拋光液可以不包含水，或可以用水或水溶液稀釋。當(dāng)用水或水溶液將拋光液稀釋時(shí)，在本發(fā)明中的pH值指在用水或水溶液稀釋之后的值。考慮氨基酸衍生物與被拋光表面的吸附性和反應(yīng)性、被拋光金屬的溶解度、被拋光表面的電化學(xué)性質(zhì)、化合物官能團(tuán)的離解狀態(tài)以及作為液體的穩(wěn)定性，可以設(shè)定本發(fā)明金屬拋光液的pH值。通過(guò)加入例如下面描述的堿性試劑或其它有機(jī)酸，可以調(diào)節(jié)金屬拋光液的pH值。下面，將描述堿性試劑或其它有機(jī)酸。-芳族雜環(huán)化合物-本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選包含至少一種芳族雜環(huán)化合物作為在被拋光金屬的表面上形成鈍化膜的化合物。在此，"芳族雜環(huán)化合物"是具有含至少一個(gè)雜原子的雜環(huán)的化合物。"雜原子"是指除碳原子和氫原子以外的原子。雜環(huán)是指具有至少一個(gè)雜原子的環(huán)化合物。雜原子只是指構(gòu)成雜環(huán)的環(huán)系統(tǒng)組分部分的原子，但不是位于環(huán)系統(tǒng)之外的原子，也不是通過(guò)至少一個(gè)非共軛單鍵與環(huán)系統(tǒng)分隔的原子，也不是為環(huán)系統(tǒng)的另外取代基的一部分的原子。雜原子的優(yōu)選實(shí)例包括氮原子、硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、磷原子、硅原子和硼原子。其更優(yōu)選的實(shí)例包括氮原子、硫原子、氧原子和硒原子。其特別優(yōu)選的實(shí)例包括氮原子、硫原子和氧原子。其最優(yōu)選的實(shí)例包括氮原子和硫原子。首先，將描述作為母核的芳族雜環(huán)。在不具體限制雜環(huán)的環(huán)數(shù)量的情況下，在本發(fā)明中使用的芳族雜環(huán)化合物可以是單環(huán)化合物和具有稠環(huán)的多環(huán)化合物。在單環(huán)的情況下，元的數(shù)量?jī)?yōu)選為3至8，更優(yōu)選為5至7，并且特別優(yōu)選為5和6。此外，在具有稠環(huán)的情況下，環(huán)的數(shù)量?jī)?yōu)選在2至4的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為2或3。芳族雜環(huán)的具體實(shí)例不具體限于但是包括吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡喃環(huán)、噻喃環(huán)、咪唑環(huán)、吡唑環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、噁唑環(huán)、異噁唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)(pyradinering)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、吡咯烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、咪唑烷環(huán)、異噁唑垸環(huán)、異噻唑烷環(huán)、哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)(piperadinering)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、苯并二氫吡喃環(huán)、二氫苯并噻喃環(huán)、苯并二氫異吡喃環(huán)、二氫苯并異噻喃環(huán)、二氫吲哚環(huán)、二氫異吲哚環(huán)、4-氮茚環(huán)(pilindinering)、中氮茚環(huán)、噴哚環(huán)、B引唑環(huán)、嘌呤環(huán)、喹嗪環(huán)、異喹啉環(huán)、喹啉環(huán)、1,5-二氮雜萘環(huán)(naphthylidinering)、2,3-二氮雜萘環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹唑啉環(huán)、1，2-二氮雜萘環(huán)、喋啶環(huán)、吖錠環(huán)、哌啶環(huán)(pipemidinering)、菲咯啉環(huán)、咔唑環(huán)、咔啉環(huán)、吩嗪環(huán)、抗溶素環(huán)、噻二唑環(huán)、噁二唑環(huán)、三嗪環(huán)、三唑環(huán)、四唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、苯并噻二唑環(huán)、苯并呋喃環(huán)(benzoforoxanring)、萘并咪唑環(huán)、苯并三唑環(huán)和四氮雜茚環(huán)，并且更優(yōu)選包括三唑環(huán)和四唑環(huán)。接著，將描述芳族雜環(huán)可以具有的取代基。在本發(fā)明中，當(dāng)將特定部分稱(chēng)作"基團(tuán)"時(shí)，該部分本身可以不被取代，但可以被至少一種(至多允許的最大數(shù)量)的取代基取代。例如，"烷基"指取代或未取代的烷基。芳族雜環(huán)化合物可以具有的取代基包括例如下列基團(tuán)，但不限于此。其實(shí)例包括鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)、烷基(直鏈、支鏈或環(huán)烷基，其可以為多環(huán)垸基如二環(huán)烷基，或可以包含活性次甲基)、鏈烯基、塊基、芳基、雜環(huán)基(取代位置沒(méi)有限制)、酰基、烷氧羰基、芳氧羰基、雜環(huán)氧羰基、氨基甲酰基(具有取代基的氨基甲酰基包括例如I羥基氨基甲酰基、W-酰基氨基甲酰基、7V-磺酰基氨基甲酰基、W-氨基甲酰基氨基甲酰基、硫代氨甲酰基和W-氨磺酰基氨基甲酰基)、咔唑基、羧基或其鹽、草酰基、草氨酰基、氰基、碳酰亞氨基(carboneimidoylgroup)、甲酰基、羥基、烷氧基(包括重復(fù)含有乙烯氧基或丙烯氧基單元的基團(tuán))、芳氧基、雜環(huán)氧基、酰氧基、(垸氧基或芳氧基)羰基氧基、氨基甲酰氧基、磺酰氧基、氨基、(垸基、芳基、或雜環(huán)基)氨基、酰氨基、磺酰胺基、脲基、硫脲基、l羥基脲基、酰亞氨基、(烷氧基或芳氧基)羰基氨基、氨磺酰氨基、氨基脲基、氨基硫脲基、肼基、銨基、草氨酰氨基、W-(垸基或芳基)磺酰脲基、W-酰基脲基、iV-酰基氨磺酰氨基、羥基氨基、硝基、含季氮原子的雜環(huán)基(例如吡啶子基、咪唑子基、喹啉子基、異喹啉子基)、異氰基、亞氨基、巰基、(烷基、芳基、或雜環(huán)基)硫基、(烷基、芳基、或雜環(huán)基)二硫基、(烷基或芳基)磺酰基、(烷基或芳基)亞磺酰基、磺基或其鹽、氨磺酰基(具有取代基的氨磺酰基包括例如W-酰基氨磺酰基和7V-磺酰基氨磺酰基)或其鹽、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基和甲硅垸基。此時(shí)，"活性次甲基"指被兩個(gè)吸電子基團(tuán)取代的次甲基。"吸電子基團(tuán)"指例如酰基，烷氧羰基，芳氧羰基，氨基甲酰基，烷基磺酰基，芳基磺酰基，氨磺酰基，三氟甲基，氰基，硝基和碳酰亞氨基。而且，兩個(gè)吸電子基團(tuán)可以相互結(jié)合以形成環(huán)結(jié)構(gòu)。另外，"鹽"指堿金屬、堿土金屬或重金屬的正離子，或者有機(jī)正離子如銨離子或鱗離子。在它們當(dāng)中，在芳族雜環(huán)化合物中的優(yōu)選取代基的實(shí)例包括鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)、烷基(直鏈、支鏈或環(huán)烷基，其可以為多環(huán)垸基如二環(huán)烷基，或可以包含活性次甲基)、鏈烯基、炔基、芳基、雜環(huán)基(取代位置沒(méi)有限制)、酰基、烷氧羰基、芳氧羰基、雜環(huán)氧羰基、氨基甲酰基、l羥基氨基甲酰基、琴酰基氨基甲酰基、l磺酰基氨基甲酰基、,氨基甲酰基氨基甲酰基、硫代氨甲酰基、W-氨磺酰基氨基甲酰基、咔唑基、草酰基、草氨酰基、氰基、碳酰亞氨基、甲酰基、羥基、烷氧基(包括重復(fù)含有乙烯氧基或丙烯氧基單元的基團(tuán))、芳氧基、雜環(huán)氧基、酰氧基、(烷氧基或芳氧基)羰基氧基、氨基甲酰氧基、磺酰氧基、(垸基、芳基、或雜環(huán)基)氨基、酰氨基、磺酰胺基、脲基、硫脲基、AA-羥基脲基、酰亞氨基、(垸氧基或芳氧基)羰基氨基、氨磺酰氨基、氨基脲基、氨基硫脲基、肼基、銨基、草氨酰氨基、AH垸基或芳基)磺酰脲基、iV-酰基脲基、w-酰基氨磺酰氨基、羥基氨基、硝基、含季氮原子的雜環(huán)基(例如吡啶子基、咪唑子基、喹啉子基、異喹啉子基)、異氰基、亞氨基、巰基、(垸基、芳基、或雜環(huán)基)硫基、(烷基、芳基、或雜環(huán)基)二硫基、(烷基或芳基)磺酰基、(烷基或芳基)亞磺酰基、磺基或其鹽、氨磺酰基、7V-酰基氨磺酰基、AMi黃酰基氨磺酰基或其鹽、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基或甲硅烷基。此時(shí)，活性次甲基指被兩個(gè)吸電子基團(tuán)取代的次甲基，并且所述吸電子基團(tuán)指例如酰基、垸氧羰基、芳氧羰基、氨基甲酰基、垸基磺酰基、芳基磺酰基、氨磺酰基、三氟甲基、氰基、硝基和碳酰亞氨基。此外，其優(yōu)選的實(shí)例包括鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)，烷基(直鏈、支鏈或環(huán)烷基，其可以為多環(huán)烷基如二環(huán)烷基，或可以包含活性次甲基)、鏈烯基、炔基、芳基和雜環(huán)基(取代位置沒(méi)有限制)。上述取代基中的兩個(gè)可以彼此結(jié)合以形成環(huán)(芳族或非芳族烴環(huán)或芳族雜環(huán))，還可以進(jìn)一步結(jié)合以形成多環(huán)稠環(huán)。其實(shí)例包括苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、芴環(huán)、苯并[9，10]菲環(huán)、并四苯環(huán)、聯(lián)苯環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、咪唑環(huán)、噁唑環(huán)、噻唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、中氮茚環(huán)、吲哚環(huán)、苯并呋喃環(huán)、苯并噻吩環(huán)、異苯并呋喃環(huán)、喹嗪環(huán)、喹啉環(huán)、2,3-二氮雜萘環(huán)、1，5-二氮雜萘環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹噁唑啉環(huán)、異喹啉環(huán)、昨唑環(huán)、菲啶環(huán)、吖啶環(huán)、菲咯啉環(huán)、噻蒽環(huán)、苯并吡喃環(huán)、口占噸環(huán)、吩噁嗪環(huán)(phenoxathiinring)、吩噻嗪環(huán)和吩嗪環(huán)。芳族雜環(huán)化合物優(yōu)選含有三個(gè)或更多個(gè)氮原子，并且優(yōu)選為選自三唑及其衍生物、四唑及其衍生物和苯并三唑及其衍生物中的至少一種化合物。芳族雜環(huán)化合物的具體實(shí)例包括1,2,3,4-四唑、5-氨基-l,2,3,4-四唑、5-甲基-l，2，3，4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、lH-四唑-5-琥珀酸、1，2,3-三唑、4-氨基-l，2，3-三唑、4,5-二氨基-1,2,3-三唑、4-羧基-lH-l,2,3-三唑、4,5-二羧基-lH-l，2,3-三唑、lH-l,2,3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧基甲基-lH-l,2，3-三唑、1，2,4-三唑、3-氨基-l,2，4-三唑、3,5-二氨基-1,2-4-三唑、3-羧基-1,2-4-三唑、3,5-二羧基-1,2,4-三唑、1，2,4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑和1H-苯并三唑-5-羧酸，但是它不限于這些。下面說(shuō)明作為優(yōu)選用于本發(fā)明的芳族雜環(huán)化合物列舉的優(yōu)選實(shí)例(a)1,2，3，4-四唑、(b)1,2,3-三唑和(c)1，2,4-三唑的典型實(shí)例。(a)作為優(yōu)選的1,2，3,4-四唑衍生物，可以列舉在形成環(huán)的氮原子上沒(méi)有取代基并且在5位上具有特定取代基的1,2,3,4-四唑衍生物。(b)作為優(yōu)選的1，2，3-三唑衍生物，可以列舉在形成環(huán)的氮原子上沒(méi)有取代基并且在4和/或5位上都具有特定取代基的1,2,3-三唑衍生物。(c)作為優(yōu)選的1,2,4-三唑衍生物，可以列舉在形成環(huán)的氮原子上沒(méi)有取代基并且在2和/或5位上具有特定取代基的1,2,4-三唑衍生物。(a)l，2,3,4-四唑在5位上具有的取代基的實(shí)例包括選自磺基、氨基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的取代基，以及被選自羥基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基。更優(yōu)選的是被選自羥基、羧基、磺基、氨基和氨基甲酰基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基。烷基可以具有其它取代基，只要它具有至少一個(gè)上述列舉的取代基即可。在5位上具有取代基的(a)1,2,3，4-四唑衍生物的更優(yōu)選實(shí)例包括含有作為取代基的垸基的四唑衍生物，該烷基被羥基或羧基中的至少一個(gè)取代。還更優(yōu)選的實(shí)例包括含有作為取代基的被至少一個(gè)羧基取代的烷基的四唑衍生物。這樣的1，2,3,4-四唑衍生物的實(shí)例包括1H-四唑-5-乙酸和1H-四唑-5-琥珀酸。1,2,3-三唑可以在4和/或5位上具有的取代基的實(shí)例包括選自羥基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的取代基，或者被選自羥基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基或芳基。更優(yōu)選的是選自羥基、羧基、磺基和氨基中的取代基，或者被選自羥基、羧基、磺基和氨基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基。烷基和芳基可以具有其它取代基，只要它們具有至少一個(gè)上述例舉的取代基即可。此外，優(yōu)選通過(guò)取代1,2,3-三唑的4和5位中的任一個(gè)而獲得的那種。在4禾口/或5位上具有取代基的(b)l,2,3-三唑衍生物的優(yōu)選實(shí)例包括含有選自羥基和羧基中的取代基以及被羥基或羧基中的至少一個(gè)取代的烷基的1,2,3-三唑衍生物。還更優(yōu)選的實(shí)例包括含有羧基或被至少一個(gè)羧基取代的垸基作為取代基的1,2,3-三唑衍生物。這種1,2,3-三唑衍生物的實(shí)例包括4-羧基-lH-l,2,3-三唑、4,5-二羧基-lH-l,2,3-三唑、1H-l,2,3-三唑-4-乙酸和4-羧基-5-羧甲基-lH-l,2,3-三唑。(c)1，2,4-三唑可以在3和/或5位上具有的取代基的實(shí)例包括選自磺基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的取代基，以及被選自羥基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、碳酰胺基、氨磺酰基和砜酰胺基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基或芳基。更優(yōu)選的是被選自羥基、羧基、磺基和氨基中的至少一個(gè)取代基取代的烷基。烷基和芳基可以具有其它取代基，只要它們具有至少一個(gè)上述列舉的取代基即可。而且，優(yōu)選(c)1,2,4-三唑的3和5位中的任一個(gè)被取代而獲得的那種。在3和/或5位上具有取代基的(c)1,2,4-三唑衍生物優(yōu)選實(shí)例包括含有作為取代基的垸基的1，2,4-三唑衍生物，所述烷基被羥基和羧基中的至少一個(gè)取代。更優(yōu)選實(shí)例包括含有作為取代基的至少一個(gè)烷基的1，2,4-三唑衍生物，所述烷基被至少一個(gè)羧基取代。這樣的1，2,4-三唑衍生物的實(shí)例包括3-羧基-l,2,4-三唑、3，5-二羧基-1，2，4-三唑和1,2，4-三唑-3-乙酸。下面顯示了作為(a)1,2，3,4-四唑衍生物的具體實(shí)例的示例性化合物(a-l)至(a-26)、作為(b)1,3,4-三唑衍生物的具體實(shí)例的示例性化合物(b-l)至(b-26)，并且在下面顯示了作為(c)l,2,4-三唑衍生物的具體實(shí)例的示例性化合物(c-l)至(c-19)，但是本發(fā)明不限于這些化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>芳族雜環(huán)化合物可以單獨(dú)或以其至少兩種的組合形式使用。此外，芳族雜環(huán)化合物可以根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)方法合成，并且可以使用可商購(gòu)產(chǎn)品。出于對(duì)金屬布線的化學(xué)溶解具有優(yōu)異的抑制性的觀點(diǎn)，在上述芳族雜環(huán)化合物中，本發(fā)明的金屬拋光液特別優(yōu)選包含四唑或其衍生物。在拋光時(shí)的1L金屬拋光液(當(dāng)它被水或水溶液稀釋時(shí)，即為稀釋的金屬拋光液)中，以總量計(jì)，在本發(fā)明的金屬拋光液中的芳族雜環(huán)化合物的含量?jī)?yōu)選在0.0001至1.0摩爾的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.0005至0.5摩爾的范圍內(nèi)，并且還更優(yōu)選在0.0005至0.05摩爾的范圍內(nèi)。-多價(jià)金屬離子-根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選具有小于1ppm并且更優(yōu)選小于0.3ppm的(總)多價(jià)金屬離子濃度。多價(jià)金屬的實(shí)例包括鐵、鈷、鎳、銅、錳、鉻、釩和鈦。其中，根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選具有小于lppm并且更優(yōu)選小于0.3ppm的鐵濃度。多價(jià)金屬(或鐵)離子濃度可以是通過(guò)例如ICP-MS測(cè)定的。-螯合劑-在本發(fā)明的金屬拋光液中，為了降低混合多價(jià)金屬離子的負(fù)面影響，在需要時(shí)，優(yōu)選包含螯合劑(即，水軟化劑)。這樣的螯合劑可以是用作鈣和鎂或它們的類(lèi)似化合物的沉淀抑制劑的通用水軟化劑，并且其具體實(shí)例包括氨三乙酸、二亞乙基-三胺-五乙酸、乙二胺-四乙酸、N,N,N-三亞甲基-膦酸、乙二胺-N,N，N，,N，-四亞甲基-磺酸、反式-環(huán)己垸-二胺-四乙酸、1，2-二氨基-丙烷-四乙酸、乙二醇醚二胺-四乙酸、乙二胺-鄰-羥基-苯乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS異構(gòu)體)、N-(2-羧酸酯乙基)-L-天冬氨酸、(3-丙氨酸二乙酸、2-膦酰基丁烷-l,2，4-三羧酸、l-羥基-亞乙基-l,l-二膦酸、N,N，-雙(2-羥基芐基)乙二胺-N,N，-二乙酸以及1,2-二羥基苯-4,6-二磺酸。螯合劑可以單獨(dú)或者在需要時(shí)以它們的至少兩種的組合形式使用。螯合劑的加入量可以是足以螯合金屬離子比如污染的多價(jià)金屬離子的量；因此，加入螯合劑，使其在拋光時(shí)的1L金屬拋光液中在0.003摩爾至0.07摩爾的范圍內(nèi)。-親水性聚合物，親水性化合物-根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選包含親水性聚合物或化合物。親水性聚合物具有降低與被拋光的表面的接觸角，從而促進(jìn)均勻的拋光的作用。親水性聚合物和化合物的實(shí)例包括酯，如甘油酯、失水山梨糖醇酯、甲氧基乙酸、乙氧基乙酸、3-乙氧基丙酸和丙氨酸乙酯；醚，如聚乙二醇、聚丙二醇、聚1,4-丁二醇、聚乙二醇烷基醚、聚乙二醇鏈烯基醚、烷基聚乙二醇、垸基聚乙二醇垸基醚、垸基聚乙二醇鏈烯基醚、鏈烯基聚乙二醇、鏈烯基聚乙二醇烷基醚、鏈烯基聚乙二醇鏈烯基醚、聚丙二醇烷基醚、聚丙二醇鏈烯基醚、烷基聚丙二醇、垸基聚丙二醇垸基醚、垸基聚丙二醇鏈烯基醚、鏈烯基聚丙二醇、鏈烯基聚丙二醇烷基醚和鏈烯基聚丙二醇鏈烯基醚；多糖，如藻酸、果膠酸、羧甲基纖維素、凝膠多糖和支鏈淀粉；氨基酸鹽，如甘氨酸的銨鹽或鈉鹽；聚羧酸及其鹽，如聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴(lài)氨酸(polylycine)、聚蘋(píng)果酸、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸銨鹽、聚甲基丙烯酸鈉鹽、聚酰胺酸、聚馬來(lái)酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚(對(duì)-苯乙烯羧酸)、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、氨基聚丙烯酰胺、聚丙烯酸銨、聚丙烯酸鈉、聚酰胺酸、聚酰胺酸銨鹽、聚酰胺酸鈉鹽和聚乙醛酸；乙烯基聚合物，如聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮和聚丙烯醛；磺酸及其鹽，如甲基牛磺酸銨、甲基牛磺酸鈉、甲基硫酸鈉、乙基硫酸銨、丁基硫酸銨、乙烯基磺酸鈉、1-烯丙基磺酸鈉、2-烯丙基磺酸鈉、甲氧基甲基磺酸鈉、乙氧基甲基磺酸銨、3-乙氧基丙基磺酸鈉和磺基琥珀酸鈉；以及酰胺，如丙酰胺、丙烯酰胺、甲脲、煙酰胺、琥珀酰胺和硫酰胺(sulfanylamide)。然而，當(dāng)被處理的基底物質(zhì)是例如用于半導(dǎo)體集成電路的硅襯底時(shí)，被堿金屬、堿土金屬或鹵化物污染是不適宜的，因此前述添加劑適宜為酸和其銨鹽。如果基底物質(zhì)是例如玻璃，則表面活性劑是任意的。在上述示例性化合物中，更優(yōu)選聚丙烯酸銨鹽、聚乙烯醇、琥珀酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物。對(duì)于在拋光時(shí)的每升液體，金屬拋光液可以包含的親水性聚合物或化合物的總量?jī)?yōu)選為1x10—6至10g，更優(yōu)選為1x10—6至5g，并且還更優(yōu)選為0.1至3g。親水性聚合物的量?jī)?yōu)選不小于1x10—6g以產(chǎn)生令人滿意的結(jié)果，并且優(yōu)選不大于10g以防止CMP速率的下降。親水性聚合物具有優(yōu)選500至100,000，并且更優(yōu)選2,000至50,000的重均分子量。親水性聚合物或化合物可以單獨(dú)或以其至少兩種的組合形式使用，或者可以將不同種類(lèi)的活化劑與親水性聚合物或化合物一起使用。-堿性試劑、緩沖劑和其它有機(jī)酸-根據(jù)目的，在不損害本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，本發(fā)明的金屬拋光液可以包含堿性試劑、緩沖劑和其它有機(jī)酸。以下，將描述可以在本發(fā)明中使用的堿性試劑、緩沖劑和其它有機(jī)酸。(堿性試劑、緩沖劑)此外，出于抑制pH波動(dòng)的觀點(diǎn)，本發(fā)明的金屬拋光液可以在需要時(shí)包含用于調(diào)節(jié)pH的堿性試劑以及緩沖劑。這樣的堿性試劑和緩沖劑的實(shí)例包括非金屬堿性試劑，如氫氧化有機(jī)銨比如氫氧化銨和氫氧化四甲銨，和烷醇胺如二乙醇胺、三乙醇胺和三異丙醇胺；堿金屬氫氧化物如氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋰；碳酸鹽，磷酸鹽，硼酸鹽，四硼酸鹽，羥基苯甲酸鹽，甘氨酸鹽，WW-二甲基甘氨酸鹽，亮氨酸鹽，正亮氨酸鹽，鳥(niǎo)嘌呤鹽，3,4-二羥基-苯基丙氨酸鹽，丙氨酸鹽，氨基丁酸鹽，2-氨基-2-甲基-l,3-丙二醇鹽，纈氨酸鹽，脯氨酸鹽，三(羥基)氨基甲院鹽和賴(lài)氨酸鹽。這樣的堿性試劑和緩沖劑的具體實(shí)例包括氫氧化鈉，氫氧化鉀，氫氧化鋰，碳酸鈉，碳酸鉀，碳酸氫鈉，碳酸氫鉀，磷酸三鈉，磷酸三鉀，磷酸氫二鈉，磷酸氫二鉀，硼酸鈉，硼酸鉀，四硼酸鈉(硼砂)，四硼酸鉀，鄰-羥基-苯甲酸鈉(水楊酸鈉)，鄰-羥基-苯甲酸鉀，5-磺基-2-羥基苯甲酸鈉(5-磺基水楊酸鈉)，5-磺基-2-羥基苯甲酸鉀(5-磺基水楊酸鉀)和氫氧化銨。堿性試劑的特別優(yōu)選的實(shí)例包括氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鋰和氫氧化四甲銨。堿性試劑和緩沖劑的添加量不受具體限制，只要可以將pH保持在優(yōu)選范圍內(nèi)即可，并且相對(duì)于在拋光時(shí)使用的1L拋光液，這種量?jī)?yōu)選在0.0001至l.O摩爾的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.003至0.5摩爾的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，出于液體的流動(dòng)性和拋光性能的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)，將金屬拋光液的比重優(yōu)選設(shè)定在0.8至1.5的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.95至1.35的范圍內(nèi)。(其它有機(jī)酸)此外，在需要時(shí)，本發(fā)明的金屬拋光液可以包含其它有機(jī)酸以調(diào)節(jié)pH。此處的"其它有機(jī)酸"是在結(jié)構(gòu)上不同于根據(jù)本發(fā)明的特定氨基酸衍生物和氧化劑的化合物并且不包含起氧化劑作用的酸。作為其它有機(jī)酸，優(yōu)選選自下組中的有機(jī)酸。艮P，其實(shí)例包括甲酸，乙酸，丙酸，丁酸，戊酸，2-甲基丁酸，正己酸，3,3-二甲基丁酸，2-乙基丁酸，4-甲基戊酸，正庚酸，2-甲基己酸，正辛酸，2-乙基己酸，苯甲酸，乙醇酸，水楊酸，甘油酸，草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來(lái)酸、鄰苯二甲酸、蘋(píng)果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸，這些酸的鹽比如銨鹽或堿金屬鹽、硫酸、硝酸、氨或銨鹽，或它們的混合物。在拋光時(shí)所使用的1L金屬拋光液中，可以將其它有機(jī)酸的添加量設(shè)定在0.00005至0.0005摩爾的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液優(yōu)選含有酸試劑以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)膒H值。可以使用無(wú)機(jī)酸如硫酸、硝酸、硼酸或磷酸作為酸試劑。其中優(yōu)選硫酸。所述液體可以包含的酸試劑的優(yōu)選量等于如上所述的堿或緩沖劑的優(yōu)選量。<拋光方法>在用于制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，根據(jù)本發(fā)明的拋光方法通過(guò)使用如已經(jīng)描述的本發(fā)明的金屬拋光液，將具有銅或銅合金的導(dǎo)體膜的襯底化學(xué)和機(jī)械拋光。優(yōu)選地，通過(guò)使拋光壓磨板旋轉(zhuǎn)或者另外使附著到拋光壓磨板上的拋光墊和要被拋光的表面相對(duì)移動(dòng)，同時(shí)將本發(fā)明的金屬拋光液供給到拋光墊上，將要被拋光的表面拋光。現(xiàn)在，將詳細(xì)描述如所提及的化學(xué)機(jī)械拋光方法。(拋光設(shè)備)首先將進(jìn)行可以用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的拋光方法的設(shè)備的描述。可用于本發(fā)明的拋光設(shè)備是普通的拋光設(shè)備，該拋光設(shè)備包含固定器，其用于固定要被拋光的材料，該材料具有要被拋光的表面(例如，半導(dǎo)體襯底)；和拋光壓磨板，其具有附著到其上的拋光墊(配備有具有可變轉(zhuǎn)速的電動(dòng)機(jī))。一個(gè)具體實(shí)例是FREX300(商品名，由EbaraSeisakusho生產(chǎn))。(拋光壓力)根據(jù)本發(fā)明的拋光方法優(yōu)選使用3,000至25,000Pa，并且更優(yōu)選6,500至14,000Pa的拋光壓力，所述拋光壓力是在要被拋光的表面和拋光墊之間的接觸壓力。(拋光壓磨板的旋轉(zhuǎn)頻率)根據(jù)本發(fā)明的拋光方法優(yōu)選使用拋光壓磨板的50至200rpm，并且更優(yōu)選60至150rpm的旋轉(zhuǎn)頻率。(供給拋光液的方法)根據(jù)本發(fā)明，在整個(gè)要被拋光的金屬的拋光中，通過(guò)泵等將金屬拋光液連續(xù)供給到拋光壓磨板上的拋光墊上。盡管被供給的液體的量不受具體限制，但是它是優(yōu)選以使其覆蓋拋光墊的表面的量供給的。根據(jù)本發(fā)明的拋光方法可以使用用水或水溶液稀釋的濃縮拋光液進(jìn)行。可以通過(guò)例如鋪設(shè)用于供給濃縮液的管道和用于供給水或水溶液的管道，使得它們可以彼此相遇而混合液體，進(jìn)行液體的稀釋?zhuān)⑶铱梢詫⑾♂尩囊后w供給到拋光墊上。可以通過(guò)比如下列的普通方法將液體混合例如，使液體在壓力下流過(guò)狹窄通道，然后使它們彼此碰撞；將重復(fù)分開(kāi)和匯合液體流的材料比如玻璃管裝入管道；或者在管內(nèi)安裝電力驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)葉片。可以根據(jù)本發(fā)明使用的另一種稀釋方法使用兩條相互獨(dú)立的管道以將指定量的拋光液和水或水溶液供給到拋光墊上，并且依賴(lài)于拋光墊和要被拋光的表面的相對(duì)運(yùn)動(dòng)將液體混合。根據(jù)可用于本發(fā)明的另一種方法，將一定量的拋光液和水或水溶液在單個(gè)容器中混合以形成具有適當(dāng)?shù)臐舛鹊南♂尰旌衔铮⑶覍⑺?yīng)到拋光墊上。根據(jù)可以被本發(fā)明使用的又一種方法，將拋光液分離成至少兩個(gè)必需的構(gòu)成部分(constituent)，將水或水溶液加入這些構(gòu)成部分中以將它們稀釋?zhuān)⑶覍⒁后w供給到拋光墊上。在這點(diǎn)上，優(yōu)選彼此獨(dú)立地供給根據(jù)本發(fā)明的包含氧化劑的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)成部分和包含有機(jī)酸的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)成部分。更具體而言，優(yōu)選使用氧化劑作為一個(gè)構(gòu)成部分組(A)，而使特定的氨基酸衍生物、添加劑、表面活性劑、雜環(huán)化合物、磨料粒和水全部作為另一個(gè)構(gòu)成部分組(B)，并且在使用它們之前，用水或水溶液將構(gòu)成部分組(A)和(B)稀釋。這種布置需要分別用于供給構(gòu)成部分組(A)和(B)以及水或水溶液的三條管道，并且可以將這三條管道連接在一起以形成通向拋光墊的一條管道，在該管道中將這些構(gòu)成部分和水混合。備選地，可以將三條管道中的一條在將另兩條連接在一起之后連接到通向拋光墊的管道上。以這種方式，例如，可以確保長(zhǎng)的混合路線和長(zhǎng)的溶解時(shí)間以混合含有不容易溶解的添加劑的構(gòu)成部分，然后在其下游連接水或水溶液的管道，并且供給拋光液。還可以使所有三條管道通向拋光墊，使得可以通過(guò)墊和要被拋光的表面的相對(duì)運(yùn)動(dòng)混合所述構(gòu)成部分，或者還可以在單個(gè)容器中混合三個(gè)構(gòu)成部分，然后將混合溶液供給到拋光墊上。還可以的是金屬拋光液為使用獨(dú)立供給到要被拋光的表面上的稀釋水的濃縮液。(被供給的拋光液的量)根本發(fā)明的拋光方法，將拋光液以?xún)?yōu)選50至500ml/分鐘并且更優(yōu)選100至300ml/分鐘的速率供給到拋光壓磨板上。(拋光墊)可以被本發(fā)明的拋光方法使用的拋光墊不受具體限制，并且可以是非發(fā)泡或發(fā)泡型拋光墊。前一種是由合成樹(shù)脂的硬質(zhì)塊體材料比如塑料板形成的墊。后一種包括閉孔泡沫(干泡沫)、互連孔的泡沫(濕泡沫)和兩層復(fù)合材料(層壓材料)，并且優(yōu)選兩層復(fù)合材料(層壓材料)。泡沫可以是均勻或不均勻的。根據(jù)本發(fā)明的拋光墊可以已經(jīng)包含用于拋光的磨料粒(比如，二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁或樹(shù)脂的)。所述墊可以是軟或硬的墊，并且所述層壓材料優(yōu)選是在硬度方面不同的層的層壓材料。所述墊優(yōu)選由例如無(wú)紡布、人造革、聚酰胺、聚氨酯、聚酯或聚碳酸酯形成。它可以具有例如在其適合接觸要被拋光的表面的表面中形成的凹槽、？L、同心或螺旋凹槽的現(xiàn)在，將進(jìn)行通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的拋光方法拋光的材料(襯底或晶片)的描述。(金屬布線材料)根據(jù)本發(fā)明的被拋光的材料優(yōu)選為具有由銅或銅合金形成的布線連接的襯底(晶片)。作為金屬布線材料，含有銀的銅合金比任何其它的銅合金更適合。當(dāng)其具有10質(zhì)量％以下，并且特別是1質(zhì)量％以下的銀含量時(shí)，銅合金產(chǎn)生優(yōu)異的結(jié)果，并且當(dāng)它具有0.00001至0.1質(zhì)量％的銀含量時(shí)，它產(chǎn)生最優(yōu)異的結(jié)果。(線厚度)在例如DRAM器件的情況下，根據(jù)本發(fā)明的被拋光的材料優(yōu)選具有以0.15pm以下，更優(yōu)選0.10iim以下，并且還更優(yōu)選0.08以下的半間距計(jì)的線厚度。在MPU器件的情況下，它優(yōu)選具有0.12pm以下，更優(yōu)選0.09pm以下并且還更優(yōu)選0.07jLim以下的線厚度。根據(jù)本發(fā)明的拋光液在具有這種布線的材料上產(chǎn)生特別良好的結(jié)果。(金屬阻擋層材料)根據(jù)本發(fā)明的被拋光的材料具有在銅布線和絕緣膜(包括夾層絕緣膜)之間形成的阻擋層，以防止銅的擴(kuò)散。阻擋層優(yōu)選由低電阻的金屬材料如TiN、TiW、Ta、TaN、W和WN形成，并且更優(yōu)選由Ta和TaN形成。以下，將列舉本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。<1>一種金屬拋光液，所述金屬拋光液在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中用于銅或銅合金的導(dǎo)體膜的化學(xué)機(jī)械拋光，所述金屬拋光液包含(l)由下式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性劑，R1~N—RLCOOH(|)其中，在所述式(I)中，R'表示含l至4個(gè)碳原子的垸基，并且W表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。<2>根據(jù)<1〉所述的金屬拋光液，其中所述由式(I)表示的氨基酸衍生物是由N-甲基甘氨酸、N-甲基丙氨酸和N-乙基甘氨酸組成的組中的至少一種。<3>根據(jù)<1〉或<2>所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是陰離子表面活性劑。<4〉根據(jù)<1>至<3>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是磺酸或磺酸鹽。<5>根據(jù)<1>至<4>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含芳基。<6>根據(jù)<1>至<5>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含苯基。<7><1>至<6>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含烷基o<8〉根據(jù)<1〉至<7>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽。<9>根據(jù)<1〉至<8>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽。<10>根據(jù)<1>至<9>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽與垸基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽的混合物。<11>根據(jù)<1>或<2>所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是非離子表面活性劑。<12>根據(jù)<11>所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是有機(jī)硅表面活性劑。<13>根據(jù)<12>所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是在其側(cè)鏈或末端具有醚鍵的聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑。<14>根據(jù)<12〉或<13>所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是HLB值為8以上但小于20的聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑。<15>根據(jù)<1〉至<14>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含氧化劑。<16>根據(jù)<1〉至<5>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中其pH為4至11。<17>根據(jù)<1>至<16〉中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中其表面張力小于55mN/m。<18>根據(jù)<1>至<17>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中當(dāng)將所述表面活性劑的含量調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％時(shí)，所述表面張力小于55mN/m。<19>根據(jù)<18>所述的金屬拋光液，其中當(dāng)將所述表面活性劑的含量調(diào)節(jié)至3xl(T3質(zhì)量％時(shí)，所述表面張力小于50mN/m。<20>根據(jù)<1>至<19>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，其中鐵離子的濃度小于1ppm。<21>根據(jù)<20>所述的金屬拋光液，其中所述鐵離子的濃度小于0.3ppm。<22>根據(jù)<1>至<21>中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液含有具有三個(gè)或更多個(gè)氮原子的芳族雜環(huán)化合物。<23>根據(jù)<22>所述的金屬拋光液，其中所述芳族雜環(huán)化合物是選自下列的至少一種化合物三唑和三唑衍生物、四唑和四唑衍生物以及苯并三唑和苯并三唑衍生物。<24>如<1>至<23〉中任一項(xiàng)所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含選自二氧化鈰顆粒、二氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒和有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合顆粒中的至少一種磨料粒。<25>—種在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中的化學(xué)和機(jī)械拋光方法，所述方法包括通過(guò)使用根據(jù)<1>至<24>中任一項(xiàng)的金屬拋光液，將具有銅或銅合金的導(dǎo)體膜的襯底拋光。<26>根據(jù)<25>所述的拋光方法，其中通過(guò)使附著到拋光壓磨板上的拋光墊和要被拋光的表面相對(duì)移動(dòng)，同時(shí)將所述金屬拋光液供給到所述拋光墊上，將所述要被拋光的表面拋光。實(shí)施例以下，將參考實(shí)施例更具體地描述本發(fā)明。本發(fā)明不限于所述實(shí)施例。<磨料粒(粒子)的制備>-特定膠體二氧化硅(0-1)和(0-2)的制備-如下制備特定膠體二氧化硅(D-1)。在室溫?cái)嚢璧耐瑫r(shí)，將銨水加入1,000g的20質(zhì)量％的平均磨料粒尺寸為25nm的膠體二氧化硅水分散液中以將pH調(diào)節(jié)為9.0，隨后緩慢加入15.9g鋁酸鈉水溶液，歷時(shí)30分鐘，所述鋁酸鈉水溶液的^203濃度為3.6質(zhì)量％并且Na20/Al203摩爾比率為1.50，之后進(jìn)一步攪拌0.5小時(shí)。將所得到的溶膠裝入SUS高壓釜裝置中，在130°C加熱4小時(shí)之后，在室溫下以1小時(shí)"的空速(spacemte)，通宵經(jīng)過(guò)填充有氫型強(qiáng)酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂(商品名AmberliteIR-120B)的柱子和填充有羥基型強(qiáng)堿性陰離子交換樹(shù)脂(商品名AmberliteIRA-410)的柱子，并且截取初始餾分。如下制備特定膠體二氧化硅(D-2)。在特定膠體二氧化硅(D-1)的制備中，在沒(méi)有加熱的情況下，使所得到的溶膠在室溫下以1小時(shí)"的空速通宵經(jīng)過(guò)填充有氫型強(qiáng)酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂(商品名AmberliteIR-120B)的柱子和填充有羥基型強(qiáng)堿性陰離子交換樹(shù)脂(商品名AmberliteIRA-410)的柱子，并且截取初始餾分。根據(jù)上述方法，制備了表l中所示的特定膠體二氧化硅(D-l)和(D-2)。在制備之后，該特定膠體二氧化硅(D-l)和(D-2)沒(méi)有表現(xiàn)出增稠和凝膠。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>[實(shí)施例1至9和比較例1至4]如下表2中所示制備拋光液101至109和201至204，并且進(jìn)行拋光測(cè)試和評(píng)價(jià)。(金屬拋光液的制備)通過(guò)混合如下列舉的材料制備每一種金屬拋光液。在表2(和下表3)中的特定氨基酸衍生物和比較化合物欄中的"A-1"和"B-1"分別指如之前所示的特定氨基酸衍生物的示例性化合物A-l和B-l。表面活性劑如表2中所示的化合物(處于表2中所示的量，不含有任何表面活性劑的拋光液204除外)；磨料粒如表2中所示的膠體二氧化硅1.6g;有機(jī)酸特定氨基酸衍生物或比較化合物(如表2中所示的化合物)0.25摩爾；雜環(huán)化合物1,2,3,4-四唑(拋光液101至107和109)1.5毫摩爾；雜環(huán)化合物苯并三唑(拋光液108)l毫摩爾；氧化劑過(guò)氧化氫13.5g;將純水加入上述材料中以獲得l，OOOml的總體積，并且將氨水加入混合物中以將其pH調(diào)節(jié)至7.5。還使用不是特定膠體二氧化硅的另一種膠體二氧化硅。它是在其表面中不具有取代任何硅原子的任何鋁原子的膠體二氧化硅(PL2，商品名，由FusoKagakuKogyo生產(chǎn)，具有25nm的平均磨料粒尺寸(初級(jí)粒徑)和2的締合度)。它在表2(和表3)中是以非特定膠體二氧化硅的形式顯示的。在表2中，拋光液106是以含有D-1和二氧化鈰作為磨料粒的形式顯示的。更具體而言，它含有1.2gD-l和0.4g二氧化鈰。<評(píng)價(jià)>(拋光速度)在下面顯示的條件下進(jìn)行拋光試驗(yàn)以檢驗(yàn)拋光速度和表面凹陷。結(jié)果示于表2中。拋光設(shè)備FREX300(商品名，由EbaraSeisakusho生產(chǎn))；被拋光的材料(晶片)(1)用于拋光速度的計(jì)算具有300mm的直徑，通過(guò)形成在硅襯底上形成的1.5pm厚銅膜而制備的一般晶片(blanketwafer);(2)用于表面凹陷的評(píng)價(jià)具有300mm的直徑，并且具有在其上形成的銅布線的晶片(形成圖案的晶片)(掩模圖案754CMP(ATDF));拋光墊.'IC1400-KGroove(商品名，由Rodel生產(chǎn))；拋光條件拋光壓力(在要被拋光的表面和拋光墊之間的接觸壓力)14,000Pa拋光液供給速率200ml/分鐘。拋光壓磨板旋轉(zhuǎn)頻率104rpm拋光頭旋轉(zhuǎn)頻率85rpm(評(píng)價(jià)方法)拋光速度的計(jì)算將每一個(gè)一般晶片(l)拋光60秒，由在晶片上均勻隔開(kāi)的49個(gè)點(diǎn)的每一個(gè)的電阻值計(jì)算在將被拋光的晶片和拋光的晶片之間的金屬膜的厚度差，將其除以拋光時(shí)間，并且將結(jié)果的平均值設(shè)定為拋光速度。(表面凹陷)將每一個(gè)圖案晶片(2)拋光，歷時(shí)為從非布線區(qū)域上完全除去銅所需的時(shí)間加上額外的該時(shí)間的25%，并且通過(guò)接觸式表面輪廓測(cè)量?jī)xDektakV3201(商品名，由Veeco生產(chǎn))測(cè)定在線(IO(im)和間隙(10pm)之間的階梯高[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>從表2明顯看出，使用根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液的化學(xué)機(jī)械拋光方法(即，根據(jù)本發(fā)明的拋光方法)可以實(shí)現(xiàn)700nm/分鐘以上的高拋光速度以及低的表面凹陷程度。應(yīng)指出特別是在使用烷基二苯醚二磺酸和烷基二苯醚一磺酸的混合物的表面活性劑時(shí)，并且在上述表面活性劑的量為0.001至0.01質(zhì)量％時(shí)，本發(fā)明通過(guò)包含氨基羧酸產(chǎn)生優(yōu)異的結(jié)果。[實(shí)施例10至18和比較例5至10]以與拋光液101相同的方法制備拋光液IIO至118和205至210，不同之處在于將在拋光液101中的表面活性劑、磨料粒、有機(jī)酸、雜環(huán)化合物和氧化劑改變?yōu)橄旅骘@示的那些。以與實(shí)施例1中相同的方法評(píng)價(jià)拋光液IIO至118和205至210，并且測(cè)定每一種液體的表面張力。結(jié)果示于表3中。在表3中，表面張力(1)表示金屬拋光液本身的表面張力，并且表面張力(2)表示其表面活性劑被調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％的金屬拋光液的表面張力。表面活性劑如表3中所示的化合物(處于表3中所示的量)；磨料粒膠體二氧化硅如表3中所示；1.6g有機(jī)酸特定氨基酸衍生物或比較化合物(如表3中所示的化合物)0.25摩爾；雜環(huán)化合物1,2,3，4-四唑(拋光液101至107和109);1.5毫摩爾雜環(huán)化合物苯并三唑(拋光液110至118和205至210)1毫摩爾氧化劑過(guò)氧化氫13.5g[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>從表3明顯看出，使用根據(jù)本發(fā)明的金屬拋光液的化學(xué)機(jī)械拋光方法(即，根據(jù)本發(fā)明的拋光方法)可以實(shí)現(xiàn)650nm/分鐘以上的高拋光速度以及低的表面凹陷程度。通過(guò)另一個(gè)實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn)，使用鐵離子濃度為1ppm以上的金屬拋光液拋光，如果這種液體在使其于室溫下靜置一周之后使用，則具有較低的拋光速度。還發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的含有有機(jī)硅表面活性劑的金屬拋光液具有減少在拋光后殘留的銅布線的出人意料的結(jié)果。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種金屬拋光液和使用其的拋光方法，所述金屬拋光液具有快的CMP速度和優(yōu)異的銅/鉭拋光選擇性，并且在表面凹陷方面較少，從而能夠提高被拋光的表面的平面性。在本說(shuō)明書(shū)中提及的所有出版物、專(zhuān)利申請(qǐng)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都通過(guò)引用結(jié)合在此，直至如將各份出版物、專(zhuān)利申請(qǐng)或技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具體并且單獨(dú)地說(shuō)明以通過(guò)引用而結(jié)合的相同程度。權(quán)利要求1.一種金屬拋光液，其在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中用于銅或銅合金的導(dǎo)體膜的化學(xué)機(jī)械拋光，所述金屬拋光液包含(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性劑，id="icf0001"file="S2008100873553C00011.gif"wi="59"he="11"top="80"left="58"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>其中，在所述式(I)中，R1表示含1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R2表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述由式(I)表示的氨基酸衍生物是選自由N-甲基甘氨酸、N-甲基丙氨酸和N-乙基甘氨酸組成的組中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是陰離子表面活性劑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是磺酸或磺酸鹽。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含芳基。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含苯基。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含烷基。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是垸基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽與烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽的混合物。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是非離子表面活性劑。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的金屬拋光液l，其中所述表面活性劑是有機(jī)硅表面活性劑。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑，所述聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑在其側(cè)鏈或末端具有醚鍵。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是HLB值為8以上但小于20的聚醚改性的有機(jī)硅表面活性劑。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含氧化劑。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述金屬拋光液的pH為4至11。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中所述金屬拋光液的表面張力小于55mN/m。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中當(dāng)將所述表面活性劑的含量調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％時(shí)，表面張力小于55mN/m。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的金屬拋光液，其中當(dāng)將所述表面活性劑的含量調(diào)節(jié)至3x10—3質(zhì)量％時(shí)，所述表面張力小于50mN/m。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，其中鐵離子的濃度小于1ppm。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的金屬拋光液，其中所述鐵離子的濃度小于0.3ppm。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液含有具有三個(gè)或更多個(gè)氮原子的芳族雜環(huán)化合物。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的金屬拋光液，其中所述芳族雜環(huán)化合物是選自由三唑和三唑衍生物、四唑和四唑衍生物以及苯并三唑和苯并三唑衍生物組成的組中的至少一種化合物。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含選自由二氧化鈰顆粒、二氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒和有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合顆粒組成的組中的至少一種磨料粒。25.—種在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中的化學(xué)和機(jī)械拋光方法，所述方法包括通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1的金屬拋光液，將具有銅或銅合金的導(dǎo)體膜的襯底拋光。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的拋光方法，其中通過(guò)使附著到拋光壓磨板上的拋光墊和要被拋光的表面相對(duì)于彼此移動(dòng)，同時(shí)將所述金屬拋光液供給到所述拋光墊上，將所述要被拋光的表面拋光。全文摘要一種金屬拋光液，其在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中用于銅或銅合金的導(dǎo)體膜的化學(xué)機(jī)械拋光，所述金屬拋光液包含(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性劑，其中在所述式(I)中，R¹表示含1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R²表示含1至4個(gè)碳原子的亞烷基。文檔編號(hào)B24B37/00GK101275057SQ20081008735公開(kāi)日2008年10月1日申請(qǐng)日期2008年3月21日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者富賀敬充,山田徹,松野孝洋,稻葉正,菊池信,高橋和敬申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社