本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶圓的化學(xué)氣相沉淀腔。

背景技術(shù)：

低壓化學(xué)氣相沉淀是指將沉淀腔中抽成低壓狀態(tài)，將反應(yīng)氣體置入沉淀腔中，反應(yīng)氣體擴散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應(yīng)區(qū)發(fā)生反應(yīng)形成薄膜。現(xiàn)有的低壓化學(xué)沉淀腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，反應(yīng)氣體不能均勻的擴散至晶圓表面，導(dǎo)致形成的薄膜厚度不均勻。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，申請人進(jìn)行研究及改進(jìn)，提供一種環(huán)管式低壓化學(xué)氣相沉淀腔。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種環(huán)管式低壓化學(xué)氣相沉淀腔，包括腔體，所述腔體中內(nèi)置有導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)及用于支撐晶圓的支撐結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)為一環(huán)形腔套，所述環(huán)形腔套的內(nèi)壁安裝有多根徑向設(shè)置的導(dǎo)氣管，所述支撐結(jié)構(gòu)包括一支撐軸，所述支撐軸軸向設(shè)置于所述環(huán)形腔套中，支撐軸的周壁上借助卡夾夾持晶圓，所述導(dǎo)氣管置于相鄰的晶圓之間。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

本發(fā)明采用環(huán)狀形的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)及置于該導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)中的支撐軸，支撐軸采用放射方式固定晶圓，大大降低晶圓的支撐體積，減小整個沉淀腔的體積，并提高反應(yīng)氣體與晶圓的接觸均勻度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、腔體；2、支撐結(jié)構(gòu)；3、導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)；4、導(dǎo)氣管；5、卡夾；6、晶圓。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本實施例的環(huán)管式低壓化學(xué)氣相沉淀腔，包括腔體1，腔體1中內(nèi)置有導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)3及用于支撐晶圓的支撐結(jié)構(gòu)2，導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)3為一環(huán)形腔套，環(huán)形腔套的內(nèi)壁安裝有多根徑向設(shè)置的導(dǎo)氣管4，支撐結(jié)構(gòu)2包括一支撐軸，支撐軸軸向設(shè)置于環(huán)形腔套中，支撐軸的周壁上借助卡夾5夾持晶圓6，導(dǎo)氣管4置于相鄰的晶圓6之間。使用時，將反應(yīng)氣體通入導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)3的環(huán)形腔套中，反應(yīng)氣體從導(dǎo)氣管4中導(dǎo)出至相鄰的晶圓6之間，反應(yīng)氣體與晶圓6表面充分均勻接觸。

以上所舉實施例為本發(fā)明的較佳實施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，若在不脫離本發(fā)明所提技術(shù)特征的范圍內(nèi)，利用本發(fā)明所揭示技術(shù)內(nèi)容所作出局部改動或修飾的等效實施例，并且未脫離本發(fā)明的技術(shù)特征內(nèi)容，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)特征的范圍內(nèi)。