專利名稱：濺射裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及濺射裝置，尤其涉及形成有機發光顯示裝置的薄膜封裝層的濺射裝置。
背景技術：
濺射裝置為在被沉積對象形成沉積膜的裝置。最近，在有機發光顯示裝置的制造工序中，通過在形成于基板的有機發光器件上交替地層疊無機膜和有機膜來形成將有機發光器件封裝的薄膜封裝層時，使用濺射裝置來形成無機膜。 然而，由于有機發光器件和有機膜所包含的有機物的耐熱性較差，因此現有的濺射裝置不能在高溫下加熱基板，從而存在因濺射裝置所形成的無機膜的質量降低的問題。

發明內容
本發明的一實施例用于解決上述的問題，其目的在于提供用于形成將有機發光器件封裝的薄膜封裝層的、無機膜的質量得以提高的濺射裝置。為了實現上述的技術目的，本發明一方面提供一種濺射裝置，所述濺射裝置包括具有磁性的多個靶；位于所述多個靶中相鄰的靶之間并且具有磁性的反射體；位于所述靶上、形成引導(guide)微波(microwave)的導引空間并且具有磁性的波導器；以及位于所述波導器上，與所述靶、所述反射體以及所述波導器一起形成電子回旋共振(electroncyclotron resonance)區域并且具有磁性的限幅器。所述靶可以是自旋的。所述靶可以包括在內部形成有圓形空間并且與所述電子回旋共振區域相鄰的靶本體、以及與所述靶本體相接并且位于所述圓形空間的第一磁性體。所述反射體可以包括與所述電子回旋共振區域相鄰的反射板、以及與所述反射板相鄰的第二磁性體。所述波導器可以包括是沿著所述電子回旋共振區域的外圍延伸的閉環(closedloop)形態并且形成所述導引空間的導引本體，與所述導引本體連接以向所述導引空間供應所述微波的波供應部，與所述電子回旋共振區域相鄰的窗體，位于所述導引本體和所述窗體之間并且沿著所述導引本體延伸并且與所述導引本體相比更接近于所述電子回旋共振區域的第三磁性體，以及貫通所述第三磁性體并且使所述導引空間和所述窗體之間連通的槽。 所述限幅器可以包括互相間隔設置的多個第四磁性體。所述電子回旋共振區域可以具有I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr)的壓力。等離子體(plasma)可以在所述電子回旋共振區域中放電。所述濺射裝置可以形成將形成在基板上的有機發光器件封裝的無機膜。根據解決上述本發明技術問題的技術方案中的一部分實施例之一，提供使形成將有機發光器件封裝的薄膜封裝層的無機膜質量得以提高的濺射裝置。


圖I為根據本發明一實施例的濺射裝置的截面示意圖；圖2為圖I所示的波導器的立體示意圖；圖3為通過根據本發明一實施例的濺射裝置形成沉積膜的示意圖。附圖標記說明100 :靶；200 :反射體；300:波導器； 400:限幅器。
具體實施例方式下面，參考附圖，對本發明的實施例進行詳細的說明，使得所屬技術領域的技術人員能夠輕易地實施。然而，本發明能夠以多種不同的方式實施，并不限于在本說明書中說明的實施例。在附圖中省略了無關的部分以清楚地說明本發明。在整體說明書中，對相同或者類似的組成要素使用了相同的附圖標記。并且，為了便于說明任意地顯示了在幅圖中出現的各個組成的大小及厚度，因而本發明并不限于附圖所示的情況。在整體說明書中，若某一部分“包括”某一組成要素時，除了存在特別相駁的記載之外，并不排除其他的組成要素，而意味著還可以包括其他的組成要素。并且，在整體說明書中，..上”意味著對象部分的上部或者下部，并非僅意味著位于以重力方向為基準時的上側。下面，參考圖I至圖3，對根據本發明一實施例的濺射裝置進行說明。圖I為根據本發明一實施例的濺射裝置的截面示意圖。如圖I所示，根據本發明一實施例的濺射裝置可以設置于腔室(chamber)內部，在作為被沉積對象的、形成有有機發光器件20的基板10上形成沉積膜。濺射裝置包括形成電子回旋共振(electron cyclotron resonance)區域 ECRA 的祀 100 (target)、反射體200 (reflector)、波導器 300 (wave guide)以及限幅器 400 (limiter)。靶100具有磁性并且設置有多個。靶100進行自旋，并且其包括靶本體110以及第一磁性體120。靶本體110包括鋁(Al)或者錫(Sn)等欲向基板10沉積的物質，并且在內部形成有圓形空間。靶本體Iio與電子回旋共振區域ECRA相鄰。第一磁性體120位于在靶本體110內部形成的圓形空間并且與靶本體110相接。第一磁性體120設置成多個，相鄰的第一磁性體120分別可以具有相互不同的磁化方向。第一磁性體120向電子回旋共振區域ECRA方向形成磁場。第一磁性體120可以是電磁鐵或者永久磁鐵。多個靶100中相鄰的靶100之間置有反射體200。反射體200位于相鄰的靶100之間，并且與限幅器400相對。反射體200具有磁性并且包括反射板210以及第二磁性體220。
反射板210與電子回旋共振區域ECRA相鄰，并且其可以包括選自鑰(Mo)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鉭(Ta)以及不銹鋼等中的一種以上金屬。反射板210的板面與限幅器400相對。第二磁性體220與反射板210相鄰，并且向電子回旋共振區域ECRA方向形成磁場。第二磁性體220可以是電磁鐵或者永久磁鐵。反射體200和靶100上設置有波導器300。圖2為圖I所示的波導器的立體示意圖。如圖2所示,波導器300引導(guide)微波MW(microwave),并且具有磁性。波導器300包括導引本體310、波供應部320、窗體330、第三磁性體340以及槽350。導引本體310是延伸的閉環(closed loop)形態，以使其沿著電子回旋共振區域ECRA的外圍圍繞電子回旋共振區域ECRA。導引本體310形成用于引導微波的導引空間GS。通過導引本體310的導引空間GS，由波供應部320供應的微波沿著電子回旋共振區域ECRA的外圍移動。波供應部320連接于導引本體310的一部分，向導引空間GS供應微波。
窗體330與導引本體310相鄰，并且其與導引本體310相比更接近于電子回旋共振區域ECRA。即，窗體330與電子回旋共振區域ECRA相鄰，在導引本體310的導引空間GS移動的微波經由窗體330入射至電子回旋共振區域ECRA。第三磁性體340位于導引本體310和窗體330之間，并且沿著導引本體310以閉環形態延伸。第三磁性體340與導引本體310相比更接近于電子回旋共振區域ECRA。槽350貫通第三磁性體340，并且使導引空間GS和窗體330之間連通。在導引空間GS移動的微波經由槽350可以向窗體330移動，并且移動至窗體330的微波經由窗體330向電子回旋共振區域ECRA入射。限幅器400位于波導器300上，與電子回旋共振區域ECRA相鄰，并且具有磁性。限幅器400包括相互間隔設置的多個第四磁性體410。限幅器400連同靶100、反射體200以及波導器300構成電子回旋共振區域ECRA。電子回旋共振區域ECRA具有I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr)的壓力。如上所述，在根據本發明一實施例的濺射裝置中，靶100、反射體200、波導器300以及限幅器400分別具有磁性，并且由靶100、反射體200、波導器300以及限幅器400形成電子回旋共振區域ECRA，從而沿著電子回旋共振區域ECRA的整體外圍形成有磁場，并通過該磁場和窗體330向電子回旋共振區域ECRA入射的微波在電子被鎖住并旋轉的狀態下產生共振，因此在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體(plasma)，并且在形成有有機發光器件20的基板10上根據該高密度等離子體形成高密度沉積膜。對此，將參考圖3進行詳細的說明。下面，參考圖3，就通過本發明一實施例的濺射裝置來形成沉積膜進行詳細的說明。圖3為通過根據本發明一實施例的濺射裝置形成沉積膜的示意圖。如圖3所示，根據圍繞電子回旋共振區域ECRA的磁力線ML，在電子回旋共振區域ECRA形成有高密度等離子體，在等離子體因限幅器400而未向基板10側移動的狀態下，只有被反射體200反射的高能量中性粒子束才到達至基板10，以在形成有有機發光器件20的基板10形成高密度沉積膜。作為一實例，通過將包括氧化鋁(Al2O3)的、用作沉積膜的無機膜沉積于基板10上的情況為例，進行更詳細的說明。為了形成包含氧化鋁的無機膜，在基板10側形成氧氣環境、靶100包括鋁(Al)、并且使氬粒子(Ar)位于電子回旋共振區域ECRA的狀態下，通過共振在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體時，氬粒子(Ar)轉化為氬離子(Ar ion)，并且該IS尚子(Ar ion)與革巴100發生撞擊。由此，從革巴100向電子回旋共振區域ECRA放射鋁粒子(Al)，所放射的鋁粒子(Al)轉化為鋁離子(Al ion)。位于電子回旋共振區域ECRA的鋁離子(Al ion)以及氬離子(Ar ion)分別被反射體200反射，從而分別轉化為高能量的鋁中性粒子束(HNB Al)以及氬中性粒子束(HNB Ar)，并經由限幅器400向基板10側移動。向基板10側移動的高能量鋁中性粒子束(HNB Al)以及氬中性粒子束(HNB Ar)分別在基板10形成包含高密度氧化鋁的無機膜。另外，包含鋁離子(Alion)和氬離子(Ar ion)的等離子體因限幅器400而無法向基板10移動。如上所述，在根據本發明一實施例的濺射裝置中，通過磁場和微波之間的共振在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體，并且只有該高密度等離子體被反射體200反 射而形成的高能量中性粒子束才能向基板10側移動，從而在基板10上形成高密度沉積膜。即，在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體并且僅利用高能量中性粒子束在基板10上形成沉積膜，因此即使不用額外地加熱基板10，也可以在基板10上形成高密度沉積膜。即，根據本發明一實施例的濺射裝置，在因有機發光器件20以及有機膜中分別包含的有機物的耐熱性較差而無法高溫加熱基板10的狀態下，也可以只利用高能量中性粒子束在基板10上沉積用于封裝有機發光器件20的無機膜。另外，根據本發明一實施例的濺射裝置在靶100、反射體200、波導器300以及限幅器400分別具有磁性的狀態下形成電子回旋共振區域ECRA，從而在整體電子回旋共振區域ECRA形成磁力線ML以使其圍繞電子回旋共振區域ECRA。由于磁場圍繞電子回旋共振區域ECRA，因此根據磁場和微波之間的共振在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體。即，根據本發明一實施例的濺射裝置并不是單純地只在電子回旋共振區域ECRA的一部分形成磁場，而是將磁場形成為圍繞整體電子回旋共振區域ECRA，因此根據共振在電子回旋共振區域ECRA形成高密度等離子體，并且該高密度等離子體被反射體200反射而形成為高能量中性粒子束，所以提高了向基板10側移動的中性粒子束流(flux)，從而即使不加熱基板10，也會通過中性粒子束使沉積于基板10的沉積膜的密度得以提高。另外，在根據本發明一實施例的濺射裝置中將電子回旋共振區域ECRA的壓力形成為I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr),因此與壓力為I毫托(mTorr)以上的現有派射裝置相比，提高了在電子回旋共振區域ECRA移動的中性粒子束的平均自由程(mean freepath)，所以將因中性粒子束之間的撞擊而使中性粒子束的能量降低的現象最小化。由此提高向基板10側移動的中性粒子束流，從而使沉積于基板10的沉積膜的密度得以提高。另外，在根據本發明一實施例的濺射裝置中，為了形成電子回旋共振區域ECRA，并不是額外地設置磁性體，而是使作為在利用中性粒子束形成沉積膜時的必須組成部件的靶100、反射體200、波導器300以及限幅器400分別具有磁性，因此不需要額外地設置磁性體。這就是降低整體濺射裝置的制造費用以及維護費用的主要原因。
根據如上所述的說明，通過優選實施例說明了本發明，但是本發明并不限于此，所屬技術領域的技術人員能夠 輕易地理解在不脫離上所述權利要求書的概念和范圍的情況下能夠有多種修改以及變形。
權利要求
1.一種濺射裝置，包括 多個靶，具有磁性； 反射體，位于所述多個靶中相鄰的靶之間，并且具有磁性； 波導器，位于所述靶上，形成引導微波的導引空間，并且具有磁性；以及限幅器，位于所述波導器上，與所述靶、所述反射體以及所述波導器一起形成電子回旋共振區域，并且具有磁性。
2.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中， 所述靶是自旋的。
3.根據權利要求2所述的濺射裝置，其中，所述靶包括 靶本體，在內部形成有圓形空間，并且與所述電子回旋共振區域相鄰；以及 第一磁性體，與所述靶本體相接，并且位于所述圓形空間。
4.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中，所述反射體包括 反射板，與所述電子回旋共振區域相鄰；以及 第二磁性體，與所述反射板相鄰。
5.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中，所述波導器包括 導引本體，是沿著所述電子回旋共振區域的外圍延伸的閉環形態，并且形成所述導引空間； 波供應部，與所述導引本體連接以向所述導引空間供應所述微波； 窗體，與所述電子回旋共振區域相鄰； 第三磁性體，位于所述導引本體和所述窗體之間，沿著所述導引本體延伸，并且與所述導引本體相比更接近于所述電子回旋共振區域；以及 槽，貫通所述第三磁性體，并且使所述導引空間和所述窗體之間連通。
6.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中，所述限幅器包括 多個第四磁性體，互相間隔設置。
7.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中， 所述電子回旋共振區域具有I微托至I毫托的壓力。
8.根據權利要求I所述的濺射裝置，其中， 等離子體在所述電子回旋共振區域放電。
9.根據權利要求I至8任意一項權利要求所述的濺射裝置，其中， 形成將形成在基板上的有機發光器件封裝的無機膜。
全文摘要
濺射裝置包括具有磁性的多個靶，位于所述多個靶中相鄰的靶之間并且具有磁性的反射體，位于所述靶上并形成引導微波的導引空間且具有磁性的波導器，以及位于所述波導器上從而與所述靶、所述反射體以及所述波導器一起形成電子回旋共振區域并具有磁性的限幅器。
文檔編號C23C14/34GK102899621SQ20111044338
公開日2013年1月30日 申請日期2011年12月20日 優先權日2011年7月29日
發明者崔镕燮, 許明洙 申請人:三星顯示有限公司