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類金剛石膜層的表面處理方法及制品與流程

文檔序號:11170683閱讀:725來源:國知局
類金剛石膜層的表面處理方法及制品與流程
本發明涉及一種類金剛石膜層的表面處理方法及制品。

背景技術:
類金剛石(Diamond-likeCarbon,簡寫為DLC)膜層具有高硬度、高彈性模量、優異的耐磨性能、化學穩定性及生物相容性,具有非常廣泛的應用前景。但內應力大、膜/基之間的結合力差,且DLC膜層的硬度(一般在2300HV左右)與氮化鈦、氮化鉻等硬質膜層的硬度相比偏低等缺點限制了DLC膜層的應用。通過離子束輔助磁控濺射沉積技術,形成摻雜有金屬和/或非金屬元素DLC膜層,雖然可改善DLC膜層的硬度,但摻雜元素的加入易于使DLC膜層的內應力變大、膜/基之間的結合力降低。

技術實現要素:
鑒于此,有必要提供一種降低類金剛石膜層的內應力、提高基體與類金剛石膜層之間的結合力的類金剛石膜層的表面處理方法。另外,還提供一種經上述類金剛石膜層的表面處理方法制得的制品。一種類金剛石膜層的表面處理方法,其包括如下步驟:提供基體;采用離子束輔助磁控濺射沉積技術,在基體表面形成類金剛石膜層;對該類金剛石膜層進行離子源滲透處理,在類金剛石膜層內摻雜硅元素和氟元素,并于該基體與該類金剛石膜層之間形成擴散層,該擴散層中含有碳化硅、碳化鐵、硅鐵固溶體及氟鐵固溶體,該離子源滲透處理的溫度為400~600℃。一種制品,其包括基體及形成于基體上的類金剛石膜層,該類金剛石膜層中含有硅元素和氟元素。本發明類金剛石膜層的表面處理方法,通過所述離子源滲透處理,可使Si、F離子滲透至類金剛石膜層內部及基體上靠近類金剛石膜層的部分區域,如此可提高所述類金剛石膜層的硬度;同時由于離子源滲透在400~600℃的高溫條件下進行,基體與類金剛石膜層之間會發生固相擴散,可有效降低基體與類金剛石膜層之間的內應力,提高基體與類金剛石膜層之間的結合力。附圖說明圖1是本發明較佳實施例的表面形成有DLC膜層的基體的示意圖。圖2是本發明較佳實施例的制品的示意圖。主要元件符號說明制品10基體...
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