印制電路板廢水提煉工藝的制作方法
【專利摘要】一種印制電路板廢水提煉工藝，包括：調廢水pH為6至6.5；加硫化鈉形成CuS沉淀；對CuS沉淀加硫酸溶解，產生硫酸銅溶液；對所述硫酸銅溶液加入鐵，以置換得到銅；能夠對廢水中多種形態的銅進行提煉，并以單質銅的形態出現，便于保存和后續工業應用。
【專利說明】印制電路板廢水提煉工藝
【技術領域】
[0001]本發明有關于印制電路板生產行業，特別是對其水進行提煉的工藝。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的發展和我國近幾年的對外開放和經濟發展，對電子產品的需求量不斷增長,促使我國的印制線路板(Printed Circuit Board,簡稱為PCB)生產急速發展，帶動了地方經濟發展，同時也給環境帶來較大的污染。
[0003]印制電路板制造技術是一項非常復雜的、綜合性很高的加工技術。印制電路板包括剛性、撓性和剛撓結合的單面板、雙面板和多層板。通常采用化學機械拋光(CMP)工藝，即采用化學和機械的去除、研磨、拋光工序對銅金屬進行處理，產生廢液廢渣等雜質和污染。PCB生產過程中有多種重金屬廢水和有機廢水排出，成份復雜，處理難度較大。
[0004]PCB廢水處理而言，其廢液、廢水中，通常以銅主，并還有不少其他的重金屬和貴金屬，如有鉛、錫、金、銀、氟、氨、有機物和有機絡合物等。但即使含量最多的銅，其也因為印制電路板制造技術中的不同工藝階段采用多種化學試劑，而形成多種的不同的存在形態。其中較為廣泛存在的是離子態的銅、絡合態的銅及螯合態的銅。采用堿性沉淀法無法充分的提取其中的銅。
[0005]作為廢水處理的一部分，本領域技術人員希望能夠在對廢水做無害化處理的同時，能夠變廢為寶，對其中的金屬物質進行提煉，特別是其中含量較多的銅。

【發明內容】

[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種印制電路板廢水提煉工藝，包括:
1)將所述廢水攪拌并調pH為6至6.5 ;
2)對所述廢水中加入硫化納，以形成CuS沉淀；
3)對所述CuS沉淀加硫酸溶解，產生硫酸銅溶液；
4)對所述硫酸銅溶液加入鐵，以置換得到銅。
[0007]本發明能夠提煉出原廢水中的銅，使得材料變廢為寶，循環使用且方法簡便，材料費用低，便于大規模操作。
【具體實施方式】
[0008]本發明提供一種印制電路板廢水提煉工藝。由于印制電路板的加工工藝十分復雜，在不同工序中所使用的化學試劑也比較復雜。這使得即使廢水中含量最多的銅，其也因為印制電路板制造技術中的不同工藝階段采用多種化學試劑，而形成多種的不同的存在形態。其中較為廣泛存在的是離子態的銅、絡合態的銅及螯合態的銅。
[0009]本發明就是一種可以提煉多種形態的銅的高效工藝，其包括:
I)將所述廢水攪拌并調pH為6至6.5 ;
該步驟不同于堿性沉淀法，將廢水調整為堿性，而是將其調整為酸性。[0010]2)對所述廢水中加入硫化鈉，以形成CuS沉淀；
在此步驟中由于廢水處于酸性狀態，因而在加入硫化鈉時，其產生CuS沉淀。這種反應不僅使得常見的離子態的銅以沉淀的方式產出，同時也使得絡合態的銅及螯合態的銅也能夠被破壞、形成CuS沉淀。
[0011]對于絡合態的銅及螯合態的銅的處理方法的化學反應原料式為:
Na2S + Cu [M] - CuS (沉淀)+ Na2 [M]
3)對所述CuS沉淀加硫酸溶解，產生硫酸銅溶液；
作為優選的，在操作步驟3)之前，還包括對所述CuS沉淀過濾并洗滌工藝。
[0012]4)對所述硫酸銅溶液加入鐵，以置換得到銅。
[0013]優選的，在所述步驟4)之前還包括對所述硫酸銅溶液進行濃縮的工藝。
[0014]優選的，所述濃縮工藝為:將所述硫酸銅溶液加入反應釜中加熱濃縮，且濃縮過程產生的水蒸汽經冷凝后再利用。
[0015]作為本發明的一個實施例,所述反應爸為陶瓷反應爸或搪瓷反應爸。
[0016]本發明能夠對廢水中多種形態的銅進行提煉，并以單質銅的形態出現，便于保存和后續應用。
[0017]應了解本發明所要保護的范圍不限于非限制性實施方案，應了解非限制性實施方案僅僅作為實例進行說明。本申請所要要求的實質的保護范圍更體現于獨立權利要求提供的范圍，以及其從屬權利要求。
【權利要求】
1.一種印制電路板廢水提煉工藝，包括: 1)將所述廢水攪拌并調pH為6至6.5 ; 2)對所述廢水中加入硫化納，以形成CuS沉淀； 3)對所述CuS沉淀加硫酸溶解，產生硫酸銅溶液； 4)對所述硫酸銅溶液加入鐵，以置換得到銅。
2.如權利要求1所述的提煉工藝，其特征在于:所述CuS沉淀來自于所述廢水中的離子態銅，絡合態的銅或螯合態的銅。
3.如權利要求2所述的提煉工藝，其特征在于:所述絡合態的銅或螯合態的銅形成CuS沉淀的化學反應原理式為: Na2S + Cu [M] - CuS + Na2 [M]。
4.如權利要求1所述的提煉工藝，其特征在于:在所述步驟3)之前還包括對所述CuS沉淀過濾并洗滌工藝。
5.如權利要求1所述的提煉工藝，其特征在于:在所述步驟4)之前還包括對所述硫酸銅溶液進行濃縮的工藝。
6.如權利要求5所述的提煉工藝，其特征在于:所述濃縮工藝為:將所述硫酸銅溶液加入反應釜中加熱濃縮，且濃縮過程產生的水蒸汽經冷凝后再利用。
7.如權利要求6所述的提煉工藝，其特征在于:所述反應釜為陶瓷反應釜或搪瓷反應釜。
【文檔編號】C22B7/00GK103833160SQ201310538564
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月5日 優先權日:2013年11月5日
【發明者】夏澤軍 申請人:昆山宏凌電子有限公司