技術(shù)特征：

1.一種制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述方法包括：

制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品；

在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜；

將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述在制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品之前，

將鋁片樣品在400℃氮?dú)夥諊峦嘶?h，然后在電化學(xué)條件下拋光。

3.如權(quán)利要求2所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述鋁片樣品純度為99.999％。

4.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品包括：

利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品。

5.如權(quán)利要求4所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述利用二次氧化的方法制備有序鋁納米碗OAB陣列模板樣品，包括：

一次氧化是將鋁片樣品在0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V的電化學(xué)條件下，氧化24h后，然后將鋁片樣品轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除上述所獲得的氧化層；

二次氧化是在與所述一次氧化相同的條件，即0.3wt.％H₂SO₄，溫度為0.6℃，24V的電化學(xué)條件下，繼續(xù)氧化180s，然后將鋁片轉(zhuǎn)移至1.8wt.％鉻酸和6wt.％H₃PO₄、溫度為43℃的混合溶液中去除氧化層，即得到所述OAB陣列模板樣品。

6.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍10nm厚的銀膜，包括：

利用熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)的熱蒸鍍腔，在所述OAB陣列模板樣品的表面熱蒸鍍一層預(yù)置厚度的銀薄膜。

7.如權(quán)利要求6所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述熱蒸鍍腔內(nèi)壓強(qiáng)抽至2.5×10^-4pa以得到真空度，熱蒸鍍的速率為所述OAB陣列模板樣品所在的樣品托盤轉(zhuǎn)動(dòng)速度為20r/min。

8.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述將所述OAB陣列模板樣品在500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)，包括：

將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中，在所述管式爐中的500℃真空下退火1h，獲得有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求8所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述將所述OAB陣列模板樣品轉(zhuǎn)移至管式爐中，在所述管式爐中的500℃真空下退火1h之前，

將所述管式爐壓強(qiáng)抽至2.5×10^-3pa以得到真空度，然后再升溫到500℃。

10.如權(quán)利要求1所述制備有序銀納米球陣列的方法，其特征在于，所述有序銀納米球陣列結(jié)構(gòu)的密度大于10¹⁰cm^-1。