1.一種磁控濺射設備，其特征在于，包括殼體、磁靶、鋯靶材組件、遮擋部以及用于安裝基材的爐盤，所述殼體具有第一內壁、第二內壁和第三內壁，所述第一內壁和所述第二內壁相對間隔設置，所述第一內壁、所述第二內壁和所述第三內壁共同圍合成反應腔體，所述磁靶、所述鋯靶材組件、所述遮擋部和所述爐盤設置于所述反應腔體內，所述爐盤安裝于所述第一內壁，所述磁靶安裝于所述第二內壁，所述鋯靶材組件設置于所述磁靶遠離所述第二內壁的一側，所述遮擋部設置于所述第三內壁，所述遮擋部具有第一凹槽，所述第一凹槽的開口朝向遠離所述第三內壁的一側，且所述第一凹槽的開口覆蓋有篩網。
2.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述篩網的目數為200-400目。
3.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述篩網由絕緣材料制成。
4.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述鋯靶材組件包括固定連接的鋯靶材和背板，所述背板可拆卸連接于所述磁靶，所述鋯靶材靠近所述基材的一面為濺射面。
5.根據權利要求4所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述鋯靶材包括一體成型的基底和凸臺，所述基底具有上表面和下表面，所述背板設有第二凹槽，所述第二凹槽由底面和周面圍合而成，所述基底的所述下表面焊接于所述第二凹槽的所述底面，所述基底的所述上表面設有鋸齒狀凸起，所述上表面與所述背板的靠近所述凸臺的一面位于同一平面。
6.根據權利要求5所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述第二凹槽的所述周面與所述基底的側壁間隙配合，所述第二凹槽的所述周面與所述基底的側壁之間的間隙小于0.1mm。
7.根據權利要求5所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述凸起為錐形，相鄰兩個所述凸起的側壁之間的夾角為45°-75°，所述凸起的高度小于所述凸臺的高度。
8.根據權利要求5所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述背板遠離所述凸臺的一側開設有多個散熱通道，多個所述散熱通道間隔均勻分布。
9.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述磁靶與所述鋯靶材組件之間設置有緩沖板并用于調整所述鋯靶材組件與所述基材之間的磁場強度，所述緩沖板包括至少兩個依次疊放的調整板。
10.一種磁控濺射系統，其特征在于，包括權利要求1-9中任一項所述的磁控濺射設備，以及與所述磁控濺射設備相匹配的控制系統。