技術總結
本發明提供了一種磁控濺射設備及磁控濺射系統，屬于半導體制造領域。該磁控濺射設備，包括殼體、磁靶、鋯靶材組件、遮擋部以及用于安裝基材的爐盤。殼體具有第一內壁、第二內壁和第三內壁，第一內壁和第二內壁相對間隔設置。第一內壁、第二內壁和第三內壁共同圍合成反應腔體。爐盤安裝于第一內壁，磁靶安裝于第二內壁，鋯靶材組件設置于磁靶遠離第二內壁的一側。遮擋部設置于第三內壁，遮擋部具有第一凹槽，第一凹槽的開口朝向遠離第三內壁的一側，且第一凹槽的開口覆蓋有篩網。這種磁控濺射設備和磁控濺射系統，均能夠有效避免反濺射物脫落對濺射環境的影響，有效提高反應腔體內鋯金屬薄膜的質量，從而提高半導體器件的性能。

技術研發人員：徐興;李澤宇;周媛;魏志英
受保護的技術使用者：廣漢川冶新材料有限責任公司
文檔號碼：201610973400
技術研發日：2016.11.04
技術公布日：2017.03.15