1.一種具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：包括在金屬關節頭表面自下而上依次沉積的鋯底層及納米多層結構，所述納米多層結構為鋯-氮化鋯-碳多層結構；
所述納米多層結構包括多個重復單元，每個所述重復單元自下而上依次包括氮化鋯單層、鋯單層、非晶碳單層及鋯單層。
2.根據權利要求1所述的具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：所述納米多層結構的薄膜的最頂層為非晶碳單層。
3.根據權利要求1或2所述的具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：所述鋯底層的厚度為200-300nm；所述納米多層結構的厚度為1000-2000nm；所述具有納米多層結構的薄膜總厚度為1200-2300nm。
4.根據權利要求3所述的具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：所述鋯單層厚度為5-10nm，為密排六方結構；所述氮化鋯單層厚度為10-30nm，為面心立方結構；所述非晶碳單層厚度為20-55nm，為非晶結構。
5.根據權利要求4所述的具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：所述非晶碳單層的厚度≥鋯單層+氮化鋯單層+鋯單層的厚度之和。
6.根據權利要求1所述的具有新型納米多層結構的薄膜，其特征在于：所述金屬關節頭基體為醫用鈦合金。
7.一種權利要求1至6中任一項具有新型納米多層結構的薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)將金屬關節頭置放于旋轉工作臺的樣品臺上，在旋轉工作臺的外圍放有一個鋯靶和一個石墨靶，調整靶材與金屬關節頭的間距至10cm左右；
2)將工作臺的腔體抽真空至1-4×10-3Pa，隨后通入濺射氣氛氬氣，流量控制在25-45sccm，使工作氣壓控制在0.2-0.4Pa；
3)金屬關節頭偏壓保持在-400V--600V，靶材自清洗5min，清洗金屬關節頭20-30min；
4)將所述偏壓保持在-80V--150V，采用3-4A的鋯靶電流在基體上沉積鋯底層，總沉積時間為8-12min；
5)所述偏壓保持不變，鋯靶電流保持為3A，碳靶電流保持為3-4A，交替沉積氮化鋯單層、鋯單層、非晶碳單層及鋯單層；非晶碳單層由石墨靶沉積而成；鋯單層和氮化鋯單層由鋯靶沉積而成；鋯單層是在氬氣氣氛中沉積而成；沉積完鋯單層后向腔體中引入10sccm的氮氣，在氮氣及氬氣混合氣氛中沉積氮化鋯單層；在沉積完氮化鋯單層后，停止氮氣的引入，沉積鋯單層；
6)鍍膜完畢，待冷卻后放氣，取出金屬關節頭。
8.根據權利要求7所述的具有新型納米多層結構的薄膜的制備方法，其特征在于：非晶碳單層的沉積時間為120s-300s，鋯單層沉積時間為15s-30s，氮化鋯單層沉積時間為40-120s，總沉積時間為80-160min。
9.根據權利要求7所述的具有新型納米多層結構的薄膜的制備方法，其特征在于：在沉積過程中，工作臺的轉速為4-6轉/分鐘，所述樣品臺的轉速為8-12轉/分鐘。