技術總結
本發明公開了一種提高鈦鎳基形狀記憶合金阻尼性能的氫注入工藝。所述的氫注入工藝簡便安全，能夠有效精準地將氫離子注入到鈦鎳基形狀記憶合金中，準確控制鈦鎳基形狀記憶合金中的氫含量穩定在15ppm～100ppm，得到的氫離子注入鈦鎳基形狀記憶合金的阻尼系數最高可達0.12以上，較常規鈦鎳記憶合金的阻尼系數提高2倍以上。本發明的充氫工藝制得的鈦鎳基形狀記憶合金可用于加工各類被動阻尼器件，在軍工、航天航空、汽車、建筑等領域具有巨大的應用潛力。

技術研發人員：金明江
受保護的技術使用者：嘉興市納川真空科技有限公司
文檔號碼：201611127410
技術研發日：2016.12.09
技術公布日：2017.03.22