1.一種濺射裝置，包括：
工藝腔室；
濺射靶，被設(shè)置于所述工藝腔室的內(nèi)部；
基板架，與所述濺射靶相對(duì)配置，用于支撐待沉積濺射靶物質(zhì)的基板；以及
濺射靶驅(qū)動(dòng)部，以使所述濺射靶傾斜的方式旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)所述濺射靶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
具備多個(gè)所述濺射靶，
所述濺射靶驅(qū)動(dòng)部能夠?qū)Χ鄠€(gè)所述濺射靶中的每一個(gè)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，以使多個(gè)所述濺射靶中的每一個(gè)分別傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶形成為具有平面的桿形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶驅(qū)動(dòng)部包括用于旋轉(zhuǎn)所述濺射靶的電動(dòng)機(jī)，
所述電動(dòng)機(jī)以沿與所述濺射靶的長(zhǎng)度方向平行的方向延伸的軸為中心旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)所述濺射靶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶以25rpm至35rpm的速度旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶在30度至45度的角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶通過靶架來支撐，所述靶架與第一電極連接，
所述基板架與第二電極連接，
通過對(duì)所述第一電極和所述第二電極施加極性相反的電壓，從而在所述工藝腔室的內(nèi)部形成等離子體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
在所述濺射靶的下部進(jìn)一步包括磁體，所述磁體用于將形成于所述工藝腔室的內(nèi)部的等離子體維持在所述濺射靶的上部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
進(jìn)一步包括沉積掩模，所述沉積掩模被配置在所述濺射靶與被支撐在所述基板架的基板之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中，
所述濺射靶和被支撐在所述基板架的基板被配置為以140mm至160mm的間隔相隔。