技術特征：

1.一種SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，包括：

將SiO₂分散到無水乙醇中超聲10～60min，然后加入敏化液，于室溫反應10～120min后，再進行離心和洗滌，得到敏化后的SiO₂；

將所述敏化后的SiO₂分散在去離子水中并超聲10～60min，然后置于活化液[Ag(NH₃)₂]OH·XH₂O溶液中進行活化，于室溫反應10～90min，再經過離心分離，得到表面含有納米銀晶種的二氧化硅粒子；

將所述表面含有納米銀晶種的二氧化硅粒子分散在鍍銀液中，升溫至25～80℃，然后滴加還原液，繼續反應60～300min，經離心、洗滌、真空干燥得到SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子。

2.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述鍍銀液的制備方法為：將硝酸銀溶于去離子水中，滴加濃氨水出現棕色沉淀，繼續滴加直至溶液顏色變為澄清為止，然后加入NaOH溶液，出現黑色沉淀，繼續滴加所述濃氨水直至溶液變澄清為止。

3.根據權利要求2所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述鍍銀液中的硝酸銀的濃度為0.1～2.0mol/L，所述鍍銀液中的硝酸銀與所述SiO₂的質量比為1:15～1:5，采用所述NaOH溶液將所述鍍銀液的pH值調整為10-11。

4.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述SiO₂的粒徑在10nm～100μm之間，所述SiO₂的表面羥基的含量在0.2％～8％之間。

5.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述敏化液選自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-巰丙基三甲氧基硅烷、巰基乙酸、氯化亞錫及二氯化鈀中的至少一種，其中，所述敏化液的濃度為0.01～10.0mol/L，所述敏化液與所述SiO₂的質量比為1：10～1：3。

6.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述活化液[Ag(NH₃)₂]OH·XH₂O溶液的濃度為0.1～1.5mol/L，所述活化液[Ag(NH₃)₂]OH·XH₂O溶液所對應的硝酸銀與所述SiO₂的質量比為1:15～1:3。

7.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述還原液選自甲醛、水合肼、纖維素、PVP、葡萄糖及酒石酸鉀鈉中的至少一種，所述還原液與所述鍍銀液中硝酸銀的質量比為12:1～3:1。

8.根據權利要求7所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述還原液為葡萄糖和酒石酸鉀鈉的混合液，所述葡萄糖與所述酒石酸鉀鈉的質量比為15:1～5:1。

9.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，所述表面含有納米銀晶種的二氧化硅粒子的表層納米銀晶種的粒徑大小為10～30nm，所述納米銀晶種形成的銀殼層的厚度為15～80nm。

10.根據權利要求1所述的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，其特征在于，在將所述表面含有納米銀晶種的二氧化硅粒子分散在鍍銀液中后，還包括添加PVP的步驟，所述PVP與鍍銀液中硝酸銀的質量比為1:3～1:6。

11.一種根據權利要求1-10任意一項權利要求所述的制備方法獲得的SiO₂@Ag核殼結構復合導電粒子。