技術總結
一種SiO2@Ag核殼結構復合導電粒子的制備方法，包括：將SiO2分散到無水乙醇中超聲10～60min，然后加入敏化液，于室溫反應10～120min后，再進行離心和洗滌，得到敏化后的SiO2；將敏化后的SiO2分散在去離子水中并超聲10～60min，然后置于活化液[Ag(NH3)2]OH·XH2O溶液中進行活化，于室溫反應10～90min，再經過離心分離，得到表面含有納米銀晶種的二氧化硅粒子；將二氧化硅粒子分散在鍍銀液中，升溫至25～80℃，然后滴加還原液，繼續反應60～300min，經離心、洗滌、真空干燥得到SiO2@Ag核殼結構復合導電粒子。上述復合導電粒子導電性高且生產成本低。

技術研發人員：孫蓉;張保坦;李金澤;朱朋莉;趙濤
受保護的技術使用者：中國科學院深圳先進技術研究院
文檔號碼：201611151274
技術研發日：2016.12.14
技術公布日：2017.05.31