1.一種在用于處理半導體襯底的沉積設備中有用的噴頭的面板，所述面板具有氣孔的不對稱氣孔圖案，其中所述氣孔沿著曲線間隔開，所述曲線在所述面板的中心向外處相交，所述氣孔圖案具有延伸穿過所述面板的非徑向和非同心分布的氣孔。
2.根據權利要求1所述的面板，其中所述氣孔位于所述曲線的相交處，其中所述曲線圍繞所述面板的中心沿順時針和逆時針方向向外延伸，順時針線在沿逆時針線的單個位置處與所述逆時針線相交。
3.根據權利要求1所述的面板，其中，所述面板包括容納所述氣孔的底壁、從所述底壁的外周向上延伸的側壁、從所述側壁的上端向內延伸的頂壁、以及從所述底壁的上表面向上延伸的可選的柱，所述柱成錐形且在所述底壁的上表面處直徑較小。
4.根據權利要求1所述的面板，其中氣孔位于所述面板的中心。
5.根據權利要求2所述的面板，其中(a)沿順時針曲線定位的相鄰氣孔之間的距離大約等于沿逆時針曲線定位的相鄰氣孔之間的距離，或者(b)氣孔的順時針曲線的總數和氣孔的逆時針曲線的總數是斐波那契序列的連續成員。
6.根據權利要求2所述的面板，其中(a)氣孔的順時針曲線的總數與氣孔的逆時針曲線的總數的比接近黃金比(1.6180)或(b)氣孔的逆時針曲線的總數對孔的順時針曲線的總數的比接近黃金比率(1.6180)。
7.根據權利要求2所述的面板，其中(a)在所述氣孔圖案的外周處具有少于100個的氣孔的逆時針曲線和至少140個的氣孔的順時針曲線，或者(b)在氣孔圖案的外周處具有少于100個的氣孔的順時針曲線和至少140個的氣孔的逆時針曲線。
8.根據權利要求2所述的面板，其中(a)所述氣孔以伏格爾模式布置或(b)每個所述氣孔具有約0.04英寸的直徑。
9.一種用于處理襯底的沉積設備，所述沉積設備包括：
真空室，其包括其中可以處理襯底的處理區；
與所述真空室流體連通的至少一個氣體源，所述至少一個氣體源可操作以在處理期間將工藝氣體供應到所述真空室中；
包括如權利要求1所述的面板和背板的噴頭組件，所述背板包括與所述至少一個氣體源流體連通的至少一個氣體入口，所述面板中的所述氣孔在處理期間將所述工藝氣體分配到所述真空室中；和
襯底基座組件，其被配置為當在所述沉積設備中處理襯底時將所述襯底支撐在其上表面上。
10.根據權利要求9所述的沉積設備，其中
所述噴頭組件還包括桿，其中所述背板從所述桿的下端橫向向外延伸，所述桿具有至少一個垂直延伸穿過其中的氣體通道，所述氣體通道與所述至少一個氣體源流體連通。