1.一種Ti-Ag-N納米復(fù)合涂層，其特征在于：按離基體的遠(yuǎn)近區(qū)分，從內(nèi)到外依次包括：在基體表面Ti膜形成的過渡層、TiN膜形成的中間層和Ti-Ag-N層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti-Ag-N納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)鍍過渡層：采用純鈦靶，當(dāng)真空室內(nèi)真空度達(dá)到2×10-3Pa～4×10-2Pa時，對真空室加熱至300～500℃；向真空室通入氬氣，設(shè)定所需的氣體流量為30～300sccm，氣壓控制在0.5～2Pa之間；基體加脈沖負(fù)偏壓在-500～-1000V范圍，使氣體發(fā)生輝光放電，對樣品進(jìn)行輝光清洗10～60min；調(diào)整氬氣流量，使真空室氣壓為0.1～1.0Pa，同時開啟鈦靶弧源，弧電流為60～150A，對樣工件繼續(xù)進(jìn)行Ti離子轟擊1～20min；調(diào)脈沖負(fù)偏壓至-100V～-600V，沉積Ti膜即過渡層1～10min；
(2)鍍TiN層：采用純鈦靶，停氬氣，通氮氣，設(shè)定氣壓為0.2～2Pa范圍；對基體施加脈沖負(fù)偏壓-100V～-600V；調(diào)節(jié)靶電流為50～150A，沉積時間為1～20min；
(3)鍍Ti-Ag-N層：停氬氣，通氮氣，氮氣流量控制在10～200sccm，設(shè)定氣壓為0.2～3Pa范圍；對基體施加脈沖負(fù)偏壓-100V～-600V；調(diào)制靶電流為60～200A，沉積時間為20～300min；
(4)沉積結(jié)束后，迅速停弧、停基體脈沖負(fù)偏壓、停止通入氣體，繼續(xù)抽真空，工件隨爐冷卻至100℃以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Ti-Ag-N納米復(fù)合涂層的制備方法，在所使用的鈦銀合金靶的靶材中，銀的含量為5-40％。