1.一種等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于：
處理腔室，所述處理腔室具有蓋組件和噴淋頭；以及
RF發生器，所述RF發生器可操作以通過所述蓋組件將10kW或更大的功率提供至所述噴淋頭，
其中，所述RF發生器緊鄰所述蓋組件而設置。
2.根據權利要求1所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述噴淋頭電耦接到所述蓋組件，并且其中，所述RF發生器設置在所述蓋組件上。
3.根據權利要求2所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡耦接在所述RF發生器與所述處理腔室之間，并且可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至所述處理腔室的輸入阻抗。
4.根據權利要求3所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件內。
5.根據權利要求3所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件下方。
6.根據權利要求1所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述噴淋頭電耦接到所述蓋組件，并且其中，所述RF發生器設置在所述蓋組件上方。
7.根據權利要求6所述的等離子體增強化學氣相沉積系統，其特征在于，所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡電耦接在所述RF發生器與所 述處理腔室之間，并且可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至所述處理腔室的輸入阻抗，并且
其中，所述匹配網絡設置在所述RF發生器與所述蓋組件之間。
8.一種處理腔室蓋設備，其特征在于：
蓋組件，所述蓋組件可電耦接到噴淋頭；以及
RF發生器，所述RF發生器可操作以經由所述蓋組件將10kW或更大的功率提供至所述噴淋頭，
其中，所述RF發生器緊鄰所述蓋組件而設置。
9.根據權利要求8所述的設備，其特征在于，所述RF發生器設置在所述蓋組件上。
10.根據權利要求9所述的設備，其特征在于，所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡電耦接在所述RF發生器與蓋耦接件之間，并且
其中，所述RF匹配網絡可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至處理腔室的輸入阻抗。
11.根據權利要求10所述的設備，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件的蓋板內。
12.根據權利要求10所述的設備，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件的蓋板下方。
13.根據權利要求8所述的設備，其特征在于，所述RF發生器設置在所述蓋組件的上方。
14.根據權利要求13所述的設備，其特征在于，所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡電耦接在所述RF發生器與蓋耦接件之間，
其中，所述RF匹配網絡可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至處理腔室的輸入阻抗，并且
其中，所述匹配網絡設置在所述RF發生器與所述蓋組件的蓋板之間。
15.一種包括用于等離子體處理的處理腔室的系統，所述處理腔室具有蓋組件和噴淋頭，所述系統的特征在于：RF發生器，所述RF發生器可操作以通過所述蓋組件將10kW或更大的功率提供至所述噴淋頭，其中，所述RF發生器緊鄰所述蓋組件而設置。
16.根據權利要求15所述的系統，其特征在于，所述噴淋頭電耦接到所述蓋組件，并且其中，所述RF發生器設置在所述蓋組件上。
17.根據權利要求16所述的系統，其特征在于，所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡耦接在所述RF發生器與所述處理腔室之間，并且可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至所述處理腔室的輸入阻抗。
18.根據權利要求17所述的系統，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件內。
19.根據權利要求17所述的系統，其特征在于，所述匹配網絡設置在所述蓋組件下方。
20.根據權利要求15所述的系統，其特征在于，所述噴淋頭電耦接到所述蓋組件，所述RF發生器設置在所述蓋組件上方，并且所述蓋組件包括RF匹配網絡，所述RF匹配網絡電耦接在所述RF發生器與所述處理腔室之間，并且可操作以使所述RF發生器的輸出阻抗匹配至所述處理腔室的輸入阻抗，并且
其中，所述匹配網絡設置在所述RF發生器與所述蓋組件之間。