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一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥的制作方法

文檔序號:11974923閱讀:421來源:國知局
一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥的制作方法與工藝

本技術涉及磁控濺射鍍膜領域,提供一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥,用于在柔性、卷繞式、連續型磁控濺射鍍膜作業過程中卷繞基帶,并在卷繞基帶時對基帶在幅寬方向上抻平。



背景技術:

柔性、卷繞式、連續型磁控濺射鍍膜中使用的原膜基帶厚度在微米級,長度約千米及以上。由于牽引力的作用,及柔性原膜基帶自身應力作用,柔性原膜基帶幅寬方向表面呈現不平整狀態。受到這種因素的影響,磁控濺射鍍膜時的沉積厚度將發生變化,影響到沉積薄膜的光電性能指標,嚴重影響產品質量。



技術實現要素:

本技術的目的是提供一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥,用于在柔性、卷繞式、連續型磁控濺射鍍膜作業過程中卷繞基材,并在卷繞基材時對基帶在幅寬方向上抻平。

本技術的目的是通過以下技術方案實現:

一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥,包括輥軸,輥軸由硬質材料制成;輥軸呈兩端細中間粗的鼓形;輥軸外表面中截面圓的直徑大于輥軸外表面端面圓的直徑;在輥軸外表面上還設置有關于輥軸中截面對稱的螺旋凹槽。

本技術的有益效果是:

使用時,原膜基帶沿輥軸轉動方向導入輥軸,在輥軸轉動時,原膜基帶卷繞在輥軸上。在卷繞過程中,輥軸對于原膜基帶產生壓力,由于輥軸為中部外凸的腰鼓形結構,原膜基帶在輥軸中截面的兩側各點受到的輥軸壓力的分力可沿該點的切線方向遠離中截面,顯然,原膜基帶關于中截面對稱的兩點受到的該分力關于中截面對稱。另外,在輥軸上開設的螺旋凹槽,靠近中截面一側槽壁的高度高于螺旋凹槽另一槽壁的高度;關于輥軸中截面對稱的螺旋凹槽靠近中截面的槽壁在中截面的兩側分別對原膜基帶產生方向遠離中截面的摩擦力,該摩擦力的一個分力在原膜基帶與輥軸的交線上方向垂直并遠離輥軸中截面,顯然,在原膜基帶與輥軸的交線上原膜基帶關于輥軸中截面對稱的兩點受到的該分力關于中截面對稱。上述兩個分力共同作用,可以克服輥軸與原膜基帶間的靜摩擦力、相鄰兩層原膜基帶間的靜摩擦力將原膜基帶向輥軸兩端拉伸,即將原膜基帶在幅寬方向上抻平。

作為對本技術的改進,制成輥軸的硬質材料可以為不銹鋼。制成輥軸的硬質材料也可以為硬質塑料。

上述改進,在保證輥軸足夠強度的同時,避免輥軸銹蝕,加強對于原膜基帶的產品防護作用。

作為對本技術的進一步改進,輥軸的長度為1790mm-1810mm,輥軸外表面中截面圓的直徑大于輥軸外表面端面圓的直徑0.5 mm -1.5 mm。

這種改進,可保證輥軸母線具有與原膜基帶彈性形變相適應的曲率,保證輥軸對于原膜基帶在幅寬方向上具有良好的抻平效果,避免因兩直徑相差較大帶來原膜基帶形變過大而影響卷繞效果及產品質量,也可避免因兩直徑相差較小而使抻平作用不明顯。

作為對本技術的進一步改進,螺旋凹槽的螺距為45 mm -55 mm;螺旋凹槽槽口寬0.5mm-1.5mm,螺旋凹槽槽深0.15mm-0.25mm。

這種改進,在保證抻平效果的同時,避免因螺旋凹槽槽口寬過大、槽深過深而使原膜基帶內陷帶來原膜基帶形變過大,又避免因螺旋凹槽槽口寬過小、槽深過淺而使螺旋凹槽對原膜基帶的抻平作用不明顯。

作為對本技術的另一種改進,輥軸為主動輥軸。

附圖說明

圖1是一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥的結構示意圖;

圖2是一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥的外形示意圖;

圖3是輥軸中截面右側的螺旋凹槽的剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖,對本技術作進一步說明:

參見圖1、圖2所示的一種磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥,包括輥軸1,輥軸1由硬質材料制成;輥軸1外表面的中部外凸的母線為圓??;輥軸1外表面中截面圓的直徑大于輥軸1外表面端面圓的直徑;在輥軸1外表面上還設置有關于輥軸中截面對稱的螺旋凹槽2,位于輥軸1中截面左側的螺旋凹槽左旋,位于輥軸1中截面右側的螺旋凹槽右旋;輥軸1的旋轉方向右旋。

為保證輥軸1具有的足夠強度,避免輥軸銹蝕,加強對于原膜基帶的產品防護作用,制成輥軸1的材料可以選用不銹鋼或硬質塑料,本案中,制成輥軸1的材料選用不銹鋼。

從外形上說,輥軸1為中部外凸的腰鼓形結構,關于其中截面101對稱。事實上,中截面圓102的直徑大于兩端的端面圓103的直徑,經驗參數,選取在輥軸的長度為1790mm-1810mm的情況下,中截面圓102的直徑大于端面圓103的直徑取值范圍為0.5 mm -1.5 mm,本案中,中截面圓102的直徑大于端面圓103的直徑1mm。關于輥軸1的長度,以取值1800mm為宜。

在輥軸1外表面上還開設有關于輥軸1中截面101對稱的螺旋凹槽2,位于輥軸1中截面101左側的左螺旋凹槽201左旋,位于輥軸1中截面101右側的右螺旋凹槽202右旋。顯然,左螺旋凹槽201和右螺旋凹槽202僅有旋向的不同。

左螺旋凹槽201和右螺旋凹槽202的連接處光滑過渡。

左螺旋凹槽201和右螺旋凹槽202的螺距皆為45 mm -55 mm,最好為50mm。

又參見圖3所示,右螺旋凹槽202槽口寬0.5mm-1.5mm,最好為1mm;右螺旋凹槽202槽深0.15mm-0.25mm,最好為0.2mm。具體實施時,右螺旋凹槽202槽形在其橫截面上呈圓弧,顯然,圓弧的弧度小于π。這種結構的螺旋凹槽便于使用球頭銑刀加工,提高加工工藝性。

又由于輥軸1為中部外凸的腰鼓形結構,故右螺旋凹槽202的左槽壁20201高于右螺旋凹槽202的右槽壁20202。

在輥軸1的兩端分別有外伸的轉軸以將輥軸1與磁控濺射鍍膜設備轉動連接。圖中,轉軸未示出。

在上述磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥工作時,輥軸為主動輥軸,輥軸的旋轉方向右旋(參見圖2中的箭頭)。

使用時,將上述磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥轉動設置在磁控濺射鍍膜設備上,設定輥軸為主動輥軸,使輥軸的旋轉方向右旋。

原膜基帶沿輥軸轉動方向導入輥軸,在輥軸轉動時,原膜基帶卷繞在輥軸上。在卷繞過程中,輥軸對于原膜基帶產生壓力,由于輥軸為中部外凸的腰鼓形結構,原膜基帶在中截面的兩側各點受到的輥軸壓力的分力可沿該點的切線方向遠離中截面,顯然,原膜基帶關于中截面對稱的兩點受到的該分力關于中截面對稱。另外,在輥軸上開設的螺旋凹槽,靠近中截面一側槽壁的高度高于螺旋凹槽另一槽壁的高度;又,輥軸旋轉方向為右旋轉動卷繞原膜基帶過程中,在原膜基帶與輥軸的交線上,相當于螺旋凹槽分別相對于中截面等距離外移,故此,關于輥軸中截面對稱的螺旋凹槽靠近中截面的槽壁在中截面的兩側分別對原膜基帶產生方向遠離中截面的摩擦力,該摩擦力的一個分力在原膜基帶與輥軸的交線上方向垂直并遠離中截面,顯然,在原膜基帶與輥軸的交線上原膜基帶關于中截面對稱的兩點受到的該分力關于中截面對稱。上述兩個分力共同作用,可以克服輥軸與原膜基帶間的靜摩擦力、相鄰兩層原膜基帶間的靜摩擦力將原膜基帶向輥軸兩端拉伸,即將原膜基帶在幅寬方向上抻平。

本技術的有益效果是:

上述結構簡單的磁控濺射鍍膜原膜基帶卷繞抻平輥在使用時,作為卷繞原膜基帶的基體的同時,對于原膜基帶在幅寬方向上抻平,防止原膜基帶在磁控濺射鍍膜卷繞過程中產生皺褶,減輕,或防止表面鍍膜不均勻的狀況的發生。

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