本實用新型涉及太陽能光伏技術領域，尤其涉及一種適用于板式PECVD的石墨框及承載裝置。

背景技術：

太陽能電池的制備過程中，一般需要對硅片發射結面進行鍍減反射膜的步驟，氮化硅薄膜作為晶體硅太陽能電池的光學減反射膜，同時也起到表面鈍化和體內鈍化的作用，以提高太陽能電池的轉換效率。現有技術中，制備氮化硅薄膜一般采用的是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法，在采用PECVD設備制備氮化硅薄膜的過程中，需要使用一種承載硅片的承載裝置，而該承載裝置一般包括多個陣列排布的石墨框。傳統的石墨框，如圖1、2所示，其包括內部中空且呈方形的石墨邊框1，所述石墨邊框1的內側在其中一對相對的內側壁分別間隔設置有兩個掛鉤3，硅片2則通過兩側的四個掛鉤3進行支撐，這時，硅片2的側邊與石墨邊框1的內側壁之間具有較大的間隙4，因而板式PECVD鍍膜后會出現背面繞射的情況，這會造成背面鋁漿脫落，從而造成嚴重的品質問題；另外由于背面繞射的SiNx膜含有大量雜質，會造成電池片漏電，影響電池片性能。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提出一種適用于板式PECVD的石墨框及承載裝置，能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現象。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一方面，本實用新型提供一種適用于板式PECVD的石墨框，包括內部中空且呈方形的石墨邊框，

所述石墨邊框的至少一對相對的邊框的內側中部均設置有掛鉤，

所述石墨邊框的四個邊框內側均沿對應邊框的長度方向均設置有石墨擋板，所述石墨擋板的底端向所述石墨邊框的內部傾斜設置；

多個所述石墨擋板在所述石墨邊框的內側圍成上大下小的錐形結構，該錐形結構的底面開口略大于硅片的尺寸；

承載硅片時，所述硅片的至少一對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤上，且所述錐形結構位于所述硅片的上方。

其中，所述石墨邊框的兩對相對的邊框的內側中部均設置有所述掛鉤，承載硅片時，所述硅片的兩對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤上。

其中，所述石墨擋板的厚度為1～3mm。

其中，所述石墨擋板與對應側的所述邊框的內側之間的夾角為21.8°～24.25°。

其中，所述石墨擋板與對應側的所述邊框的內側之間的夾角為22.5°。

其中，所述錐形結構的底面至所述掛鉤的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.2～0.4mm。

其中，所述錐形結構的底面為正方形。

其中，所述錐形結構的底面的邊長為156.2～156.4mm。

另一方面，本實用新型還提供一種適用于板式PECVD的承載裝置，包括陣列排布的多個所述石墨框。

其中，相鄰兩個所述石墨框中，背對背的兩個所述邊框的所述掛鉤背對背設置，背對背設置的兩個所述掛鉤通過掛鉤連接桿連接形成一體式掛鉤結構，背對背的兩個所述邊框的頂部設置有一掛鉤固定夾，所述一體式掛鉤結構的一個所述掛鉤的頂端與所述掛鉤固定夾的一端連接，所述一體式掛鉤結構的另一個所述掛鉤的頂端與所述掛鉤固定夾的另一端連接。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型的石墨框和承載裝置，通過在石墨邊框的內部設置石墨擋板，而石墨擋板形成上大下小的一體式的錐形結構，使得錐形結構與石墨邊框無縫結合，且錐形結構的底面開口小于硅片的尺寸；進一步地，通過在石墨邊框的至少一對相對的邊框的內側中部均設置掛鉤，因而在承載硅片時，所述硅片的至少一對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤上，這就使得硅片的至少一對相對的側邊均勻受力且支撐穩定，避免造成工藝腔內掉片，保證鍍膜效果；而且錐形結構位于硅片的上方，從而起到阻擋的作用，能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現象。

附圖說明

圖1是現有技術中的石墨框的俯視結構示意圖。

圖2是圖1中的石墨框的側視結構示意圖。

圖3是本實用新型的石墨框的俯視結構示意圖。

圖4是圖3中的石墨邊框的俯視結構示意圖。

圖5是圖3中的石墨框的前視結構示意圖。

圖6是圖3中的石墨框的左視結構示意圖。

圖7是圖3中的石墨邊框的后側的邊框與掛鉤、石墨擋板連接后的前視結構示意圖。

圖8是本實用新型的承載裝置的俯視結構示意圖。

圖9是圖8中的相鄰兩個石墨框的掛鉤和石墨擋板的安裝結構示意圖。

圖中：1-石墨邊框；2-硅片；3-掛鉤；4-間隙；5-石墨擋板；6-掛鉤連接桿；7-掛鉤固定夾；10-石墨框。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。

如圖3至7所示，一種適用于板式PECVD的石墨框10，包括內部中空且呈方形的石墨邊框1，所述石墨邊框1的至少一對相對的邊框的內側中部均設置有掛鉤3，所述石墨邊框1的四個邊框內側均沿對應邊框的長度方向均設置有石墨擋板5，所述石墨擋板5的底端向所述石墨邊框1的內部傾斜設置；多個所述石墨擋板5在所述石墨邊框1的內側圍成上大下小的錐形結構，該錐形結構的底面開口略大于硅片的尺寸；

承載硅片2時，所述硅片2的至少一對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤3上，且所述錐形結構位于所述硅片2的上方。

本實用新型的石墨框和承載裝置，通過在石墨邊框1的內部設置石墨擋板5，而石墨擋板5形成上大下小的一體式的錐形結構，使得錐形結構與石墨邊框1無縫結合，且錐形結構的底面開口小于硅片2的尺寸；進一步地，通過在石墨邊框1的至少一對相對的邊框的內側中部均設置掛鉤3，因而在承載硅片2時，所述硅片2的至少一對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤3上，這就使得硅片2的至少一對相對的側邊均勻受力且支撐穩定，避免造成工藝腔內掉片，保證鍍膜效果；而且錐形結構位于硅片的上方，從而起到阻擋的作用，有效規避了現有技術中存在的間隙4的存在，因而能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現象。

作為一種優選實施方式，所述石墨邊框1的其中一對相對的邊框的內側中部均設置有掛鉤3，這時，這一對相對的邊框中的每一個邊框的內側中部間隔設置有至少2個所述掛鉤；優選的，每個邊框的內側設置有2個所述掛鉤，且這兩個掛鉤3間隔設置，因而在支撐硅片時，兩個邊框的4個掛鉤3可以在硅片的兩側的四個點位支撐硅片，支撐穩定。

作為另一種優選實施方式，所述石墨邊框1的兩對相對的邊框的內側中部均設置有所述掛鉤3，承載硅片2時，所述硅片2的兩對相對的側邊分別掛設在對應側的所述掛鉤3上。這時，兩對相對的邊框中的每一個邊框的內側中部均設置有1個所述掛鉤，也就是說，石墨邊框1的四個邊框的內側均設置1個掛鉤3，因而在承載硅片2時，四個邊框的4個掛鉤分別在硅片的四個側邊支撐硅片，因而即使掛鉤在使用中稍有變形，也不會因為硅片的某些側邊沒有支撐而掉片，支撐更穩定，從而保證鍍膜效果。

優選的，所述石墨擋板5的厚度為1～3mm。進一步優選的，所述石墨擋板5的厚度為2mm。

優選的，所述石墨擋板5與對應側的所述邊框的內側之間的夾角α為21.8°～24.25°。進一步優選的，所述石墨擋板5與對應側的所述邊框的內側之間的夾角α為22.5°。

優選的，所述錐形結構的底面至所述掛鉤3的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.2～0.4mm。進一步優選的，所述錐形結構的底面至所述掛鉤3的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.3mm。

特別地，在本實施例中，所述錐形結構的底面為正方形。且所述錐形結構的底面的邊長為156.2～156.4mm，在本實施例中，對應的硅片2的尺寸為156*156mm，錐形結構的底面的邊長略小于硅片的尺寸，則方便硅片2放于掛鉤3上。

如圖8、9所示，一種適用于板式PECVD的承載裝置，包括陣列排布的多個所述石墨框10。其中，相鄰兩個所述石墨框10中，背對背的兩個所述邊框的所述掛鉤3背對背設置，背對背設置的兩個所述掛鉤3通過掛鉤連接桿6連接形成一體式掛鉤結構，背對背的兩個所述邊框的頂部設置有一掛鉤固定夾7，所述一體式掛鉤結構的一個所述掛鉤3的頂端與所述掛鉤固定夾7的一端連接，所述一體式掛鉤結構的另一個所述掛鉤3的頂端與所述掛鉤固定夾7的另一端連接。

以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制。基于此處的解釋，本領域的技術人員不需要付出創造性的勞動即可聯想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內。