本實用新型涉及電弧離子鍍技術領域，尤其涉及一種電弧離子鍍設備的雙靶結構。

背景技術：

真空涂層設備中，由于空間的限制，常規(guī)的涂層設備均采用兩列平行的蒸發(fā)源結構，一列蒸發(fā)源用來裝轟擊及打底層的靶材，比如Ti靶或Cr靶，另一列裝需要涂層的靶材，比如TiAl或CrAl靶材，這樣會限制了涂層種類，一般只能涂一種復合膜，同時由于涂層階段只有一列靶工作，涂層效率較低。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種電弧離子鍍設備的雙靶結構。在真空涂層設備中，采用獨特的雙靶結構，可以增加涂層種類，提高涂層效率，相同功能下降低涂層設備的造價。

為了達到上述目的，本實用新型提供的一種電弧離子鍍設備的雙靶結構。在一個蒸發(fā)源法蘭設置兩個靶位，在兩個靶位中間，設置一臺弧電源，即同一個蒸發(fā)源共用一臺弧電源。

優(yōu)選的，每個靶位上裝配平行的兩列靶材位，即可同時裝配4列平行的靶材位。

優(yōu)選的，除了打底和轟擊靶材位以外，剩余三列靶材位中的兩列裝相同的涂層靶材。

優(yōu)選的，除了打底和轟擊靶材位以外，剩余三列靶材位裝不同的靶材。

有益效果：涂層相同的涂層厚度，比如涂層厚度3微米，涂層時候從360min縮短到200min；可以擴展涂層種類，復合膜從2種材料擴展到4種材料；可以減少更換靶材的時間，提高工作效率。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種電弧離子鍍設備的雙靶結構圖。

具體實施方式

為使本實用新型解決的技術問題、采用的技術方案和達到的技術效果更加清楚，下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關的部分而非全部內容。

請參照圖1，本實施例的電弧離子鍍設備的雙靶結構，在一個蒸發(fā)源法蘭1設置兩個靶位2，在兩個靶位2中間，設置一臺弧電源3，即同一個蒸發(fā)源共用一臺弧電源3。

每個靶位2上裝配平行的兩列靶材位，即可同時裝配4列平行的靶材位。

除了打底和轟擊靶材位以外，剩余三列靶材位中的兩列裝相同的涂層靶材，例如TiAl靶材，這樣可以有效地提高涂層效率。

除了打底和轟擊靶材位以外，剩余三列靶材位裝不同的靶材。除了打底和轟擊靶材以外，剩余3列靶材位，也可以裝3種不同的靶材，可以擴展涂層的種類。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的范圍。