本實(shí)用新型涉及一種清洗基片裝置，具體地說本實(shí)用新型涉及一種電弧離子源清洗基片裝置。

背景技術(shù)：

公知的，現(xiàn)有的電弧離子源基片的清洗裝置主要采用空心陰極或考夫曼離子源等進(jìn)行清洗，但是空心陰極工作面積小，生產(chǎn)成本較高；由于考夫曼離子源是應(yīng)用較早的離子源，雖然這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強(qiáng)，離子能量帶寬集中，可廣泛應(yīng)用于真空鍍膜中，但是燈絲的消耗會(huì)對(duì)基片帶來污染，而使用氧氣和反應(yīng)氣體時(shí)，兼容性差，燈絲壽命和穩(wěn)定性會(huì)大大下降，同時(shí)產(chǎn)生的C、F沉積構(gòu)成的絕緣層會(huì)導(dǎo)致離子源不能正常工作，且工作氣壓與鍍膜氣壓不一致。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服背景技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型公開了一種電弧離子源清洗基片裝置，通過設(shè)置電弧離子源擋板及偏壓電源，實(shí)現(xiàn)了多弧離子源清洗基片的目的。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種電弧離子源清洗基片裝置，包括真空室、工件架、電弧離子源組件A和電弧離子源組件B，在真空室內(nèi)設(shè)有工件架，在真空室內(nèi)的一側(cè)壁上設(shè)有耐高溫?fù)醢澹谡婵帐业耐獠吭O(shè)有并排間隔設(shè)置的電弧離子源組件A與電弧離子源組件B，在電弧離子源組件A與電弧離子源組件B上均設(shè)有進(jìn)氣口。

所述的電弧離子源清洗基片裝置，在耐高溫?fù)醢宓南虏吭O(shè)有接偏壓電源，在接偏壓電源上設(shè)有電極引入口。

所述的電弧離子源清洗基片裝置，在真空室內(nèi)的工件架放置被清洗基片。

由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)越性：

本實(shí)用新型所述的電弧離子源清洗基片裝置，通過在真空室內(nèi)設(shè)置耐高溫?fù)醢澹谀透邷負(fù)醢宓南虏吭O(shè)置偏壓電源，實(shí)現(xiàn)了清洗能量高、工作穩(wěn)定、使用成本低的有益效果。

【附圖說明】

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

在圖中：1、耐高溫?fù)醢澹?、電弧離子源組件A；3、進(jìn)氣口；4、電弧離子源組件B；5、電極引入口；6、接偏壓電源；7、真空室；8、工件架。

【具體實(shí)施方式】

通過下面的實(shí)施例可以更詳細(xì)的解釋本實(shí)用新型，本實(shí)用新型并不局限于下面的實(shí)施例；

結(jié)合附圖1所述的電弧離子源清洗基片裝置，包括真空室7、工件架8、電弧離子源組件A2和電弧離子源組件B4，在真空室7內(nèi)設(shè)有工件架8，在真空室7內(nèi)的一側(cè)壁上設(shè)有耐高溫?fù)醢?，在真空室7的外部設(shè)有并排間隔設(shè)置的電弧離子源組件A2與電弧離子源組件B4，在電弧離子源組件A2與電弧離子源組件B4上均設(shè)有進(jìn)氣口3。

所述的電弧離子源清洗基片裝置，在耐高溫?fù)醢?的下部設(shè)有接偏壓電源6，在接偏壓電源6上設(shè)有電極引入口5。

所述的電弧離子源清洗基片裝置，在真空室7內(nèi)的工件架8放置被清洗基片。

實(shí)施本實(shí)用新型所述的電弧離子清洗基片裝置，在使用時(shí)，通過進(jìn)氣口3往真空室7中充入工作氣體氬氣，通過電極引入口5給耐高溫?fù)醢?接入偏壓電源6，打開電弧離子源組件A2和電弧離子源組件B4，實(shí)現(xiàn)對(duì)工件架8基片的清洗。

本實(shí)用新型未詳述部分為現(xiàn)有技術(shù)。

為了公開本實(shí)用新型的發(fā)明目的而在本文中選用的實(shí)施例，當(dāng)前認(rèn)為是適宜的，但是，應(yīng)了解的是，本實(shí)用新型旨在包括一切屬于本構(gòu)思和實(shí)用新型范圍內(nèi)的實(shí)施例的所有變化和改進(jìn)。