1.一種掩膜板，其特征在于，包括框架和設(shè)置在所述框架內(nèi)側(cè)的第一掩膜條，其中，
所述框架包括外框和內(nèi)框，所述外框位于外側(cè)且具有第一平面，所述內(nèi)框位于內(nèi)側(cè)且具有第二平面，所述第一平面高于所述第二平面由此形成臺(tái)階；
所述第一掩膜條通過兩端固定在所述外框上且在所述外框內(nèi)沿所述框架的一側(cè)邊延伸，所述第一掩膜條在所述第二平面上的正投影與所述內(nèi)框在所述側(cè)邊至少部分交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一平面和所述第二平面之間的高度差為1-10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一平面和所述第二平面之間的高度差為5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一平面上且與所述第一掩膜條延伸方向垂直的方向上，所述第一掩膜條的主體部分與所述外框之間的距離為0.5mm-2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的掩膜板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述框架內(nèi)側(cè)的第二掩膜條。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜條通過兩端固定在所述外框上且在所述外框內(nèi)沿所述框架的另一側(cè)邊延伸，且所述第二掩膜條在所述第二平面上的正投影與所述內(nèi)框在所述另一側(cè)邊至少部分交疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜條與所述第一掩膜條具有交叉區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜條通過兩端固定在所述外框上且與所述第一掩膜條的中部交叉，將所述框架所包圍的區(qū)域劃分為多個(gè)子區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條的厚度相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條的厚度均為50-100μm。
11.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的掩膜板。
12.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括與所述掩膜板相對(duì)設(shè)置的磁體，其中，所述第一掩膜條具有磁性，所述第一掩膜條可被所述磁體吸附而移動(dòng)。