技術特征：

技術總結
本發明屬于傳感器技術領域，提供一種薄膜傳感器用復合絕緣層及其制備方法，用以克服現有技術中由于絕緣層與敏感功能層熱膨脹系數失配導致功能層高溫附著力差的難題；本發明復合絕緣層由自下而上依次重疊的熱生長Al2O3層和SiAlO成分梯度層組成，沿薄膜生長方向，所述SiAlO成分梯度層的成分中硅含量遞增、同時鋁含量遞減。本發明復合梯度絕緣層的熱膨脹系數可隨成分的漸變而發生漸變，實現與不同敏感功能層材料熱膨脹系數匹配的需要，減小絕緣層與敏感功能層之間因熱膨脹系數失配而產生熱應力，提高薄膜傳感器的附著力；在高溫條件下，可有效保證薄膜傳感器的可靠性和穩定性，降低器件的失效幾率，延長薄膜傳感器的使用壽命。

技術研發人員：蔣洪川;雷康;王洪敏;趙曉輝;蔣書文;張萬里
受保護的技術使用者：電子科技大學
技術研發日：2017.03.09
技術公布日：2017.08.04