技術特征：

技術總結
本發明涉及一種大范圍均勻雙層二硫化鉬薄膜的化學氣相沉積制備方法，包括以下步驟：將生長襯底所在管式爐高溫區的溫度加熱到第一預設溫度并保溫一段時間，生成第一層單晶二硫化鉬薄膜；將溫度升高，在升溫過程中引入少量具有輕微刻蝕作用的氣體，使第一層二硫化鉬薄膜停止生長并修復其表面缺陷；將生長襯底所在高溫區的溫度加熱到第二預設溫度并停止引入刻蝕氣體，保溫一段時間，使第二層單晶二硫化鉬薄膜在第一層薄膜表面生長，其中，第二預設溫度保溫時間大于第一預設溫度保溫時間；最終系統自然降到室溫。本發明通過這種兩階段生長法，可在生長襯底上獲得大范圍均勻雙層二硫化鉬薄膜，具有工藝簡單、成本低、產率高、適合大面積生產等優點。

技術研發人員：張秀梅;肖少慶;戴曉峰;顧曉峰
受保護的技術使用者：江南大學
技術研發日：2017.05.17
技術公布日：2017.10.24