本發明涉及蝕刻液技術領域，具體涉及一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液及其制備工藝。
背景技術：
amoled基板上設置有大量的薄膜、薄層，所以為了防止這些之間發生不希望的電短路，優選將蝕刻后的基板的切斷側面即蝕刻輪廓均等地傾斜，且下方比上方寬，為鈍錐形狀。這是由于蝕刻輪廓為鈍錐形狀的情況下，所形成的2個以上的薄膜層之間的高度差會減少。蝕刻方法具有利用氣體的干式蝕刻和利用蝕刻液的濕式蝕刻，盡管濕式蝕刻具有缺點，但是其工序所需的設備投資費用低，無需將蝕刻環境維持在高真空狀態，對掩模和基板均有優異的蝕刻選擇性?，F有蝕刻液組分復雜，相對主要成分硝酸和氟化銨來說，表面活性劑活性用量較大，生產成本較高；另外，蝕刻液中硝酸和氟化銨濃度較高時，一般非離子表面活性劑難以溶解，無法對蝕刻液的表面張力進行調節，滲透性相對較弱，難以蝕刻入很微小的孔徑。
技術實現要素：
本發明旨在提供了一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液及其制備工藝。
本發明提供如下技術方案：
一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液，其是由如下重量百分比的原料組成：硝酸23-25％、鹽酸11-13％、醋酸7-9％、無機鹽氯化物1.2-1.8％、氟化銨8.5-9.4％、表面活性劑11.2-14.5％、添加劑5-8％和去離子水。
所述表面活性劑為n-烷基葡糖酰胺、聚異丁烯/馬來酸酐衍生物、n-芳氧基多羥基-脂肪酸酰胺中的一種或幾種混合物。
所述無機鹽氯化物為氯化鉀，所述氯化鉀的純度高于95％。
所述添加劑為聚乙二醇單全氟壬烯基醚、全氟己基磺酸聚甘油酯、辛胺、聚甘油全氟壬烯基醚、聚乙二醇全氟壬烯基甲基醚、全氟己基磺酸聚乙二醇酯中的一種或幾種。
所述去離子水在25℃的電阻率至少為22兆歐。
一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液的制備工藝，包括以下步驟：
(1)將強酸性離子交換樹脂分別加入到硝酸、鹽酸和醋酸中，攪拌混合，然后濾出強酸性離子交換樹脂，去除硝酸、鹽酸和醋酸中的雜質離子；
(2)將1/2去離子水加入配料罐中，攪拌下加入上述步驟得到的硝酸、鹽酸和醋酸，混合攪拌均勻后，攪拌下加入無機鹽氯化物和氟化銨混合均勻；
(3)往混勻的混合溶液中加入表面活性劑和添加劑，然后加入剩余的去離子水，攪拌混合均勻；
(4)將上述得到的混合物通入過濾器進行過濾，得到所述蝕刻液。
所述強酸性離子交換樹脂與硝酸、鹽酸和醋酸混合攪拌是在常溫、常壓的狀態下進行，攪拌的速度為60-85r/min，攪拌的時間為10min。
所述攪拌為機械攪拌或者磁力攪拌。
所述過濾的次數大于兩次，所述過濾器的微濾膜孔徑為0.05-0.10μm。
與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明在蝕刻液中加入氟化銨和合適的添加劑，不引入任何金屬離子和陰離子，蝕刻后的氧化層表面無殘留，且能賦予蝕刻液較低的表面張力，增大蝕刻液滲透性；表面活性劑具有高表面活性疏水疏油的性質，與等量的其他表面活性劑相比，能極大的降低溶液的表面張力，因此其用量少，生產成本較低。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
實施例1一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液，其是由如下重量百分比的原料組成：硝酸23％、鹽酸11％、醋酸7％、無機鹽氯化物1.2％、氟化銨8.5％、表面活性劑11.2％、添加劑5％和去離子水。
所述表面活性劑為n-烷基葡糖酰胺、聚異丁烯/馬來酸酐衍生物、n-芳氧基多羥基-脂肪酸酰胺中的一種或幾種混合物。
所述無機鹽氯化物為氯化鉀，所述氯化鉀的純度高于95％。
所述添加劑為聚乙二醇單全氟壬烯基醚、全氟己基磺酸聚甘油酯、辛胺、聚甘油全氟壬烯基醚、聚乙二醇全氟壬烯基甲基醚、全氟己基磺酸聚乙二醇酯中的一種或幾種。
所述去離子水在25℃的電阻率至少為22兆歐。
一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液的制備工藝，包括以下步驟：
(1)將強酸性離子交換樹脂分別加入到硝酸、鹽酸和醋酸中，攪拌混合，然后濾出強酸性離子交換樹脂，去除硝酸、鹽酸和醋酸中的雜質離子；
(2)將1/2去離子水加入配料罐中，攪拌下加入上述步驟得到的硝酸、鹽酸和醋酸，混合攪拌均勻后，攪拌下加入無機鹽氯化物和氟化銨混合均勻；
(3)往混勻的混合溶液中加入表面活性劑和添加劑，然后加入剩余的去離子水，攪拌混合均勻；
(4)將上述得到的混合物通入過濾器進行過濾，得到所述蝕刻液。
所述強酸性離子交換樹脂與硝酸、鹽酸和醋酸混合攪拌是在常溫、常壓的狀態下進行，攪拌的速度為60-85r/min，攪拌的時間為10min。
所述攪拌為機械攪拌或者磁力攪拌。
所述過濾的次數大于兩次，所述過濾器的微濾膜孔徑為0.05-0.10μm。
實施例2一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液，其是由如下重量百分比的原料組成：硝酸25％、鹽酸13％、醋酸9％、無機鹽氯化物1.8％、氟化銨9.4％、表面活性劑14.5％、添加劑8％和去離子水。
所述表面活性劑為n-烷基葡糖酰胺、聚異丁烯/馬來酸酐衍生物、n-芳氧基多羥基-脂肪酸酰胺中的一種或幾種混合物。
所述無機鹽氯化物為氯化鉀，所述氯化鉀的純度高于95％。
所述添加劑為聚乙二醇單全氟壬烯基醚、全氟己基磺酸聚甘油酯、辛胺、聚甘油全氟壬烯基醚、聚乙二醇全氟壬烯基甲基醚、全氟己基磺酸聚乙二醇酯中的一種或幾種。
所述去離子水在25℃的電阻率至少為22兆歐。
一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液的制備工藝，包括以下步驟：
(1)將強酸性離子交換樹脂分別加入到硝酸、鹽酸和醋酸中，攪拌混合，然后濾出強酸性離子交換樹脂，去除硝酸、鹽酸和醋酸中的雜質離子；
(2)將1/2去離子水加入配料罐中，攪拌下加入上述步驟得到的硝酸、鹽酸和醋酸，混合攪拌均勻后，攪拌下加入無機鹽氯化物和氟化銨混合均勻；
(3)往混勻的混合溶液中加入表面活性劑和添加劑，然后加入剩余的去離子水，攪拌混合均勻；
(4)將上述得到的混合物通入過濾器進行過濾，得到所述蝕刻液。
所述強酸性離子交換樹脂與硝酸、鹽酸和醋酸混合攪拌是在常溫、常壓的狀態下進行，攪拌的速度為60-85r/min，攪拌的時間為10min。
所述攪拌為機械攪拌或者磁力攪拌。
所述過濾的次數大于兩次，所述過濾器的微濾膜孔徑為0.05-0.10μm。
實施例3一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液，其是由如下重量百分比的原料組成：硝酸24％、鹽酸12％、醋酸8％、無機鹽氯化物1.5％、氟化銨8.8％、表面活性劑12.6％、添加劑7％和去離子水。
所述表面活性劑為n-烷基葡糖酰胺、聚異丁烯/馬來酸酐衍生物、n-芳氧基多羥基-脂肪酸酰胺中的一種或幾種混合物。
所述無機鹽氯化物為氯化鉀，所述氯化鉀的純度高于95％。
所述添加劑為聚乙二醇單全氟壬烯基醚、全氟己基磺酸聚甘油酯、辛胺、聚甘油全氟壬烯基醚、聚乙二醇全氟壬烯基甲基醚、全氟己基磺酸聚乙二醇酯中的一種或幾種。
所述去離子水在25℃的電阻率至少為22兆歐。
一種amoled用低表面張力酸性蝕刻液的制備工藝，包括以下步驟：
(1)將強酸性離子交換樹脂分別加入到硝酸、鹽酸和醋酸中，攪拌混合，然后濾出強酸性離子交換樹脂，去除硝酸、鹽酸和醋酸中的雜質離子；
(2)將1/2去離子水加入配料罐中，攪拌下加入上述步驟得到的硝酸、鹽酸和醋酸，混合攪拌均勻后，攪拌下加入無機鹽氯化物和氟化銨混合均勻；
(3)往混勻的混合溶液中加入表面活性劑和添加劑，然后加入剩余的去離子水，攪拌混合均勻；
(4)將上述得到的混合物通入過濾器進行過濾，得到所述蝕刻液。
所述強酸性離子交換樹脂與硝酸、鹽酸和醋酸混合攪拌是在常溫、常壓的狀態下進行，攪拌的速度為60-85r/min，攪拌的時間為10min。
所述攪拌為機械攪拌或者磁力攪拌。
所述過濾的次數大于兩次，所述過濾器的微濾膜孔徑為0.05-0.10μm。
對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于所述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發明的范圍由所附權利要求而不是所述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。