本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種類金剛石碳薄膜的處理方法。
背景技術：
1、類金剛石碳(dlc)是一種新型的非晶態碳材料，兼具了金剛石和石墨的優良特性，具有優異的力學性能、耐磨性、抗腐蝕性和生物相容性等特點，在航空、汽車、醫療、光學和電子等領域有廣泛應用。
2、然而，dlc表面的高表面張力和粘附性質限制了其在某些應用領域的發展，如醫療領域中作為血液接觸材料和生物材料的應用，因為高表面張力會導致血液凝固和細胞粘附。
3、因此，亟待提供一種類金剛石碳薄膜的處理方法以克服以上缺陷。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供一種類金剛石碳薄膜的處理方法，以降低類金剛石碳薄膜的表面張力，同時提高材料的穩定性。
2、為實現上述目的，本發明類金剛石碳薄膜的處理方法，包括以下步驟：
3、提供類金剛石碳薄膜；
4、在所述類金剛石碳薄膜的表面形成二氧化硅膜；以及
5、對所述二氧化硅進行表面處理：向所述二氧化硅膜和所述類金剛石薄膜之間施加預定能量，使所述二氧化硅膜和所述類金剛石薄膜形成結合。
6、與現有技術相比，本發明通過在類金剛石碳薄膜上形成二氧化硅膜，通過適當的表面處理使二氧化硅膜與類金剛石碳薄膜之間的結合力增強，從而獲得穩定的材料結構，而且二氧化硅薄膜在類金剛石碳薄膜上層可有效降低其表面張力，改良后的類金剛石碳薄膜薄膜應用到醫療領域的血液接觸材料上，通過血小板黏附實驗和接觸角測量發現，經處理后的類金剛石碳薄膜表面張力顯著降低，血小板黏附率降低了70％，接觸角從70°降至20°，大大提高類金剛石碳薄膜的適用性。
7、較佳地，通過離子濺射的方式形成所述二氧化硅膜。
8、較佳地，形成所述二氧化硅膜的步驟包括：在真空腔室內，控制離子源功率為1.0-1.5kw，工件負偏壓為50v-100v，開啟濺射靶，濺射靶功率為1-1.5kw。
9、較佳地，真空腔室內的反應溫度為120-150℃，濺射時間1.5-2小時。
10、較佳地，控制所述真空腔室的真空度為1.5×10-2pa至1.8×10-2pa。
11、較佳地，所述表面處理包括：采用激光束或電弧施加所述預定能量。
12、較佳地，所述預定能量為20mj至50mj，時間為10ns至20ns。
13、較佳地，還包括：重復施加所述預定能量10-15次。
1.一種類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于，通過離子濺射的方式形成所述二氧化硅膜。
3.如權利要求2所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于，形成所述二氧化硅膜的步驟包括：在真空腔室內，控制離子源功率為1.0-1.5kw，工件負偏壓為50v-100v，開啟濺射靶，濺射靶功率為1-1.5kw。
4.如權利要求3所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于：控制所述真空腔室的真空度為1.5×10-2pa至1.8×10-2pa。
5.如權利要求3所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于：真空腔室內的反應溫度為120-150℃，濺射時間1.5-2小時。
6.如權利要求1所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于，所述表面處理包括：采用激光束或電弧施加所述預定能量。
7.如權利要求6所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于：所述預定能量為20mj至50mj，時間為10ns至20ns。
8.如權利要求7所述的類金剛石碳薄膜的處理方法，其特征在于，還包括：重復施加所述預定能量10-15次。