[]本技術(shù)涉及一種可濺射磁性材料的陰極體。

背景技術(shù)：

0、[背景技術(shù)]

1、現(xiàn)有真空磁控濺射鍍膜設(shè)備中的平面陰極體，其磁性材料的導(dǎo)磁性改變了原來(lái)磁場(chǎng)的磁力線分布，使得其磁力線分布如圖2所示，使得磁性材料兩側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)高于靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，因此在點(diǎn)靶濺射工作時(shí)，濺射區(qū)域會(huì)出現(xiàn)在陰極體兩側(cè)的高磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)域位置內(nèi)，而不是在靶材表面位置上，導(dǎo)致磁性材料不能正常濺射生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

0、[
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
]

1、本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種可濺射磁性材料的陰極體。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了下列技術(shù)方案：

3、一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：包括有陰極體底座，陰極體底座上側(cè)面設(shè)有底座凹槽，底座凹槽內(nèi)由下至上依次設(shè)置墊塊、磁軛、冷卻件以及靶材，磁軛與冷卻件之間設(shè)有多個(gè)沿底座凹槽長(zhǎng)度方向設(shè)置且間隔設(shè)置的磁鐵，陰極體底座兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)磁板。

4、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛上側(cè)面設(shè)有多個(gè)磁軛凹槽，磁鐵分別設(shè)置在磁軛凹槽內(nèi)，冷卻件下側(cè)面設(shè)有多個(gè)與磁軛凹槽配合封閉磁鐵的冷卻件凹槽。

5、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：冷卻件下側(cè)面位于兩個(gè)冷卻件凹槽之間設(shè)有冷卻件水槽，磁軛上位于冷卻件水槽下側(cè)設(shè)有磁軛通孔，墊塊上設(shè)有與磁軛通孔對(duì)應(yīng)設(shè)置的墊塊通孔，陰極體底座底面設(shè)有與墊塊通孔對(duì)應(yīng)設(shè)置的底座通孔。

6、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛與冷卻件之間位于冷卻件水槽兩側(cè)位置分別設(shè)有密封圈。

7、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛與冷卻件之間設(shè)有三個(gè)磁鐵，中部的磁鐵極性與兩側(cè)的磁鐵極性相反。

8、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：冷卻件為冷卻銅件。

9、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板上側(cè)面設(shè)置高度不高于靶材上側(cè)面設(shè)置高度且不低于靶材下側(cè)面設(shè)置高度；導(dǎo)磁板下側(cè)面設(shè)置高度不高于磁軛上側(cè)面設(shè)置高度且不低于磁軛下側(cè)面設(shè)置高度。

10、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板厚度不大于6mm。

11、如上所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板為純鐵導(dǎo)磁板。

12、本實(shí)用新型的有益效果是：

13、本實(shí)用新型在陰極體兩側(cè)側(cè)面分別設(shè)置導(dǎo)磁板，通過(guò)導(dǎo)磁板將磁場(chǎng)從陰極體兩側(cè)引導(dǎo)到陰極體下側(cè)位置以及引導(dǎo)返回到磁軛和磁鐵上，減弱陰極體兩側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，使陰極體兩側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使靶材表面形成濺射區(qū)域正常濺射生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：包括有陰極體底座(1)，陰極體底座(1)上側(cè)面設(shè)有底座凹槽(11)，底座凹槽(11)內(nèi)由下至上依次設(shè)置墊塊(2)、磁軛(3)、冷卻件(4)以及靶材(5)，磁軛(3)與冷卻件(4)之間設(shè)有多個(gè)沿底座凹槽(11)長(zhǎng)度方向設(shè)置且間隔設(shè)置的磁鐵(6)，陰極體底座(1)兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)磁板(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛(3)上側(cè)面設(shè)有多個(gè)磁軛凹槽(31)，磁鐵(6)分別設(shè)置在磁軛凹槽(31)內(nèi)，冷卻件(4)下側(cè)面設(shè)有多個(gè)與磁軛凹槽(31)配合封閉磁鐵(6)的冷卻件凹槽(41)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：冷卻件(4)下側(cè)面位于兩個(gè)冷卻件凹槽(41)之間設(shè)有冷卻件水槽(42)，磁軛(3)上位于冷卻件水槽(42)下側(cè)設(shè)有磁軛通孔(32)，墊塊(2)上設(shè)有與磁軛通孔(32)對(duì)應(yīng)設(shè)置的墊塊通孔(21)，陰極體底座(1)底面設(shè)有與墊塊通孔(21)對(duì)應(yīng)設(shè)置的底座通孔(12)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛(3)與冷卻件(4)之間位于冷卻件水槽(42)兩側(cè)位置分別設(shè)有密封圈(8)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：磁軛(3)與冷卻件(4)之間設(shè)有三個(gè)磁鐵(6)，中部的磁鐵(6)極性與兩側(cè)的磁鐵(6)極性相反。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：冷卻件(4)為冷卻銅件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板(7)上側(cè)面設(shè)置高度不高于靶材(5)上側(cè)面設(shè)置高度且不低于靶材(5)下側(cè)面設(shè)置高度；導(dǎo)磁板(7)下側(cè)面設(shè)置高度不高于磁軛(3)上側(cè)面設(shè)置高度且不低于磁軛(3)下側(cè)面設(shè)置高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板(7)厚度不大于6mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可濺射磁性材料的陰極體，其特征在于：導(dǎo)磁板(7)為純鐵導(dǎo)磁板。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種可濺射磁性材料的陰極體，包括有陰極體底座，陰極體底座上側(cè)面設(shè)有底座凹槽，底座凹槽內(nèi)由下至上依次設(shè)置墊塊、磁軛、冷卻件以及靶材，磁軛與冷卻件之間設(shè)有多個(gè)沿底座凹槽長(zhǎng)度方向設(shè)置且間隔設(shè)置的磁鐵，陰極體底座兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)磁板，通過(guò)導(dǎo)磁板將磁場(chǎng)從陰極體兩側(cè)引導(dǎo)到陰極體下側(cè)位置以及引導(dǎo)返回到磁軛和磁鐵上，減弱陰極體兩側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，使陰極體兩側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使靶材表面形成濺射區(qū)域正常濺射生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：朱世元,吳桂桃
受保護(hù)的技術(shù)使用者：金耀真空設(shè)備（中山）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240715
技術(shù)公布日：2025/4/28