本發明是有關于一種碳化硅基板及其成型方法，尤其是指有關于一種具有優化表層的碳化硅基板及其成型方法。

背景技術：

1、在現有的半導體晶片的制程中，碳化硅基板一般是碳化硅晶錠(ingot)經分割作業分割后再分別經修磨作業而形成，而后，碳化硅基板再接著進行后續的磊晶制程與元件制作。

2、然而，碳化硅基板在提供進行后續的磊晶制程與元件制作之前，會先進行檢測作業以篩選出表面具有瑕疵的碳化硅基板，而表面具有瑕疵的碳化硅基板即淪為價格較低的次級產品，當碳化硅基板以次級產品的價格販出時，其所造成制造端的獲利損失最高甚至可達到原碳化硅基板價格的七成左右，這對于制造端的獲利是相當不利的。

3、因此，一種能解決表面具有瑕疵的碳化硅基板所造成制造端獲利損失的問題的具有優化表層的碳化硅基板及其成型方法，為目前相關產業的迫切期待。

技術實現思路

1、本發明的主要目的是在于提供一種具有優化表層的碳化硅基板及其成型方法，該碳化硅基板包含基板本體及至少一優化表層，該基板本體具有至少一瑕疵表面，各該優化表層是一體成型地設在該基板本體的各該瑕疵表面上，各該優化表層是由碳化硅所構成，各該優化表層是經物理氣相沉積技藝或化學氣相沉積技藝先在該基板本體的各該瑕疵表面上成型至少一未修磨碳化硅層后，各該未修磨碳化硅層再經一第二次修磨作業而形成各該優化表層，借此形成一具有優化表層的碳化硅基板，有效地解決現有表面具有瑕疵的碳化硅基板所造成制造端獲利損失的問題。

2、為達成上述目的，本發明提供一種具有優化表層的碳化硅基板，該碳化硅基板包含一基板本體(substrate)及至少一優化表層；其中該基板本體是由碳化硅(sic，siliconcarbide)所構成，該基板本體具有至少一瑕疵表面，其中該基板本體是由一碳化硅晶錠(ingot)經一分割作業分割后再分別經一第一次修磨作業而形成，且在該第一次修磨作業之后，該基板本體的各該瑕疵表面是再經一檢測作業而判定為具有瑕疵；其中各該優化表層是由碳化硅所構成，各該優化表層是一體成型地設在該基板本體的各該瑕疵表面上，其中各該優化表層是經物理氣相沉積(pcd，physical?vapor?deposition)技藝或化學氣相沉積(cvd，chemical?vapor?deposition)技藝先在該基板本體的各該瑕疵表面上成型至少一未修磨碳化硅層后，各該未修磨碳化硅層再經一第二次修磨作業而形成各該優化表層，有助于提升制造端的獲利。

3、本發明更提供一種具有優化表層的碳化硅基板的成型方法，該成型方法包含下列步驟：步驟s1：提供經一檢測作業判定具有至少一瑕疵表面的一基板本體(substrate)，其中該基板本體是由一碳化硅晶錠(ingot)經一分割作業分割后再分別經一第一次修磨作業而形成；步驟s2：在該基板本體的各該瑕疵表面上利用物理氣相沉積(pcd，physical?vapordeposition)技藝或化學氣相沉積(cvd，chemical?vapor?deposition)技藝一體成型出至少一未修磨碳化硅層；及步驟s3：對各該未修磨碳化硅層進行一第二次修磨作業，以使各該未修磨碳化硅層利用該第二次修磨作業而在各該基板本體的各該瑕疵表面上修磨成型為至少一優化表層，借此形成一具有優化表層的碳化硅基板。

技術特征：

1.一種具有優化表層的碳化硅基板，其特征在于：包含：

2.一種具有優化表層的碳化硅基板的成型方法，其特征在于：包含下列步驟：

技術總結
本發明公開了一種具有優化表層的碳化硅基板及其成型方法，該碳化硅基板包含基板本體及至少一優化表層，該基板本體具有至少一瑕疵表面，各該優化表層是一體成型地設在該基板本體的各該瑕疵表面上，各該優化表層是由碳化硅所構成，各該優化表層是經物理氣相沉積技藝或化學氣相沉積技藝先在該基板本體的各該瑕疵表面上成型至少一未修磨碳化硅層后，各該未修磨碳化硅層再經一第二次修磨作業而形成各該優化表層，借此形成一具有優化表層的碳化硅基板，有效地解決現有表面具有瑕疵的碳化硅基板所造成制造端獲利損失的問題，有助于提升制造端的獲利。

技術研發人員：璩澤中,宋大侖
受保護的技術使用者：萬閎企業有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28