本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種半導體研磨過程中的降溫方法。

背景技術：

1、半導體器件通常需要進行研磨以獲得所需的尺寸、形狀和平整度，在半導體的研磨過程中，由于磨削熱量和摩擦力的作用，使得被研磨區(qū)域的溫度可能會急劇升高，而高溫會導致半導體器件的結構破壞，甚至會導致半導體器件熱膨脹，影響最終產(chǎn)品的尺寸和形狀。因此，在半導體研磨過程中降低表面溫度是至關重要的。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例的目的在于，提供一種半導體研磨過程中的降溫方法，能夠在研磨過程中更加有效地控制半導體的表面溫度，從而降低半導體研磨過程中的表面溫度。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種半導體研磨過程中的降溫方法，包括：

3、在半導體的研磨過程中，在所述半導體的表面施加電場，以產(chǎn)生電漿形成區(qū)域；

4、通過氣體注入器引入氮氣，以在所述電漿形成區(qū)域中形成氮化物層；

5、通過所述半導體的表面的熱傳導作用，將所述氮化物層中的熱量傳輸至所述半導體的基片。

6、進一步地，所述電場的頻率為100～200khz。

7、進一步地，所述氮化物層的厚度為10～50nm。

8、進一步地，所述熱傳導作用通過所述基片上的散熱器進行實現(xiàn)。

9、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例提供了一種半導體研磨過程中的降溫方法，首先，在半導體的研磨過程中，在半導體的表面施加電場，以產(chǎn)生電漿形成區(qū)域；然后，通過氣體注入器引入氮氣，以在電漿形成區(qū)域中形成氮化物層；最后，通過半導體的表面的熱傳導作用，將氮化物層中的熱量傳輸至半導體的基片。本發(fā)明實施例能夠在研磨過程中更加有效地控制半導體的表面溫度，從而降低半導體研磨過程中的表面溫度。

技術特征：

1.一種半導體研磨過程中的降溫方法，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的半導體研磨過程中的降溫方法，其特征在于，所述電場的頻率為100～200khz。

3.如權利要求1所述的半導體研磨過程中的降溫方法，其特征在于，所述氮化物層的厚度為10～50nm。

4.如權利要求1所述的半導體研磨過程中的降溫方法，其特征在于，所述熱傳導作用通過所述基片上的散熱器進行實現(xiàn)。

技術總結
本發(fā)明公開了一種半導體研磨過程中的降溫方法，包括：在半導體的研磨過程中，在所述半導體的表面施加電場，以產(chǎn)生電漿形成區(qū)域；通過氣體注入器引入氮氣，以在所述電漿形成區(qū)域中形成氮化物層；通過所述半導體的表面的熱傳導作用，將所述氮化物層中的熱量傳輸至所述半導體的基片。采用本發(fā)明的技術方案能夠在研磨過程中更加有效地控制半導體的表面溫度，從而降低半導體研磨過程中的表面溫度。

技術研發(fā)人員：戴勇
受保護的技術使用者：東莞新科技術研究開發(fā)有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/28